三星開始量產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)的TSV連接4GB DRAM芯片
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三星電子2016年1月19日宣布，已開始量產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)(HBM：High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存)的4GB DRAM芯片。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)12日剛剛宣布HBM2成為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)“JESD235A”。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201601/286035.htm
HBM2標(biāo)準(zhǔn)的DRAM芯片的結(jié)構(gòu)。
按照HBM2標(biāo)準(zhǔn)，DRAM芯片內(nèi)可縱向?qū)盈B最大8Gbit的存儲(chǔ)器裸片，裸片之間通過TSV(硅通孔)連接。三星于2014年8月發(fā)布了配備36顆2GB DRAM的64GB服務(wù)器用RDIMM內(nèi)存條，每個(gè)DRAM芯片層疊了4個(gè)4Gbit DDR4型SDRAM裸片，裸片之間通過TSV連接(參閱本站報(bào)道)。
之后，三星于2015年11月發(fā)布了配備36顆4GB DRAM的128GB服務(wù)器用RDIMM內(nèi)存條，每個(gè)DRAM芯片層疊了4個(gè)8Gbit DDR4型SDRAM裸片，裸片之間通過TSV連接(英文發(fā)布資料)。該公司稱，“此次的HBM2 DRAM芯片是三星將TSV應(yīng)用于DRAM的最新里程碑”。
一個(gè)裸片上有5000多個(gè)TSV穿孔
此次的HBM2 DRAM芯片在1個(gè)緩沖裸片上堆疊了4個(gè)8Gbit內(nèi)核裸片，通過TSV和微凸塊焊接垂直連接。每個(gè)8Gbit裸片上有5000多個(gè)TSV穿孔，這一數(shù)量是之前8Gbit DDR4型SDRAM裸片的36倍以上。
另外，此次發(fā)布的DRAM芯片的存儲(chǔ)器帶寬為256GB/s，是HBM1標(biāo)準(zhǔn)DRAM芯片的2倍，是4Gbit GDDR5型DRAM(36GB/s)的7倍以上。該DRAM芯片的單位功耗帶寬則是使用4Gbit GDDR5型DRAM時(shí)的2倍。另外，新產(chǎn)品支持ECC(錯(cuò)誤檢查和校正)功能，可靠性更高。
三星計(jì)劃2016年內(nèi)開始量產(chǎn)存儲(chǔ)容量翻倍的8GB HBM2 DRAM芯片。該公司將面向要求高性能的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)及服務(wù)器等積極生產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)的DRAM。
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