賽普拉斯為其領(lǐng)先業(yè)界的F-RAM和nvSRAM產(chǎn)品組合提供晶圓銷售支持
賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票交易代碼:CY)宣布其領(lǐng)先業(yè)界的非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器((NVRAM)產(chǎn)品組合新增晶圓產(chǎn)品。賽普拉斯的NVRAM產(chǎn)品組合包括鐵電RAM(F-RAM™)和非易失性靜態(tài)RAM(nvSRAM),可在斷電時(shí)為重要數(shù)據(jù)提供可靠保護(hù)。很多關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用除了需要F-RAM和nvSRAM的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)之外,還需要能夠?qū)崿F(xiàn)小巧、獨(dú)特封裝選項(xiàng)的裸片。有關(guān)賽普拉斯的NVRAM產(chǎn)品組合的更多信息,敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn):http://www.cypress.com/nonvolatile。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201601/286216.htm賽普拉斯的F-RAM是業(yè)內(nèi)能效最高的NVRAM技術(shù),具有近乎無(wú)限的100萬(wàn)億次讀寫(xiě)耐久性。F-RAM 存儲(chǔ)單元中的鐵電材料可抵御由輻射或磁場(chǎng)導(dǎo)致的數(shù)據(jù)損壞,因此可為醫(yī)療、航天和國(guó)防應(yīng)用提供軟錯(cuò)誤免疫能力。賽普拉斯的nvSRAM是業(yè)內(nèi)速度最快的NVRAM技術(shù),存取時(shí)間低至20 ns。它具有非易失性數(shù)據(jù)保留功能,而且不需要額外的電池,同時(shí)提供無(wú)限的耐久性。
賽普拉斯非易失性產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)主管Sonal Chandrasekharan表示:“為NVRAM產(chǎn)品組合提供晶圓銷售進(jìn)一步滿足了客戶的廣泛需求,客戶現(xiàn)在可以在滿足具體應(yīng)用的封裝規(guī)格的同時(shí),充分利用nvSRAM的高性能或F-RAM的高能效優(yōu)勢(shì)。”
評(píng)論