新型GaN功率器件的市場(chǎng)應(yīng)用趨勢(shì)
第五屆EEVIA年度中國(guó)ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì)
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201601/286350.htm時(shí)間:2016.01.14 下午
地點(diǎn):深圳南山軟件創(chuàng)業(yè)基地 IC咖啡
演講主題: 新型GaN功率器件的市場(chǎng)應(yīng)用趨勢(shì)
演講嘉賓: 蔡振宇 富士通電子元器件市場(chǎng)部高級(jí)經(jīng)理
主持人:接下來(lái)開(kāi)始第三場(chǎng)演講。大家知道無(wú)論消費(fèi)電子產(chǎn)品還是通訊硬件、電動(dòng)車(chē)以及家用電器,提升電源的轉(zhuǎn)換能效、功率密度、延長(zhǎng)電池使用的時(shí)間,這已經(jīng)是比較大的挑戰(zhàn)了。所有這一切都意味著電子產(chǎn)業(yè)會(huì)越來(lái)越依賴新型功率的半導(dǎo)體。有調(diào)研數(shù)據(jù)表明,到2020年氮化鎵有望獲得100%的年復(fù)合增長(zhǎng)率。獨(dú)特的半導(dǎo)體在功率當(dāng)中獲得了日益廣泛的應(yīng)用,相比硅這個(gè)器件更具有更低的反向充電和更低的恢復(fù)時(shí)間,憑借這些優(yōu)異的特性,氮化鎵的器件正在填補(bǔ)電源設(shè)計(jì)發(fā)展路線圖的空白,即在新興應(yīng)用中發(fā)揮更高的效率。
接下來(lái)有請(qǐng)來(lái)自富士通電子元器件公司的蔡振宇先生,他是擔(dān)任市場(chǎng)部的高級(jí)經(jīng)理,有請(qǐng)蔡振宇先生給我們介紹該公司代理的氮化鎵產(chǎn)品主要的應(yīng)用場(chǎng)景和未來(lái)的趨勢(shì)。有請(qǐng)蔡先生。
蔡振宇:謝謝大家,大家上午好!
開(kāi)始演講之前我要謝謝EEVIA,每年都組織這樣一個(gè)媒體和工程師交流的會(huì)議。去年我們帶來(lái)的是半導(dǎo)體的產(chǎn)品,今年借著IOT的東風(fēng),講一下新型的功率技術(shù)氮化鎵產(chǎn)品。今天講一下氮化鎵目前比較熱的情況,就是基于氮化鎵做的功率器件,會(huì)給我們的電源設(shè)計(jì)帶來(lái)更高的開(kāi)關(guān)頻率、更高的效率和更高的省電率。
今天介紹的不是我們富士通自己的產(chǎn)品,我們代理了一個(gè)公司的產(chǎn)品。大家會(huì)說(shuō)富士通以前是原廠,現(xiàn)在為什么擔(dān)任代理角色。我們富士通去年3月份做了一個(gè)華麗的轉(zhuǎn)身,變成半原廠、半代理商的角色。去年3月份我們富士通把自己的半導(dǎo)體的LSI部分和松下的半導(dǎo)體LSI部分合并成立了新的公司索喜科技,富士通占40%的股份,松下20%。我們?cè)谌毡疽灿袃蓚€(gè)晶圓制造代工廠,加上富士通電子的鐵電存儲(chǔ)(FRAM)。還有一個(gè)我們轉(zhuǎn)型后比較看重的產(chǎn)品,就是我們合作伙伴的產(chǎn)品,大家可以理解為是我們代理的產(chǎn)品。整個(gè)在亞太有這三部分的產(chǎn)品組成整個(gè)富士通電子在亞太售賣(mài)的產(chǎn)品。
這邊給大家介紹一下,2014年2月份,富士通是把氮化鎵的這個(gè)部門(mén)轉(zhuǎn)給了Transphorm公司,包括我們研發(fā)一些IP都轉(zhuǎn)到該公司,Transphorm所有的晶元產(chǎn)品都是在我們富士通的工廠去生產(chǎn)。還有一部分是把這部分資產(chǎn)做到那個(gè)公司里面去。其實(shí)我們跟那個(gè)公司的關(guān)系是比較密切的,不只是代理商與原廠之間,它也是我們晶圓代工服務(wù)的客戶。
后面著重給大家介紹一下Transphorm氮化鎵的產(chǎn)品有什么特點(diǎn)。Transphorm公司2007年在加利福尼亞州成立的。谷歌等多家知名公司都是它的股東,一輪融資融了6億美金,去年拿到三輪融資,3000多萬(wàn)美金。
下面講一下Transphorm氮化鎵跟現(xiàn)在用的MOSFET有什么大的區(qū)別,這些區(qū)別可以應(yīng)用在哪些比較適合的應(yīng)用場(chǎng)景。
大家可以看到,我這邊叫HEMT,而不是傳統(tǒng)的,是高速移動(dòng)的電子的晶體管,跟我們現(xiàn)在用的MOSFET結(jié)構(gòu)不一樣,它可以做到電子快速移動(dòng),在它的三級(jí)結(jié)構(gòu)中。
在整個(gè)功率器件發(fā)展的過(guò)程中,大家可以看這個(gè)圖,1970年有第一個(gè)可控硅出來(lái),隨著時(shí)間和技術(shù)的推移會(huì)功率密度要求變得逐漸提升,后面是二級(jí)的晶體管,慢慢到90年代末出現(xiàn)了IGBT。2000年的時(shí)候在整個(gè)技術(shù)領(lǐng)域就提出了,現(xiàn)在硅基產(chǎn)品達(dá)到了物理極限?,F(xiàn)在我們要讓開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)一步提高,怎么辦?現(xiàn)在整個(gè)市場(chǎng)上有兩個(gè)新材料,一個(gè)是我今天介紹的氮化鎵,還有一個(gè)是碳化硅。這條圖代表整個(gè)功率器件未來(lái)技術(shù)發(fā)展的方向。
這邊我們列出了一個(gè)比較的表格,市場(chǎng)上比較常用的碳化硅和氮化鎵的基準(zhǔn),就是本身材質(zhì)的比較。這個(gè)表不多說(shuō)了,我們列出來(lái)幾個(gè)特點(diǎn):首先,氮化鎵和碳化硅給到客戶的最大特點(diǎn)是開(kāi)關(guān)頻率可以很高,整個(gè)材質(zhì)比較適合高壓的應(yīng)用。碳化硅和氮化鎵兩個(gè)材質(zhì)各有各的特點(diǎn),氮化鎵的電子流動(dòng)性會(huì)比較高,開(kāi)關(guān)性能,也就是你可以長(zhǎng)時(shí)間開(kāi)關(guān),實(shí)驗(yàn)室做起來(lái)可以有很高的速度。你可以看到市面上很多射頻產(chǎn)品都是基于氮化鎵做的,甚至跑到5G、6G的產(chǎn)品都是氮化鎵做的,所以氮化鎵的開(kāi)關(guān)性特別好。碳化硅是另外一個(gè)材質(zhì),它的高壓性能會(huì)比較好一些,高溫的性能比現(xiàn)有的氮化鎵好一些。這是現(xiàn)有的兩種功率器件的不同點(diǎn)。
基于這個(gè)再延伸下去。前面介紹我們叫氮化鎵的HEMT,它是高速的。你把橫截面切開(kāi),從半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)來(lái)看跟普通MOSFET模式不一樣,電流是橫向流,它是在硅的襯底上面長(zhǎng)出氮化鎵。特別是功率器件,它是S極垂直往上的,上面是S極流到D極,與傳統(tǒng)的MOS管流動(dòng)不一樣??傮w來(lái)說(shuō)我們跟碳化硅和氮化鎵做一個(gè)比較,有幾個(gè)數(shù)據(jù)大家注意一下。首先是載流子的能力,代表的是電流的力度,也就是功率多少安培。氮化鎵可以做到10。另外一個(gè)是載流子的能力是1500的能力,碳化硅是600這個(gè)數(shù)字。這個(gè)數(shù)字帶來(lái)的意思是運(yùn)行速度和開(kāi)關(guān)的速度可以提升的比較好?;谶@兩個(gè)特點(diǎn),它會(huì)帶來(lái)氮化鎵的功率管和其他不同的特點(diǎn)。
這邊給大家介紹一下現(xiàn)在用的產(chǎn)品的內(nèi)部構(gòu)造。從結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)它是這樣一個(gè)結(jié)構(gòu),但是目前我們所有的產(chǎn)品在技術(shù)和研發(fā)上有兩個(gè)方向,一個(gè)是上電的管子是關(guān)著的,還有一種是上電以后管子是打開(kāi)的?;旧锨懊娴漠a(chǎn)品是沒(méi)有辦法用的,因?yàn)橐簧想姽茏泳完P(guān)了。我們有一個(gè)友商叫P公司,他們?cè)诘谝粋€(gè)管子上面人為的做成Normally off(常關(guān)),隨著時(shí)間變長(zhǎng)可以加速,原來(lái)5伏可以打開(kāi),慢慢時(shí)間越長(zhǎng)可能6伏才能打開(kāi)。隨著長(zhǎng)時(shí)間應(yīng)用,跟原來(lái)用一兩年前的產(chǎn)品不一樣。這就帶了問(wèn)題,Transphorm想出了一個(gè)辦法,用常開(kāi)的產(chǎn)品達(dá)到常閉產(chǎn)品一樣的性能,他是通過(guò)增加一個(gè)低壓MOS管,這個(gè)結(jié)構(gòu)就是Cascode結(jié)構(gòu),我們通過(guò)這個(gè)門(mén)級(jí)的低壓來(lái)控制整個(gè)氮化鎵的開(kāi)關(guān),也就是雖然上面是開(kāi),但是通過(guò)這個(gè)東西可以把它變成關(guān)斷的狀態(tài),通過(guò)這個(gè)來(lái)控制它的工作。
這樣的結(jié)構(gòu)帶來(lái)一個(gè)什么好處呢?首先它的閾值非常穩(wěn)定的在2V。什么概念?給5伏就可以完全打開(kāi),一旦到0V會(huì)完全關(guān)閉。如果讓它完成OV off要全部關(guān)掉。我們這個(gè)要正負(fù)18V,而且這個(gè)結(jié)構(gòu)帶來(lái)一個(gè)好處,氮化鎵的驅(qū)動(dòng)和現(xiàn)在的硅基是兼容的,你可以無(wú)縫的連接到氮化鎵的功率器件上,沒(méi)有必要說(shuō)改成新的結(jié)構(gòu),這對(duì)工程師設(shè)計(jì)會(huì)帶來(lái)一些好處,這是我們現(xiàn)階段用這個(gè)結(jié)構(gòu)最大的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然,我們會(huì)跟大家講,我們最后的目標(biāo)還是做成Normally off的產(chǎn)品,但是現(xiàn)在的時(shí)間節(jié)點(diǎn)沒(méi)有辦法達(dá)到比較理想,過(guò)一段時(shí)間會(huì)做類(lèi)似這樣的產(chǎn)品。
大家可能有一些想法,如果這里加的一個(gè)外圍器件,會(huì)不會(huì)影響到整個(gè)產(chǎn)品的性能?前面有介紹氮化鎵的產(chǎn)品速度很快,反向會(huì)不會(huì)影響它的速度呢?這個(gè)圖告訴大家不會(huì)影響。當(dāng)你正向打通的時(shí)候,電流會(huì)從這個(gè)地方通到D這邊。反向的時(shí)候,這個(gè)關(guān)的沒(méi)有那么快,旁邊有一個(gè)類(lèi)似于反向快恢復(fù)二極管,電可以通過(guò)這邊走掉。當(dāng)這個(gè)開(kāi)關(guān)打通以后,電流這邊可以正常的流掉了,這樣就完全沒(méi)有說(shuō)反向打通會(huì)延遲影響你的氮化鎵芯片的速度問(wèn)題。這樣的結(jié)構(gòu)會(huì)帶來(lái)比較好的結(jié)果,產(chǎn)品的速度比較快。
大家可能想,你講了很多氮化鎵很好的方面,到底好到什么程度呢?我們現(xiàn)在找了一個(gè)市場(chǎng)上比較流行的廠家的產(chǎn)品。我們比較了幾個(gè)數(shù)據(jù)(見(jiàn)PPT),第一個(gè)是我們第一代的產(chǎn)品,還有一個(gè)比數(shù)字代表了正向?qū)ǖ乃俣?,一般的?4的數(shù)據(jù),我們是62。QRR一般是5300,我們是54,只有它的一百分之一的,這幾個(gè)數(shù)據(jù)表示我們速度很快。
后面會(huì)給大家介紹具體的優(yōu)勢(shì)。我們還有一系列的比較,可以看到第一代的產(chǎn)品完全不輸于它,現(xiàn)在已經(jīng)做到第二代的氮化鎵的產(chǎn)品,大家可以拿這個(gè)跟傳統(tǒng)的硅基比較。
大家說(shuō),你第一個(gè)出來(lái),我不要做小白鼠,你這個(gè)到底可靠性怎么樣?看看這個(gè)圖,我們600V的氮化鎵產(chǎn)品是第一個(gè)也是唯一通過(guò)JEDEC業(yè)界認(rèn)證的氮化鎵產(chǎn)品,要通過(guò)這個(gè)認(rèn)證,需要通過(guò)一系列的認(rèn)證測(cè)試,比如高、低溫測(cè)試、高濕測(cè)試,每個(gè)測(cè)試項(xiàng)要經(jīng)過(guò)77個(gè)產(chǎn)品的檢測(cè),放在三個(gè)不同的地方做這個(gè)測(cè)試,等231顆完全沒(méi)有問(wèn)題才通過(guò)這個(gè)實(shí)驗(yàn),我們做了那么多實(shí)驗(yàn)都完全沒(méi)有問(wèn)題,所以我們產(chǎn)品的可靠性也是值得大家信賴和使用的。而且這對(duì)于電源和工程師來(lái)說(shuō)帶來(lái)的是非??煽康闹笜?biāo)。
給大家介紹一下我們現(xiàn)在產(chǎn)品的情況。2013年我們出品的是3006這一顆,它的封裝是TO220。2014年出了一顆,一顆是3002。2015年主要推出兩個(gè),和3205和3206,主要是富士通工廠生產(chǎn)的。未來(lái)可能會(huì)往高壓,今年會(huì)推出900V和1200V的產(chǎn)品。后面會(huì)往低壓方面走,做150V的。除了單顆的氮化鎵以外,模組的產(chǎn)品我們也有。這是整個(gè)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的狀態(tài)。
從我們現(xiàn)有的市場(chǎng)上的技術(shù)能力或者技術(shù)的研發(fā)水平來(lái)說(shuō),大概會(huì)在2017年和2016年底推出我們的E-Mode,我們會(huì)把不利的因素解決掉才會(huì)做。我們會(huì)把Cascode轉(zhuǎn)換到Emode。從電流角度來(lái)說(shuō),我們2014年推出第一顆TO240的產(chǎn)品,電池從30、40,慢慢往60、70、80的方向發(fā)展,相對(duì)應(yīng)的功率也越來(lái)越大。這是從技術(shù)節(jié)點(diǎn)來(lái)說(shuō)未來(lái)氮化鎵的走勢(shì)。
這是具體的現(xiàn)有產(chǎn)品的參數(shù)(見(jiàn)PPT),主要是三個(gè),一顆是3002,一顆是3002,還有顆是3205的WS的產(chǎn)品。這是整個(gè)現(xiàn)有產(chǎn)品的狀況。大家可以看到,我們的功率器件的背板有PS的,有PD的,現(xiàn)在背板做成PS的,相對(duì)來(lái)說(shuō)性能和散熱片的安裝會(huì)更方便一些。還有一點(diǎn),我們不是跟現(xiàn)在的MOS管兼容的,我們常用的是GSD的,大家要注意這一點(diǎn),氮化鎵的跟這種不是兼容的,你要用到氮化鎵這種特有的特點(diǎn)的話,可能需要重新做一個(gè)板?,F(xiàn)在氮化鎵跑的頻率比較高一點(diǎn),如果跑的跟現(xiàn)在一樣的頻率,可能沒(méi)有辦法體現(xiàn)現(xiàn)在氮化鎵產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)。跑到500K或者200KHz的時(shí)候氮化鎵的特點(diǎn)就發(fā)揮出來(lái)。
先面講氮化鎵產(chǎn)品本身的特點(diǎn),后面講一下這個(gè)產(chǎn)品給工程師實(shí)際應(yīng)用中帶來(lái)什么好處。
第一個(gè)應(yīng)有是太陽(yáng)能逆變,這是我們比較看重的產(chǎn)品應(yīng)用。首先是一個(gè)量產(chǎn)的產(chǎn)品,是Yaskawa,是日本的一個(gè)廠商,每個(gè)人買(mǎi)來(lái)在家里自己裝的。用它跟太陽(yáng)能的做一個(gè)比較,它用的是氮化鎵,三菱用的是碳化硅,做出來(lái)的結(jié)果怎么樣?從整個(gè)體系來(lái)說(shuō),Yaskawa比三菱的少了28.8這個(gè)體積。Yaskawa是11公斤,他們這個(gè)17公斤,重量我們比它小37.8個(gè)百分點(diǎn),尺寸和重量都有減少。最重要的是輸出功率,我們是4.5千瓦,三菱的只有4.4千瓦,這個(gè)不是太大問(wèn)題。就差兩個(gè)點(diǎn),我這個(gè)產(chǎn)品售價(jià)可以比它貴10%左右。從這個(gè)角度大家可以看到氮化鎵的特點(diǎn)很明顯,可以把產(chǎn)品尺寸做小,重量減輕。
大家就問(wèn),跟現(xiàn)在的硅基來(lái)比,我把Yaskawa的產(chǎn)品拿出來(lái)比,我們跟類(lèi)似的產(chǎn)品做了一個(gè)比較,也是做4.5KW,原來(lái)的效率是95,用了氮化鎵之后效率變成98。從體積來(lái)說(shuō),本來(lái)18升,現(xiàn)在可以做成10升。這就是氮化鎵帶來(lái)的特有的優(yōu)勢(shì),整個(gè)尺寸體積減少了40%,它的功耗損失減少了40%。既做小了體積又提高了效率,這是氮化鎵產(chǎn)品給大家?guī)?lái)的獨(dú)有的優(yōu)勢(shì)。大家有興趣可以看到后面我?guī)?lái)的1000W太陽(yáng)能逆變產(chǎn)品,它用4顆氮化鎵做的,體積很小,如果是傳統(tǒng)的硅基會(huì)做的很大體積。
最后介紹一下服務(wù)器電源的特有應(yīng)用,有一個(gè)Totem pole的結(jié)構(gòu)。常用的實(shí)驗(yàn)室的設(shè)計(jì)有什么特點(diǎn)?可以達(dá)到最高 99%的效率,體積也更小。從技術(shù)上來(lái)說(shuō),這結(jié)構(gòu)很早就提出來(lái)了。等氮化鎵這個(gè)產(chǎn)品出來(lái)以后,Totem pole是未來(lái)比較有前景的結(jié)構(gòu)。
大家可以看一下,這是我們做出來(lái)的一個(gè)Totem pole的表現(xiàn)(見(jiàn)PPT),這就是氮化鎵做的超級(jí)反向結(jié)構(gòu)的表現(xiàn)?,F(xiàn)在傳統(tǒng)的是這樣的結(jié)構(gòu),用我們的結(jié)構(gòu)就可以把中間這六個(gè)環(huán)節(jié)拿掉,每個(gè)可以少0.7V,電感也可以拿掉。從氮化鎵來(lái)說(shuō),整個(gè)器件可以減少,頻率也可以提高,尺寸也減少,帶來(lái)一個(gè)好處是變得更輕便。效率可以做的更高,甚至可以達(dá)到98%、99%,對(duì)電源來(lái)說(shuō)這樣一個(gè)產(chǎn)品是很好的。但是也會(huì)帶來(lái)一些問(wèn)題,EMI等等的問(wèn)題,后面我們會(huì)幫大家解決這個(gè)問(wèn)題,因?yàn)楫吘惯@是比較新的Totem pole結(jié)構(gòu)。
給大家講一下比較普通的電源,特別是電腦主板上用的電源。這塊板(見(jiàn)PPT)我今天也有帶來(lái)。這是原來(lái)一個(gè)板的尺寸,我們做到同樣的輸出功率、同樣的效率,甚至比它更高的效率,尺寸小了這么多。為什么會(huì)小?因?yàn)槲覀儸F(xiàn)在跑的PWW是跑200KHz的氮化鎵,他現(xiàn)在跑的是50-80KHz。
再看一下效率,下面是基于硅基的電源效率,上面綠的是用氮化鎵做的電源效率,具體有多大提升?大概滿載的時(shí)候效率是1.7%,十分之一負(fù)載的時(shí)候大概高3%,很重要的是尺寸可以少45%,這45%對(duì)大家來(lái)說(shuō)就是體積更小,做得更漂亮,可以賣(mài)的價(jià)格更高,客戶也愿意接受這個(gè)價(jià)格,這是所有廠家愿意看到的情況。
我們現(xiàn)在是基于這樣一個(gè)板(見(jiàn)PPT),這是里面的一些器件,現(xiàn)在是這樣一個(gè)尺寸。用了我們的氮化鎵以后,只要跑到200kHz,各方面的效率會(huì)提的更高,電容尺寸也可以小一些,整個(gè)板的尺寸可以減少20%,體積可以減少30%,給大家?guī)?lái)更高效率、更小體積的轉(zhuǎn)換器,這是氮化鎵可以做到的一個(gè)特點(diǎn)。
前面給大家介紹了我們單顆芯片的特點(diǎn),氮化鎵本身材質(zhì)的特點(diǎn)和一些應(yīng)用的特點(diǎn)。后面給大家做一個(gè)總結(jié),看具體能夠給業(yè)界帶來(lái)什么優(yōu)勢(shì)。
首先,第一代氮化鎵已經(jīng)達(dá)到硅基甚至比硅基有更好的物理性能。我們第一代的產(chǎn)品已經(jīng)比硅基好,去年第一季度推出第二代,我們的產(chǎn)品性能比原先更有提升。下一代的產(chǎn)品會(huì)做更低成本、更好的性能,最終目標(biāo)還是做到E-mode的氮化鎵產(chǎn)品。從可靠性來(lái)說(shuō)我們是業(yè)界第一名。大家知道氮化鎵所有的功率廠商都在研究,像東芝等等都在做,但是通過(guò)實(shí)驗(yàn)的只有我們一家。我們會(huì)繼續(xù)走下去,會(huì)做很多動(dòng)態(tài)和靜態(tài)的測(cè)試,不斷的往下面走。
對(duì)工程師來(lái)說(shuō),我們的產(chǎn)品很容易去用,驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)比較簡(jiǎn)單,兼容你現(xiàn)在用的驅(qū)動(dòng)的電路。我們還可以優(yōu)化你的設(shè)計(jì)。我們?cè)谥袊?guó)在北京、大連等等都有辦公室和工作人員支持大家的工作。現(xiàn)在幾個(gè)大廠都關(guān)注用氮化鎵這個(gè)產(chǎn)品,包括臺(tái)灣的臺(tái)達(dá)和國(guó)內(nèi)一些做電源的廠家,包括華為已經(jīng)慢慢用氮化鎵做產(chǎn)品,今年是氮化鎵非常重要的一年。
很多媒體朋友可能說(shuō),你說(shuō)氮化鎵那么好,是不是很貴?肯定是很貴。2013年的時(shí)候,我們這個(gè)產(chǎn)品推出的時(shí)候大概是3倍的價(jià)格,最早我們做在4寸的晶元上,到2014年大概是2倍左右價(jià)格的范圍,去年隨著用量和結(jié)構(gòu)生產(chǎn)制成的改進(jìn),2015年轉(zhuǎn)到富士通改用5寸到6寸的,達(dá)到的是1.5倍-1.6倍。2016年我們估計(jì)隨著量產(chǎn)價(jià)格慢慢降低,可以做到1.2倍-1.3倍傳統(tǒng)的這種價(jià)格。這有利于氮化鎵產(chǎn)品的推廣。
順便提一下,前面談到一個(gè)材質(zhì)叫碳化硅,它的襯底都是碳化硅做的,碳化硅很硬,要鉆石刀才能切。從未來(lái)成本的角度,氮化鎵會(huì)比碳化硅更便宜,所以工程師可以放心使用,特別是高壓的使用也沒(méi)有問(wèn)題。
這就是我今天要講的內(nèi)容。大家有什么問(wèn)題嗎?
現(xiàn)場(chǎng)提問(wèn):氮化鎵的通電跟碳化硅在導(dǎo)通電阻RDSon那些比有什么區(qū)別?
蔡振宇:從技術(shù)角度來(lái)說(shuō),我們現(xiàn)在的產(chǎn)品跟碳化硅差不多的級(jí)別。有的現(xiàn)在做到10幾豪歐,我們現(xiàn)在推出的做到50幾個(gè)豪歐,對(duì)我們來(lái)說(shuō)目前跟硅基和碳化硅差不多的結(jié)果。目前我們用的是這樣一個(gè)結(jié)構(gòu)(見(jiàn)PPT),相對(duì)來(lái)說(shuō)跟現(xiàn)有的硅基和碳化硅差不多,如果把這一部分拿掉我們會(huì)有比較高的改善。
現(xiàn)場(chǎng)提問(wèn):因?yàn)楝F(xiàn)在開(kāi)發(fā)比例高了很多,為什么讓整個(gè)電效率提高呢?
蔡振宇:電源的效率有兩部分,一個(gè)是傳統(tǒng)的,一個(gè)還是開(kāi)關(guān)損耗,關(guān)到一個(gè)時(shí)間有一個(gè)緩向恢復(fù)的,我們氮化鎵可以把這部分降到很低的產(chǎn)品,當(dāng)頻率提升的時(shí)候反而把效率提高,散熱更好,頻率更高。我們后面放了250瓦的電源,大家可以看一下,散熱很好,頻率更高。
現(xiàn)場(chǎng)提問(wèn):EMI你們?cè)趺刺幚淼?
蔡振宇:我們后面可以給你介紹一下,因?yàn)槲覀冇袑?zhuān)門(mén)EMI的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì),可以幫助指導(dǎo)你怎么做PCB和怎么過(guò)EMI測(cè)試。現(xiàn)在電源方面,250瓦的完全可以,包括EMI測(cè)試的接口完全可以給到你,你可以會(huì)后聯(lián)系我,可以把詳細(xì)的資料給到你。特別是200瓦,再往上300瓦、500瓦的EMI要求更高一些,效率提高了,EMI的問(wèn)題會(huì)出來(lái)。
現(xiàn)場(chǎng)提問(wèn):你那個(gè)結(jié)構(gòu)有沒(méi)有延時(shí)方面的問(wèn)題?
蔡振宇:沒(méi)有延時(shí)的問(wèn)題,你可以把這個(gè)看作整個(gè)產(chǎn)品,因?yàn)橄旅媸堑蛠?,?兆、2兆沒(méi)有問(wèn)題,目前工程應(yīng)用領(lǐng)域是沒(méi)有任何問(wèn)題的,因?yàn)楝F(xiàn)在的外圍器是這樣,目前的工程應(yīng)用這個(gè)完全沒(méi)有影響到開(kāi)關(guān)的頻率。你現(xiàn)在看,很少有跑到500kHz的頻率。
現(xiàn)場(chǎng)提問(wèn):過(guò)電流的指標(biāo)呢?
蔡振宇:過(guò)電流的指標(biāo)跟硅基差不多。它還有一個(gè)特點(diǎn)是開(kāi)關(guān)性能比較好,可以解決電源過(guò)程中開(kāi)關(guān)頻率過(guò)高帶來(lái)的問(wèn)題,這是氮化鎵本身的材料決定的。
現(xiàn)場(chǎng)提問(wèn):看到兩端,二極管那邊漏電可能有問(wèn)題。
蔡振宇:這是自身的二極管,反向才會(huì)有這二極管,正向是沒(méi)有的,它就是這樣的,反向的時(shí)候那個(gè)結(jié)構(gòu)看上去就是漏電流、反向電流可以從二極管跑出來(lái),其實(shí)它還是通過(guò)我這個(gè)模式走的。
現(xiàn)場(chǎng)提問(wèn):我想看一下最后您講的那個(gè)價(jià)格方面的圖,這三條線是怎么看?
蔡振宇:紅顏色的是硅基的,藍(lán)顏色的是氮化鎵,綠顏色的是我們的比率,就是我比它貴多少,比如說(shuō)這個(gè)點(diǎn)我是他的3倍,這個(gè)點(diǎn)是2倍,這邊是1.5倍。我們目標(biāo)預(yù)期2017年、2018年很接近,其實(shí)現(xiàn)在這個(gè)已經(jīng)很接近了。
現(xiàn)場(chǎng)提問(wèn):產(chǎn)能有沒(méi)有問(wèn)題?
蔡振宇:沒(méi)有什么問(wèn)題。現(xiàn)在在我們富士通做的晶元,基于6寸的,產(chǎn)能基本上一年幾千、幾萬(wàn)片不成問(wèn)題。如果這個(gè)賣(mài)得好可以做半導(dǎo)體的廠,目前完全可以滿足客戶的要求。
現(xiàn)場(chǎng)提問(wèn):影響應(yīng)用的主要是兩大因素,除了價(jià)格以外,價(jià)格我們很清楚。另外一個(gè)是驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),你剛才也說(shuō)到,你們的做法是不完全兼容,兼容一定會(huì)出問(wèn)題,需要重新設(shè)計(jì)的。有一些電子廠家是跟第三方合作的,做前面的電路,你們的方案是什么?
蔡振宇:您可以關(guān)注一下TI的網(wǎng)站,里面有專(zhuān)門(mén)的設(shè)計(jì)配板,我們富士通以前沒(méi)有賣(mài)的時(shí)候就找到TI就問(wèn)能不能做適合的,實(shí)際操作下來(lái)我們發(fā)現(xiàn)我們對(duì)芯片不是很挑,但是我們挑的是信號(hào),就是你的信號(hào)盡可能的離我們比較近,這是目前的解決方案,就是我們對(duì)這個(gè)芯片沒(méi)有特別的要求,但是像前面的講的,頻率很高會(huì)帶來(lái)板自身參數(shù)的問(wèn)題,所以我們會(huì)讓客戶沒(méi)有PCB板的問(wèn)題,就看你的設(shè)計(jì)是不是特別接近我們的產(chǎn)品。對(duì)于EMI的設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),我們?cè)诿绹?guó)和日本有專(zhuān)門(mén)的AE幫客戶解決EMI的問(wèn)題。我們前面講到電源的EMI都是我們做的。今年有很多項(xiàng)目會(huì)量產(chǎn),通過(guò)跟其他公司的合作我們也可以進(jìn)一步的提升。
評(píng)論