應用材料:2016年晶圓廠設(shè)備支出有望擴增

　　應用材料集團副總裁暨臺灣區(qū)總裁余定陸認為，在3D NAND和10奈米技術(shù)帶動下，今年晶圓代工資本支出有望回升。

　　應 用材料集團副總裁暨臺灣區(qū)總裁與全球半導體業(yè)務服務群跨區(qū)域總經(jīng)理余定陸表示，2015年看到這四年以來晶圓代工的資本支出進入谷底，預估今年投資水位有 望提升，而大部分支出將發(fā)生在下半年，其中有五成以上將集中于10奈米技術(shù);對晶圓代工來說，10奈米不同于16奈米，最顯著變化在于鰭式場效電晶體 (FinFET)和導線技術(shù)能改善元件性能和功耗。

　　余定陸進一步指出，記憶體制造商在電晶體過渡到3D NAND面臨非常大的壓力。記憶體廠商在加速3D NAND技術(shù)量產(chǎn)時，投資一定會比前一年增加。由于研發(fā)成本非常的高，記憶體廠商與設(shè)備供應商的合作也將更加緊密，通常都會提早2至3年開始合作，否則無 法做出成品。

　　另一方面，余定陸透露，半導體廠商對于蝕刻(Etch)和化學機械研磨(CMP)技術(shù)需求很高，他表示，應材在2015年半導體設(shè)備的訂單與營收達到自2007年以來的新高，其中蝕刻、化學氣相沉積(CVD)、化學機械研磨等產(chǎn)品所貢獻的營收都創(chuàng)下近年來的新高點。

　　整體而言，余定陸認為今年半導體設(shè)備供應仍有成長空間。雖然智慧型手機出貨量的成長放緩，高端手機競爭激烈，使得半導體廠商面臨巨大的壓力，但半導體商仍須運用設(shè)備來制造先進的晶片，增添手機新功能，提供產(chǎn)品差異化。因此，依舊看好對于晶圓代工設(shè)備的資本支出。