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          美國(guó)否決中資收購(gòu)飛利浦背后:阻止中國(guó)掌握第三代LED氮化鎵技術(shù)

          作者: 時(shí)間:2016-02-15 來(lái)源:半導(dǎo)體照明網(wǎng) 收藏

            2月5日,《紐約時(shí)報(bào)》刊登題為《美國(guó)對(duì)中國(guó)芯片雄心的擔(dān)憂與日俱增》的文章,文章中稱(chēng),“中國(guó)正投入巨資打造本國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),這一提升其軍事力量及本土科技產(chǎn)業(yè)的舉動(dòng)引起華盛頓的注意”。而在2016年1月下旬,美國(guó)外商投資委員會(huì)否決了中國(guó)投資者以29億收購(gòu)旗下子公司的照明業(yè)務(wù)的提議,就是美國(guó)政府擔(dān)憂的具體體現(xiàn)。這早已不是第一次中資收購(gòu)國(guó)外科技公司被美國(guó)政府阻擾,從早些年華為試圖收購(gòu)3COM,到去年紫光提出收購(gòu)鎂光被否決,中資在海外收購(gòu)科技公司被行政力量阻撓已經(jīng)屢見(jiàn)不鮮。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201602/286911.htm

            美國(guó)為何阻撓收購(gòu)

            美國(guó)政府要阻止的并非中國(guó)投資人所收購(gòu)的照明業(yè)務(wù)本身,而是要阻止中國(guó)投資人通過(guò)收購(gòu)旗下子公司的照明業(yè)務(wù)后,進(jìn)而掌握第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵的相關(guān)技術(shù)。

            半導(dǎo)體材料發(fā)展至今已歷三代:第一代半導(dǎo)體材料以鍺和硅為代表,被廣泛運(yùn)用于集成電路制造領(lǐng)域;第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵、磷化銦為代表,主要應(yīng)用于以光發(fā)射器件為基礎(chǔ)的光顯示、光通信和光存儲(chǔ)等光電子系統(tǒng);第三代半導(dǎo)體材料則以氮化鎵、碳化硅、金剛石為代表,具有具有寬的帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、高熔點(diǎn)(1700攝氏度)、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)。特別是在傳統(tǒng)材料的功率器件發(fā)展到材料極限,已經(jīng)很難滿(mǎn)足高頻、高溫、高功率、高效能、小型化等方面新需求的情況下,氮化鎵則可憑借其材料特性,在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面取而代之。

            

           

            氮化鎵、碳化硅與硅的性能對(duì)比

            也正是因此,諸多科技公司紛紛致力于氮化鎵功率器件的研發(fā)和生產(chǎn)——2015年1月,富士通和美國(guó)Transphorm在會(huì)津若松量產(chǎn)氮化鎵功率器件;2015年3月,松下和英飛凌達(dá)成共同開(kāi)發(fā)氮化鎵功率器件的協(xié)議;同月,東芝照明技術(shù)公司開(kāi)發(fā)出在電源中應(yīng)用氮化鎵功率元件的鹵素燈泡……國(guó)內(nèi)也有中航微電子、中鎵半導(dǎo)體等公司從事該領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn),上海市政府則投入100億資金用于半導(dǎo)體材料的研發(fā)(不局限于氮化鎵)。

            可以說(shuō),氮化鎵已經(jīng)全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)。那么,“高大上”的第三代半導(dǎo)體材料是怎樣和普普通通的電燈產(chǎn)生交集的呢?

            由于氮化鎵的優(yōu)異材料特性——氮化鎵基比傳統(tǒng)外形更小、功率更高、發(fā)光度更強(qiáng),使其在LED電視、顯示器和普通照明領(lǐng)域獲得大展拳腳的空間,而中國(guó)一旦完成對(duì)旗下子公司Lumileds的控股,則有可能獲得氮化鎵方面的相關(guān)技術(shù)。

            更關(guān)鍵的是,氮化鎵在高頻大功率應(yīng)用方面,其功率密度是現(xiàn)有的砷化鎵材料器件的10倍,不僅可以廣泛運(yùn)用于通信基站、電動(dòng)機(jī)車(chē)、電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)力發(fā)電等民用領(lǐng)域,還可以用于相控陣?yán)走_(dá)等特殊領(lǐng)域。

            因此,無(wú)論是對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,還是在軍事應(yīng)用方面,氮化鎵都有非常重要的意義。美國(guó)政府之所以阻止中國(guó)投資人收購(gòu)飛利浦旗下子公司的照明業(yè)務(wù),既有出于技術(shù)在軍事應(yīng)用和國(guó)家安全方面的考慮,但更多的還是出于打壓中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,保持美國(guó)科技公司技術(shù)優(yōu)勢(shì)方面的考量。

            美國(guó)緣何“擔(dān)憂”

            中國(guó)被一些網(wǎng)友譽(yù)為“發(fā)達(dá)國(guó)家粉碎機(jī)”——任何一個(gè)工業(yè)領(lǐng)域,只要中國(guó)人突破了技術(shù)門(mén)檻,那就基本沒(méi)外國(guó)人什么事了。部分發(fā)達(dá)國(guó)家在失去高附加值的工業(yè)品以剪刀差獲取高額利潤(rùn)后原形畢露,在造血能力大幅萎縮后,又要維持高福利,進(jìn)而產(chǎn)生“老歐洲病”,比如深陷債務(wù)危機(jī)的“歐洲四豬”。

            在去工業(yè)化的浪潮下,美國(guó)本土勞動(dòng)力密境型制造業(yè)大量轉(zhuǎn)移到第三世界國(guó)家,半導(dǎo)體等資本技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)對(duì)美國(guó)的重要性不言而喻。

            近年來(lái),中國(guó)以資金、政策,以及對(duì)外技術(shù)合作、海外收購(gòu)等多種方式扶持本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),不僅在投入上不惜血本,而且在局部領(lǐng)域成果斐然:

            IC設(shè)計(jì)領(lǐng)域

            一方面整合國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)公司——紫光在2013年底以18億美元和9.1億美元分別將國(guó)內(nèi)最大的兩家IC設(shè)計(jì)公司展訊和銳迪科收購(gòu),實(shí)現(xiàn)資源整合。

            另一方面試圖引進(jìn)國(guó)外技術(shù)——在2013年與VIA合資成立兆芯,并由兆芯承接核高基1號(hào)專(zhuān)項(xiàng),給予不少于70億資金;在2014年與IBM合資,獲得資金不少于20億;2016年1月17日,貴州省人民政府與美國(guó)高通公司簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,成立華芯通半導(dǎo)體技術(shù)有限公司,貴州政府出資18.5億占股55%,高通以技術(shù)入股持股45%;2016年1月22日,清華大學(xué)、瀾起科技和英特爾在華建服務(wù)器芯片合資公司……(不過(guò),筆者對(duì)上述合資/合作仍有些擔(dān)心,發(fā)展路線一旦錯(cuò)了很可能南轅北轍)


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