傳三星半導(dǎo)體西安廠第二階段增設(shè)恐延期

　　三星電子(Samsung Electronics)原本預(yù)定2016年要在大陸西安半導(dǎo)體工廠進(jìn)行第二階段的投資，日前傳出這項(xiàng)計(jì)劃目前處于保留狀態(tài)。業(yè)界預(yù)估，2016年將會(huì)進(jìn)入記憶體7年來最糟的供需不平衡情況，加上東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)與英特爾(Intel)等紛紛增設(shè)NAND Flash工廠，也使三星開始擔(dān)心供貨量劇增的惡性競(jìng)爭(zhēng)情況。

　　目前三星電子西安工廠只使用整體腹地(約34萬坪)的5分之1，而且以目前的設(shè)備來說，已經(jīng)到達(dá)最大產(chǎn)能，所以南韓業(yè)界原本認(rèn)為，三星將在2016年內(nèi)對(duì)剩余腹地進(jìn)行第二階段投資。Digital Times日前引述業(yè)界消息，指三星在西安半導(dǎo)體工廠的第二階段投資計(jì)劃恐將延期至2017年以后進(jìn)行。

　　2014年首次啟動(dòng)的西安工廠，是三星3D V-NAND的核心生產(chǎn)基地。相關(guān)人士表示，啟動(dòng)不到2年的西安工廠，如以晶圓投入基準(zhǔn)來看，已逼近每月10萬片水準(zhǔn)，產(chǎn)量大大超過原本預(yù)估的6萬~7萬片水準(zhǔn)。

　　三星之所以不執(zhí)行第二階段投資的理由，很可能與東芝、新帝等大手筆增設(shè)NAND Flash產(chǎn)線有關(guān)。東芝之前和新帝共同投資5,000億日?qǐng)A(約43億美元)設(shè)立3D NAND Flash生產(chǎn)工廠，預(yù)計(jì)2017年將開始正式啟動(dòng)。

　　另外，英特爾和美光(Micron)也投入3D NAND Flash量產(chǎn)，如果連三星也進(jìn)入西安廠第二階段投資，NAND Flash市場(chǎng)恐將陷入無法挽回的供給過剩競(jìng)爭(zhēng)。

　　南韓半導(dǎo)體業(yè)界相關(guān)人士進(jìn)一步解釋，以三星立場(chǎng)來說，擁有最安全量產(chǎn)結(jié)構(gòu)的東芝進(jìn)入并瓜分市場(chǎng)將是最大擔(dān)憂。雖然目前英特爾和美光尚不具有太大危脅，但也有可能蠶食大陸新一代資料中心的市場(chǎng)需求大餅。

　　2016年三星策略是對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備投資減至最低程度，計(jì)劃從2017年開始以新一代DRAM決勝。三星預(yù)估目前處于最糟市況的DRAM，可能將在下半年達(dá)到最低點(diǎn)，2017年之后開始回升，所以在這時(shí)期預(yù)計(jì)只會(huì)啟動(dòng)平澤工廠第一階段計(jì)劃生產(chǎn)最頂尖DRAM。

　　至于在NAND Flash方面，將以提高3D V-NAND的世代以強(qiáng)化高階市場(chǎng)支配力，另外也計(jì)劃強(qiáng)化產(chǎn)品的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。三星內(nèi)部相關(guān)人士表示，雖然無法公布半導(dǎo)體設(shè)備的相關(guān)投資計(jì)劃，但是三星將視市場(chǎng)情勢(shì)變化，靈活運(yùn)用各種對(duì)策因應(yīng)。