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          摩爾定律“壽終正寢” 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展靠什么?

          —— 摩爾定律“壽終正寢” 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展靠石墨烯還是量子計(jì)算?
          作者: 時(shí)間:2016-02-18 來(lái)源:新浪科技 收藏
          編者按:通過新材料、不同的量子效應(yīng),甚至超導(dǎo)等不可思議的新技術(shù),半導(dǎo)體行業(yè)或許能繼續(xù)像以往一樣提高芯片集成度。

            《自然》雜志刊文稱,將于下月發(fā)布的下一份半導(dǎo)體技術(shù)路線圖將采用完全不同的方法。早在2014年,國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖組織已經(jīng)決定,下一份路線圖將不再依照?! ?/p>本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201602/287058.htm

           在“患病多年”后,于51歲“壽終正寢”。

            1965年,英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登-摩爾(Gordon Moore)觀察到,集成電路中的元件集成度每12個(gè)月就能翻番。此外,確保每晶體管價(jià)格最低的單位芯片晶體管數(shù)量每12個(gè)月增長(zhǎng)一倍。1965年,單位芯片50個(gè)晶體管可以帶來(lái)最低的每晶體管成本。摩爾預(yù)計(jì),到1970年,單位芯片可集成1000個(gè)元件,而每晶體管成本則將下降90%。

            在對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行提煉和簡(jiǎn)化之后,這一現(xiàn)象就被稱作“”:?jiǎn)挝恍酒w管數(shù)量每12個(gè)月增長(zhǎng)一倍。

            摩爾的觀察并非基于任何科學(xué)或工程原理。這僅僅反映了行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。然而,在隨后的發(fā)展中,半導(dǎo)體行業(yè)并沒有將摩爾定律當(dāng)作描述性、預(yù)測(cè)性的觀察,而是視為規(guī)定性、確定性的守則。整個(gè)行業(yè)必須實(shí)現(xiàn)摩爾定律預(yù)測(cè)的目標(biāo)。


          計(jì)算設(shè)備體積隨著半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展呈指數(shù)式縮小


            計(jì)算設(shè)備體積隨著半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展呈指數(shù)式縮小

            然而,實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)無(wú)法依靠?jī)e幸。芯片開發(fā)是一個(gè)復(fù)雜過程,需要用到來(lái)自多家公司的機(jī)械、軟件和原材料。為了確保所有廠商根據(jù)摩爾定律制定同樣的時(shí)間表,整個(gè)行業(yè)遵循了共同的技術(shù)發(fā)展路線圖。由英特爾、AMD、臺(tái)積電、GlobalFoundries和IBM等廠商組成的行業(yè)組織半導(dǎo)體協(xié)會(huì)從1992年開始發(fā)布這樣的路線圖。1998年,半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)與全球其他地區(qū)的類似組織合作,成立了“國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖”組織。最近的一份路線圖于2013年發(fā)布。

            摩爾定律提出的預(yù)測(cè)早在很久之前就已出現(xiàn)過問題。1975年,摩爾本人更新了摩爾定律,將半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展周期從12個(gè)月增加至24個(gè)月。在隨后30年中,通過縮小芯片上元件的尺寸,芯片發(fā)展一直遵循著摩爾定律。

            摩爾定律的終結(jié)


          50年來(lái)芯片晶體管和工作頻率的指數(shù)式增長(zhǎng)(注:縱坐標(biāo)為對(duì)數(shù)坐標(biāo))


            50年來(lái)芯片晶體管和工作頻率的指數(shù)式增長(zhǎng)(注:縱坐標(biāo)為對(duì)數(shù)坐標(biāo))

            然而到00年代,很明顯單純依靠縮小尺寸的做法正走到尾聲。不過,通過其他一些技術(shù),芯片的發(fā)展仍然符合摩爾定律的預(yù)測(cè)。在90納米時(shí)代,應(yīng)變硅技術(shù)問世。在45納米時(shí)代,一種能提高晶體管電容的新材料推出。在22納米時(shí)代,三柵極晶體管使芯片性能變得更強(qiáng)大。

            不過,這些新技術(shù)也已走到末路。用于芯片制造的光刻技術(shù)正面臨壓力。目前,14納米芯片在制造時(shí)使用的是193納米波長(zhǎng)光。光的波長(zhǎng)較長(zhǎng)導(dǎo)致制造工藝更復(fù)雜,成本更高。波長(zhǎng)13.5納米的遠(yuǎn)紫外光被認(rèn)為是未來(lái)的希望,但適用于芯片制造的遠(yuǎn)紫外光技術(shù)目前仍需要攻克工程難題。

            即使遠(yuǎn)紫外光技術(shù)得到應(yīng)用,目前也不清楚,芯片集成度能有多大的提高。如果縮小至2納米,那么單個(gè)晶體管將只有10個(gè)原子大小,而如此小的晶體管可靠性很可能存在問題。即使這些問題得到解決,功耗也將繼續(xù)造成困擾。隨著晶體管的連接越來(lái)越緊密,芯片功耗將越來(lái)越大。


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