SK海力士將砸15.5兆韓元建存儲器新工廠

　　日經(jīng)新聞報導(dǎo),SK海力士周一宣布，將砸15.5兆韓元(125億美元)，再蓋一座新存儲器工廠。

　　新廠選址在南韓忠清南道省北部，與原海力士舊廠比鄰。據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo)，海力士已取得25萬平方公尺的土地面積，并與清州市政府簽訂合作備忘錄(MOU)，新廠預(yù)計將在2018年正式動工、2019年投產(chǎn)。

　　新廠確切的產(chǎn)品目前還不清楚，不過海力士某官員暗示應(yīng)該為NAND存儲器，若新廠全部投入生產(chǎn)NAND存儲器，海力士現(xiàn)有NAND存儲器產(chǎn)能將擴增超過兩倍。

　　此外，海力士亦宣布已開始在現(xiàn)有的清州廠量產(chǎn)先進的3D NAND芯片，將于4月初開始出貨。其同業(yè)三星電子在2013年率先完成3D NAND芯片的商用化，而日本東芝公司則計劃在本月開始出貨此類芯片。

　　海力士目前是全球DRAM第二大廠，但若論NAND芯片，海力士只排第五，落后三星、東芝、SanDisk與美光。由于英特爾現(xiàn)正積極重返存儲器市場，且目標(biāo)也是鎖定NAND芯片，預(yù)料未來競爭將更為激烈。