SEMI：3D NAND、10nm與DRAM將成晶圓廠設(shè)備支出動(dòng)能

　　SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))公布最新“SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)”(SEMIWorldFabForecast)報(bào)告，2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出預(yù)期將增加3.7%，達(dá)372億美元，而2017年則將再成長(zhǎng)13%，達(dá)421億美元。另方面，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%。

　　SEMI公布最新“SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)”報(bào)告，2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出預(yù)期將增加3.7%，

　　SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)，不僅詳列整個(gè)產(chǎn)業(yè)的晶圓廠相關(guān)支出，范圍還擴(kuò)及2017年底前之市場(chǎng)展望。2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲(chǔ)備動(dòng)能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成長(zhǎng)率(見表1)。

　　2011年至2017年晶圓廠設(shè)備支出

　　對(duì)成長(zhǎng)貢獻(xiàn)最大的類別，包括晶圓代工、3DNAND晶圓廠，以及準(zhǔn)備在2017年拉升10奈米制程產(chǎn)能的業(yè)者。專業(yè)晶圓代工廠仍然是最大支出來源。而2015年支出從107億美元略為下滑至98億美元(較前一年減少8%)，惟2016年可望增加5%，2017年成長(zhǎng)率更將接近10%。

　　DRAM支出緊追在晶圓代工之后，排行第二。2015年DRAM支出表現(xiàn)強(qiáng)勁，但2016年可望趨緩，下滑23%，到2017年將恢復(fù)上揚(yáng)趨勢(shì)，成長(zhǎng)率上看10%。

　　就支出成長(zhǎng)率來看，最大成長(zhǎng)動(dòng)力來自3DNAND(包括3DXPoint)。2014年支出為18億美元，到2015年倍增至36億美元，成長(zhǎng)幅度高達(dá)101%。2016年支出將再增加50%，上揚(yáng)56億美元以上。

　　設(shè)備支出增加因受6家業(yè)者帶動(dòng)之下，其支出的排名皆于全球前十名之列。這6家公司均宣布計(jì)畫于2016年增加資本支出，但預(yù)料最大支出企業(yè)三星的資本支出將會(huì)低于2015年。

　　帶動(dòng)2017年設(shè)備支出成長(zhǎng)的，還有24處在2015年或今年開始動(dòng)工的廠房(不含研發(fā)設(shè)施)。這些廠房位于全球各地，由中國(guó)囊括其中8座。

　　近來半導(dǎo)體業(yè)在并購(gòu)方面屢屢締造新紀(jì)綠，2016年可望有更多交易案浮上臺(tái)面。2015年半導(dǎo)體設(shè)備支出整體成長(zhǎng)持平，2016年亦將維持緩慢成長(zhǎng)，證明市場(chǎng)已趨于成熟。新的技術(shù)、制程與新型記憶體元件，將在2017年帶動(dòng)支出成長(zhǎng)。