SEMI：3D NAND、10nm與DRAM將成晶圓廠設(shè)備支出動能

　　SEMI(國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會)公布最新“SEMI全球晶圓廠預(yù)測”(SEMIWorldFabForecast)報告，2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出預(yù)期將增加3.7%，達372億美元，而2017年則將再成長13%，達421億美元。另方面，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%。

　　SEMI公布最新“SEMI全球晶圓廠預(yù)測”報告，2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出預(yù)期將增加3.7%，

　　SEMI全球晶圓廠預(yù)測，不僅詳列整個產(chǎn)業(yè)的晶圓廠相關(guān)支出，范圍還擴及2017年底前之市場展望。2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲備動能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成長率(見表1)。

　　2011年至2017年晶圓廠設(shè)備支出

　　對成長貢獻最大的類別，包括晶圓代工、3DNAND晶圓廠，以及準(zhǔn)備在2017年拉升10奈米制程產(chǎn)能的業(yè)者。專業(yè)晶圓代工廠仍然是最大支出來源。而2015年支出從107億美元略為下滑至98億美元(較前一年減少8%)，惟2016年可望增加5%，2017年成長率更將接近10%。

　　DRAM支出緊追在晶圓代工之后，排行第二。2015年DRAM支出表現(xiàn)強勁，但2016年可望趨緩，下滑23%，到2017年將恢復(fù)上揚趨勢，成長率上看10%。

　　就支出成長率來看，最大成長動力來自3DNAND(包括3DXPoint)。2014年支出為18億美元，到2015年倍增至36億美元，成長幅度高達101%。2016年支出將再增加50%，上揚56億美元以上。

　　設(shè)備支出增加因受6家業(yè)者帶動之下，其支出的排名皆于全球前十名之列。這6家公司均宣布計畫于2016年增加資本支出，但預(yù)料最大支出企業(yè)三星的資本支出將會低于2015年。

　　帶動2017年設(shè)備支出成長的，還有24處在2015年或今年開始動工的廠房(不含研發(fā)設(shè)施)。這些廠房位于全球各地，由中國囊括其中8座。

　　近來半導(dǎo)體業(yè)在并購方面屢屢締造新紀(jì)綠，2016年可望有更多交易案浮上臺面。2015年半導(dǎo)體設(shè)備支出整體成長持平，2016年亦將維持緩慢成長，證明市場已趨于成熟。新的技術(shù)、制程與新型記憶體元件，將在2017年帶動支出成長。