中芯國(guó)際進(jìn)軍RRAM存儲(chǔ) 蠶食三星40nm產(chǎn)能

　　近日，中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)中芯國(guó)際(SMIC)，與阻變式存儲(chǔ)器(RRAM)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者Crossbar，共同宣布雙方就非易失性RRAM開(kāi)發(fā)與制造達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議。

　　作為雙方合作的一部分，中芯國(guó)際與Crossbar已簽訂一份代工協(xié)議，基于中芯國(guó)際40納米CMOS制造工藝，提供阻變式存儲(chǔ)器組件。這將幫助客戶(hù)將低延時(shí)、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲(chǔ)器組件整合入MCU及SoC等器件，以應(yīng)對(duì)物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、平板電腦、消費(fèi)電子、工業(yè)及汽車(chē)電子市場(chǎng)需求。

　　中芯國(guó)際曾發(fā)展過(guò)130nm到65nm制程的NOR閃存，2014年自主研發(fā)的38nm制程取得突破，繼而轉(zhuǎn)向更加先進(jìn)的NAND閃存，將使用40nm工藝代工PRAM阻變式存儲(chǔ)器芯片，意味著中芯國(guó)際已經(jīng)進(jìn)入了下一代內(nèi)存產(chǎn)業(yè)。

　　RRAM元件能夠集成到標(biāo)準(zhǔn)的CMOS邏輯工藝當(dāng)中，在標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶圓的兩條金屬線之間。這將促成高度集成的非易失性存儲(chǔ)器解決方案的實(shí)現(xiàn)，將片上非易失性存儲(chǔ)器、處理器核、模擬及射頻集成在一個(gè)單獨(dú)的芯片上。

　　高度集成的MCU及SoC設(shè)計(jì)廠商需要非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，Crossbar的RRAM CMOS兼容性及對(duì)更小工藝尺寸的可擴(kuò)展性使非易失性存儲(chǔ)器組件在更低工藝節(jié)點(diǎn)的MCU和SoC中集成成為可能。

　　中芯國(guó)際能夠幫助Crossbar攤薄芯片成本，縮短入市時(shí)間。

　　目前，中國(guó)半導(dǎo)體政策目前主攻存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，2015年以來(lái)也透過(guò)不斷并購(gòu)相關(guān)供應(yīng)鏈來(lái)加快成長(zhǎng)腳步，晶圓產(chǎn)能擴(kuò)充積極。中國(guó)半導(dǎo)體政策持續(xù)帶給三星存儲(chǔ)器部門(mén)一定的競(jìng)爭(zhēng)壓力，勢(shì)必分散三星在晶圓代工產(chǎn)業(yè)的專(zhuān)注度。