華虹半導體90納米嵌入式閃存工藝平臺成功量產

　　全球領先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司3月6日宣布公司90納米嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺已成功實現(xiàn)量產，基于該平臺制造的芯片以其尺寸小、功耗低、性能高的特點，具有很強的市場競爭優(yōu)勢。

　　華虹半導體自主研發(fā)的90納米低功耗(LP)嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺，是國內最先進的200mm晶圓嵌入式存儲器技術，可與標準邏輯工藝完全兼容;在確保高性能和高可靠性的基礎上，提供了極小面積的低功耗Flash IP;具有極高集成度的基本單元庫，與0.11微米eFlash工藝相比，門密度提升30%以上?；谶@些優(yōu)點，華虹半導體90納米eFlash工藝的芯片面積較0.11微米eFlash工藝平臺，減小30%以上，再加上較低的光罩成本優(yōu)勢，能夠為SIM卡、Ukey、SWP、社?？?、交通卡等智能卡和安全芯片產品以及MCU產品提供極佳性價比的芯片制造技術解決方案。

　　華虹半導體嵌入式非易失性存儲器平臺是公司最重要的戰(zhàn)略工藝平臺之一，從0.35微米、0.18微米、0.11微米，到現(xiàn)在的90納米，一路走來，始終保持著業(yè)界領先地位，穩(wěn)定可靠的工藝平臺為多家客戶提供了優(yōu)質產品，受到客戶廣泛認可。同時，公司通過持續(xù)在該技術領域的深耕發(fā)展，已成為智能卡IC生產領域的技術領導者、全球最大的智能卡IC代工者。

　　華虹半導體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示，華虹半導體是嵌入式非易失性存儲器制造工藝技術方面的專家，能夠在相對更小的芯片上發(fā)揮卓越性能。相信90納米eFlash工藝的成功量產將推動新一代應用的快速發(fā)展。公司將通過進一步縮小Flash基本存儲單元、提升基本單元庫的集成度、并減少光罩層數(shù)，持續(xù)追求具有更小芯片和更低成本的解決方案，繼續(xù)成為智能卡及微控制器等多種快速發(fā)展的嵌入式非易失性存儲器應用的首選半導體代工公司。