中國在存儲(chǔ)器長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展方向仍然面臨巨大鴻溝

　　中國正急于建立自己的記憶體業(yè)務(wù)，這一點(diǎn)當(dāng)然毋庸置疑。不過到底要如何以及何時(shí)才能實(shí)現(xiàn)這一愿景卻仍舊是個(gè)跡，日本的幾位半導(dǎo)體行業(yè)知情人士在接受采訪時(shí)指出。

　　中國國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金擁有雄厚的財(cái)力，而這筆由地方政府主導(dǎo)的經(jīng)濟(jì)資源將被用于幫助中國的“記憶體夢(mèng)”一步步成為現(xiàn)實(shí)。

　　不過拋開主觀愿望，中國要想真正建立屬于自己的記憶體產(chǎn)業(yè)，還需要可靠的知識(shí)產(chǎn)權(quán)來源與工程技術(shù)人才。

　　中國代工廠商XMC于上周在武漢正式著手興建一座新的晶圓工廠，旨在制造3D NAND閃存記憶體。整個(gè)建設(shè)計(jì)劃預(yù)計(jì)耗資240億美元，資金來源則包括集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金以及中國發(fā)展投資基金等多個(gè)財(cái)團(tuán)，XMC方面指出。

　　一位日本半導(dǎo)體設(shè)備專家表示，這筆交付XMC的投資“極其巨大”。他同時(shí)語帶諷刺地指出：“這意味著項(xiàng)目必須得取得成功?！辈贿^在被問及XMC將使用哪家企業(yè)的3D NAND閃存技術(shù)時(shí)，他的回答是“他們說使用的是自有IP。不過我對(duì)此并不了解?！?/p>

　　三星對(duì)東芝

　　IHS技術(shù)公司半導(dǎo)體價(jià)值鏈主管Akira Minamikawa也表達(dá)了類似的謹(jǐn)慎態(tài)度。說起XMC的3D NAND閃存制造起步工作，他認(rèn)為“非常艱難”。以三星為例，他指出盡管三星公司在其3D NAND閃存項(xiàng)目當(dāng)中投入了大量資源，但仍然耗費(fèi)相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間才構(gòu)建完成。

　　東芝公司據(jù)稱同樣飽受3D NAND閃存開發(fā)難題的困擾。Minamikawa發(fā)現(xiàn)東芝公司的3D NAND閃存記憶體進(jìn)程較三星方面“至少延后了一年時(shí)間”?！罢\然，東芝公司表示其3D NAND已經(jīng)開始發(fā)布樣品。但一般來講，樣品制造與批量生產(chǎn)之間仍然有著很大距離?！?/p>

　　可以肯定的是，XMC也將面臨著同樣的挑戰(zhàn)——事實(shí)證明，3D NAND閃存技術(shù)的發(fā)展成熟以及制作當(dāng)中所必需的精密工藝技術(shù)都需要長(zhǎng)時(shí)間打磨方可實(shí)現(xiàn)?！爱?dāng)然，整個(gè)過程至少需要三到四年，”Minmikawa表示，“甚至更久。”

　　而更令各位專家費(fèi)解的是，XMC是否真的擁有自己的3D NAND閃存知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

　　一種可能的解釋來自Spansion公司一年前發(fā)布的聲明(此后該公司被Cypress所收購)。Spansion方面表示，其將與XMC合作開發(fā)3D NAND技術(shù)。

　　不過問題在于，Spansion的閃存記憶體開發(fā)工作并非主要指出NAND，而是NOR閃存，Takashi Yunokami在采訪中解釋稱。

　　Yunogami是一位工程師出身的顧問，并出版過多部關(guān)于日本半導(dǎo)體行業(yè)的論著。在日立公司效力期間，他專門負(fù)責(zé)干蝕刻技術(shù)的開發(fā)。

　　總而言之，沒人見到過Spansion的3D NAND親戚，Yunogami解釋道。這意味著XMC與Spansion——或者說現(xiàn)在的Cypress——的合作成果始終難以捉摸。

　　迎頭趕上不過在接受《電子工程時(shí)報(bào)》采訪時(shí)，武漢XMC公司給出了完全不同的3D NAND閃存技術(shù)發(fā)展綱要。XMC公司的一位發(fā)言人通過電子郵件對(duì)采訪做出了答復(fù)：

　　XMC公司于2014年開始推進(jìn)3D NAND項(xiàng)目。在此之后，XMC與Spansion(現(xiàn)已被Cypress收購)則共同簽訂了面向3D NAND閃存研發(fā)工作的合作協(xié)議及交叉授權(quán)許可，意味著雙方將共享相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

　　XMC方面宣稱，該公司于2015年5月“在3D NAND項(xiàng)目上取得了重大進(jìn)展”，當(dāng)時(shí)該公司的第一款測(cè)試芯片“通過電氣驗(yàn)證”。這位發(fā)言人同時(shí)補(bǔ)充稱，“從那時(shí)開始，XMC不斷在記憶體單元性能與可靠性優(yōu)化方面取得改進(jìn)?！?/p>

　　XMC公司深諳3D NAND市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)格局。在去年11月召開的集成電路行業(yè)促進(jìn)大會(huì)上，XMC公司首席運(yùn)營(yíng)官洪沨在演講中指出，NAND閃存技術(shù)“為XMC提供了千載難逢的發(fā)展機(jī)會(huì)?！彼瑫r(shí)補(bǔ)充稱，“三星主導(dǎo)3D NAND開發(fā)市場(chǎng)不過兩年左右。立足于當(dāng)下，我們?nèi)匀缓苡锌赡苡^趕上并躋身一線集團(tuán)。”

　　另外還有與Spansion的合作關(guān)系。盡管已經(jīng)被Cypress公司所收購，但XMC堅(jiān)信“雙方的合作關(guān)系并未受到影響。”

　　回顧Spansion與XMC在去年2月發(fā)布的聲明，時(shí)任Spansion公司戰(zhàn)略聯(lián)盟高級(jí)副總裁的Ali Pourkeramati指出：

　　3D NAND將徹底轉(zhuǎn)變未來數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)效率。我們擁有領(lǐng)先的MirrorBit技術(shù)，這是我們過去十年以來的努力結(jié)晶，而其將成為3D NAND創(chuàng)新工作中的核心優(yōu)勢(shì)并帶來無可匹敵的高性能數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案。

　　IHS公司的Minamikawa表示，日本各半導(dǎo)體企業(yè)都曾經(jīng)沖擊過NAND這一技術(shù)難題，不過具體時(shí)間點(diǎn)大概是在十年前。部分日本工程師對(duì)于NAND非常精通——然而，他們所開發(fā)了的NAND技術(shù)與如今的3D NAND閃存可謂截然不同，他坦言。

　　這就帶來了新的問題，XMC能否吸引到充足且經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師，以肩負(fù)起中國發(fā)展自有3D NAND的野心?這恐怕正是瓶頸所在，Minamikawa表示。

　　同樣的，中國在制程技術(shù)層面同樣缺乏人才儲(chǔ)備，Yunogami立足于客觀評(píng)論道，“就個(gè)人而言，我認(rèn)為這會(huì)令XMC相當(dāng)被動(dòng)?！?/p>

　　投資思路毫無問題

　　不過考慮到大數(shù)據(jù)時(shí)代下對(duì)記憶體資源的迫切需求，Yunogami認(rèn)為中國建立自己的記憶體業(yè)務(wù)是非常明智的。

　　為了證明實(shí)際經(jīng)濟(jì)效應(yīng)，Sanford C. Bernstein公司研究人員預(yù)測(cè)稱，中國2013年用于采購芯片的開銷甚至高于石油進(jìn)口總額。

　　XMC公司CEO楊士寧在去年11月于中國召開的記憶體與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)峰會(huì)上做出了主題演講。

　　當(dāng)時(shí)，楊士寧總結(jié)稱“記憶體開發(fā)工作將成為一場(chǎng)‘不可避免的戰(zhàn)斗’，特別是考慮到中國需要爭(zhēng)取在集成電路產(chǎn)業(yè)與國內(nèi)供應(yīng)能力領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速突破?！?/p>

　　與CPU業(yè)務(wù)進(jìn)行比較——其需要“一套相當(dāng)復(fù)雜的生態(tài)系統(tǒng)”，楊士寧指出，“記憶體技術(shù)同樣很難實(shí)現(xiàn)突破，但只要能夠解決瓶頸并維持產(chǎn)量，所能產(chǎn)出的總存儲(chǔ)容量將快速提升?！?/p>

　　楊士寧就XMC的此次積極投資提出了三點(diǎn)理由。

　　目前全世界記憶體市場(chǎng)需求的55%來自中國。只要產(chǎn)品質(zhì)量過硬，產(chǎn)品將能夠順利吸引到國內(nèi)企業(yè)客戶的注意。第二，記憶體開發(fā)工作需要由政府出資并提供政策扶持。第三，好的項(xiàng)目能夠吸引大量技術(shù)人才進(jìn)入中國。

　　其它響應(yīng)中國記憶體產(chǎn)品號(hào)召的供應(yīng)商還包括三星，其3D V-NAND閃存記憶體芯片工廠已經(jīng)于西安建成并投入使用;還有英特爾，其于去年10月宣布將升級(jí)位于大連的300毫米邏輯芯片工廠以用于生產(chǎn)3D NAND。

　　Sino King迅速跟進(jìn)

　　來自臺(tái)灣的Sino King Technology(由Elpida公司前任CEO Yukio Sakamoto執(zhí)掌)公司亦在積極追隨中國的記憶體發(fā)展野心與集成電路行業(yè)投資基金帶來的巨款。

　　日本經(jīng)濟(jì)報(bào)刊《Nikkei》于2月底報(bào)道稱，Sino King正計(jì)劃成為“中國在合肥投資8000億日元(折合70億美元)所建立的新項(xiàng)目中的一部分”，旨在面向物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備開發(fā)低功耗DRAM。

　　但隨后官方發(fā)布聲明，稱中國并沒有最終拍板這一項(xiàng)目規(guī)劃。

　　日本記憶體技術(shù)觀察家們則猜測(cè)，Sakamoto可能是在等待官方意見的過程中心情過分急切，而他泄露出消息則是為了向中方施壓。

　　《Nikkei》同時(shí)報(bào)道稱，Sino King公司計(jì)劃“最早到2017年下半年實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)能力?！?/p>

　　Making Yunogami對(duì)Sino King的計(jì)劃表示懷疑，該公司宣稱“將從日本、臺(tái)灣及中國招聘約1000名設(shè)計(jì)與生產(chǎn)技術(shù)工程師?！?/p>

　　Sino King公司在最初建立起只擁有10名來自日本與臺(tái)灣的工程師。誠然，Sakamoto可以動(dòng)用自己的關(guān)系吸引更多日本工程師，但建立“1000名工程師”的作法在記憶體技術(shù)領(lǐng)域“幾乎不可能”，Yunogami表示。

　　但原本曾任職于Renesas的工程師是否有可能批量加入呢?恐怕不行，Yunogami指出?！斑@批工程師中大部分已經(jīng)投奔東芝，并繼續(xù)從事3D NAND閃存開發(fā)工作。”