<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 嵌入式系統(tǒng) > 市場分析 > 中國在存儲器長遠(yuǎn)發(fā)展方向仍然面臨巨大鴻溝

          中國在存儲器長遠(yuǎn)發(fā)展方向仍然面臨巨大鴻溝

          作者: 時間:2016-04-12 來源:至頂網(wǎng) 收藏

            中國正急于建立自己的記憶體業(yè)務(wù),這一點當(dāng)然毋庸置疑。不過到底要如何以及何時才能實現(xiàn)這一愿景卻仍舊是個跡,日本的幾位半導(dǎo)體行業(yè)知情人士在接受采訪時指出。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201604/289506.htm

            中國國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金擁有雄厚的財力,而這筆由地方政府主導(dǎo)的經(jīng)濟(jì)資源將被用于幫助中國的“記憶體夢”一步步成為現(xiàn)實。

            不過拋開主觀愿望,中國要想真正建立屬于自己的記憶體產(chǎn)業(yè),還需要可靠的知識產(chǎn)權(quán)來源與工程技術(shù)人才。

            中國代工廠商XMC于上周在武漢正式著手興建一座新的晶圓工廠,旨在制造3D NAND閃存記憶體。整個建設(shè)計劃預(yù)計耗資240億美元,資金來源則包括集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金以及中國發(fā)展投資基金等多個財團(tuán),XMC方面指出。

            一位日本半導(dǎo)體設(shè)備專家表示,這筆交付XMC的投資“極其巨大”。他同時語帶諷刺地指出:“這意味著項目必須得取得成功?!辈贿^在被問及XMC將使用哪家企業(yè)的3D NAND閃存技術(shù)時,他的回答是“他們說使用的是自有IP。不過我對此并不了解?!?/p>

            三星對東芝

            IHS技術(shù)公司半導(dǎo)體價值鏈主管Akira Minamikawa也表達(dá)了類似的謹(jǐn)慎態(tài)度。說起XMC的3D NAND閃存制造起步工作,他認(rèn)為“非常艱難”。以三星為例,他指出盡管三星公司在其3D NAND閃存項目當(dāng)中投入了大量資源,但仍然耗費相當(dāng)長的時間才構(gòu)建完成。

            東芝公司據(jù)稱同樣飽受3D NAND閃存開發(fā)難題的困擾。Minamikawa發(fā)現(xiàn)東芝公司的3D NAND閃存記憶體進(jìn)程較三星方面“至少延后了一年時間”?!罢\然,東芝公司表示其3D NAND已經(jīng)開始發(fā)布樣品。但一般來講,樣品制造與批量生產(chǎn)之間仍然有著很大距離?!?/p>

            可以肯定的是,XMC也將面臨著同樣的挑戰(zhàn)——事實證明,3D NAND閃存技術(shù)的發(fā)展成熟以及制作當(dāng)中所必需的精密工藝技術(shù)都需要長時間打磨方可實現(xiàn)。“當(dāng)然,整個過程至少需要三到四年,”Minmikawa表示,“甚至更久?!?/p>

            而更令各位專家費解的是,XMC是否真的擁有自己的3D NAND閃存知識產(chǎn)權(quán)。

            一種可能的解釋來自Spansion公司一年前發(fā)布的聲明(此后該公司被Cypress所收購)。Spansion方面表示,其將與XMC合作開發(fā)3D NAND技術(shù)。

            不過問題在于,Spansion的閃存記憶體開發(fā)工作并非主要指出NAND,而是NOR閃存,Takashi Yunokami在采訪中解釋稱。

            Yunogami是一位工程師出身的顧問,并出版過多部關(guān)于日本半導(dǎo)體行業(yè)的論著。在日立公司效力期間,他專門負(fù)責(zé)干蝕刻技術(shù)的開發(fā)。

            總而言之,沒人見到過Spansion的3D NAND親戚,Yunogami解釋道。這意味著XMC與Spansion——或者說現(xiàn)在的Cypress——的合作成果始終難以捉摸。

            迎頭趕上不過在接受《電子工程時報》采訪時,武漢XMC公司給出了完全不同的3D NAND閃存技術(shù)發(fā)展綱要。XMC公司的一位發(fā)言人通過電子郵件對采訪做出了答復(fù):

            XMC公司于2014年開始推進(jìn)3D NAND項目。在此之后,XMC與Spansion(現(xiàn)已被Cypress收購)則共同簽訂了面向3D NAND閃存研發(fā)工作的合作協(xié)議及交叉授權(quán)許可,意味著雙方將共享相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)。

            XMC方面宣稱,該公司于2015年5月“在3D NAND項目上取得了重大進(jìn)展”,當(dāng)時該公司的第一款測試芯片“通過電氣驗證”。這位發(fā)言人同時補(bǔ)充稱,“從那時開始,XMC不斷在記憶體單元性能與可靠性優(yōu)化方面取得改進(jìn)?!?/p>

            XMC公司深諳3D NAND市場上的競爭格局。在去年11月召開的集成電路行業(yè)促進(jìn)大會上,XMC公司首席運營官洪沨在演講中指出,NAND閃存技術(shù)“為XMC提供了千載難逢的發(fā)展機(jī)會?!彼瑫r補(bǔ)充稱,“三星主導(dǎo)3D NAND開發(fā)市場不過兩年左右。立足于當(dāng)下,我們?nèi)匀缓苡锌赡苡^趕上并躋身一線集團(tuán)?!?/p>

            另外還有與Spansion的合作關(guān)系。盡管已經(jīng)被Cypress公司所收購,但XMC堅信“雙方的合作關(guān)系并未受到影響?!?/p>

            回顧Spansion與XMC在去年2月發(fā)布的聲明,時任Spansion公司戰(zhàn)略聯(lián)盟高級副總裁的Ali Pourkeramati指出:

            3D NAND將徹底轉(zhuǎn)變未來數(shù)據(jù)的存儲效率。我們擁有領(lǐng)先的MirrorBit技術(shù),這是我們過去十年以來的努力結(jié)晶,而其將成為3D NAND創(chuàng)新工作中的核心優(yōu)勢并帶來無可匹敵的高性能數(shù)據(jù)存儲方案。

            IHS公司的Minamikawa表示,日本各半導(dǎo)體企業(yè)都曾經(jīng)沖擊過NAND這一技術(shù)難題,不過具體時間點大概是在十年前。部分日本工程師對于NAND非常精通——然而,他們所開發(fā)了的NAND技術(shù)與如今的3D NAND閃存可謂截然不同,他坦言。

            這就帶來了新的問題,XMC能否吸引到充足且經(jīng)驗豐富的工程師,以肩負(fù)起中國發(fā)展自有3D NAND的野心?這恐怕正是瓶頸所在,Minamikawa表示。

            同樣的,中國在制程技術(shù)層面同樣缺乏人才儲備,Yunogami立足于客觀評論道,“就個人而言,我認(rèn)為這會令XMC相當(dāng)被動?!?/p>

            投資思路毫無問題

            不過考慮到大數(shù)據(jù)時代下對記憶體資源的迫切需求,Yunogami認(rèn)為中國建立自己的記憶體業(yè)務(wù)是非常明智的。

            為了證明實際經(jīng)濟(jì)效應(yīng),Sanford C. Bernstein公司研究人員預(yù)測稱,中國2013年用于采購芯片的開銷甚至高于石油進(jìn)口總額。

            XMC公司CEO楊士寧在去年11月于中國召開的記憶體與數(shù)據(jù)存儲技術(shù)峰會上做出了主題演講。

            當(dāng)時,楊士寧總結(jié)稱“記憶體開發(fā)工作將成為一場‘不可避免的戰(zhàn)斗’,特別是考慮到中國需要爭取在集成電路產(chǎn)業(yè)與國內(nèi)供應(yīng)能力領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速突破。”

            與CPU業(yè)務(wù)進(jìn)行比較——其需要“一套相當(dāng)復(fù)雜的生態(tài)系統(tǒng)”,楊士寧指出,“記憶體技術(shù)同樣很難實現(xiàn)突破,但只要能夠解決瓶頸并維持產(chǎn)量,所能產(chǎn)出的總存儲容量將快速提升?!?/p>

            楊士寧就XMC的此次積極投資提出了三點理由。

            目前全世界記憶體市場需求的55%來自中國。只要產(chǎn)品質(zhì)量過硬,產(chǎn)品將能夠順利吸引到國內(nèi)企業(yè)客戶的注意。第二,記憶體開發(fā)工作需要由政府出資并提供政策扶持。第三,好的項目能夠吸引大量技術(shù)人才進(jìn)入中國。

            其它響應(yīng)中國記憶體產(chǎn)品號召的供應(yīng)商還包括三星,其3D V-NAND閃存記憶體芯片工廠已經(jīng)于西安建成并投入使用;還有英特爾,其于去年10月宣布將升級位于大連的300毫米邏輯芯片工廠以用于生產(chǎn)3D NAND。

            Sino King迅速跟進(jìn)

            來自臺灣的Sino King Technology(由Elpida公司前任CEO Yukio Sakamoto執(zhí)掌)公司亦在積極追隨中國的記憶體發(fā)展野心與集成電路行業(yè)投資基金帶來的巨款。

            日本經(jīng)濟(jì)報刊《Nikkei》于2月底報道稱,Sino King正計劃成為“中國在合肥投資8000億日元(折合70億美元)所建立的新項目中的一部分”,旨在面向物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備開發(fā)低功耗DRAM。

            但隨后官方發(fā)布聲明,稱中國并沒有最終拍板這一項目規(guī)劃。

            日本記憶體技術(shù)觀察家們則猜測,Sakamoto可能是在等待官方意見的過程中心情過分急切,而他泄露出消息則是為了向中方施壓。

            《Nikkei》同時報道稱,Sino King公司計劃“最早到2017年下半年實現(xiàn)批量生產(chǎn)能力?!?/p>

            Making Yunogami對Sino King的計劃表示懷疑,該公司宣稱“將從日本、臺灣及中國招聘約1000名設(shè)計與生產(chǎn)技術(shù)工程師?!?/p>

            Sino King公司在最初建立起只擁有10名來自日本與臺灣的工程師。誠然,Sakamoto可以動用自己的關(guān)系吸引更多日本工程師,但建立“1000名工程師”的作法在記憶體技術(shù)領(lǐng)域“幾乎不可能”,Yunogami表示。

            但原本曾任職于Renesas的工程師是否有可能批量加入呢?恐怕不行,Yunogami指出?!斑@批工程師中大部分已經(jīng)投奔東芝,并繼續(xù)從事3D NAND閃存開發(fā)工作?!?/p>



          關(guān)鍵詞: 存儲器

          評論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();