三星揭露晶圓代工技術(shù)藍(lán)圖

　　三星半導(dǎo)體(Samsung Semiconductor Inc. ，SSI)的高層透露了該公司晶圓代工廠技術(shù)藍(lán)圖細(xì)節(jié)，包括將擴(kuò)展其FD-SOI產(chǎn)能，以及提供現(xiàn)有FinFET制程的低成本替代方案。

　　而 其中最受矚目的就是三星將開發(fā)低成本14奈米FinFET制程(14奈米LPC)，該公司已經(jīng)出貨了超過50萬片的14奈米制程晶圓，并將該制程的應(yīng)用擴(kuò) 展到網(wǎng)路/伺服器以及汽車等領(lǐng)域，但三星的晶圓代工業(yè)務(wù)行銷資深總監(jiān)Kelvin Low表示，他預(yù)期下一代應(yīng)用將可擴(kuò)展至需求較低成本的項(xiàng)目。

　　“總是會(huì)有一些關(guān)于成本與性能權(quán)衡的疑慮，”Low接受EE Times美國(guó)版編輯訪問時(shí)表示：“LPC與LPP (14奈米)有同樣的PDK，而制程步驟已經(jīng)減少…這讓我們能達(dá)到較低的制造成本，而且我們決定將之與我們的客戶分享。”

　　三 星也將在今年提供14 LPC的RF附加技術(shù);Low并未說明那些制程步驟被減少，也未提及14奈米LPP (即Low-Power Plus，為三星第二代14奈米FinFET制程技術(shù))與LPC之間的成本差異到底有多少，僅表示較低成本的制程技術(shù)選項(xiàng)將能在今年某個(gè)時(shí)間提供。

　　Low 補(bǔ)充指出，三星將發(fā)表10奈米LPP制程技術(shù)，在性能上會(huì)比第一代的10奈米LPE (Low-Power Early)制程提升10%;而雖然三星的晶圓代工事業(yè)部門已經(jīng)開始研發(fā)7奈米LPP節(jié)點(diǎn)，并號(hào)稱在功耗、性能與面積(PPA)的微縮上具競(jìng)爭(zhēng)力，但 Low表示在10奈米節(jié)點(diǎn)與7奈米節(jié)點(diǎn)之間會(huì)有一些模糊地帶。

　　“我們認(rèn)為10奈米節(jié)點(diǎn)的壽命會(huì)比其他晶圓代工廠所聲稱的更長(zhǎng)，而我們認(rèn)為7奈米節(jié)點(diǎn)必須要以大量生產(chǎn)為目標(biāo)進(jìn)行定義與最佳化，不只是鎖定高利潤(rùn)的產(chǎn)品;”Low表示：“EUV微影技術(shù)會(huì)是讓7奈米節(jié)點(diǎn)技術(shù)達(dá)到可負(fù)擔(dān)之成本的重要關(guān)鍵。”

　　據(jù)了解，三星最近已經(jīng)向一組客戶簡(jiǎn)報(bào)其EUV技術(shù)現(xiàn)況，但細(xì)節(jié)不便對(duì)媒體透露;Low表示，該公司已經(jīng)有一些樣本產(chǎn)出，但還不到可以宣布7奈米制程EUV技術(shù)可行的地步。

　　在 現(xiàn)有技術(shù)方面，三星正在提升8寸晶圓技術(shù)的產(chǎn)能，從180奈米到65奈米節(jié)點(diǎn);8寸晶圓技術(shù)將涵蓋嵌入式快閃記憶體(eFlash)、功率元件、影像感測(cè) 器，以及高電壓制程的生產(chǎn)。“我們持續(xù)收到客戶對(duì)8寸晶圓技術(shù)產(chǎn)能的需求，”Low表示：“我想目前在某些特定區(qū)域仍供不應(yīng)求，而且相關(guān)需求越來越顯 著。”

　　三星也將在現(xiàn)有的28奈米FD-SOI基礎(chǔ)上，于2017、2018年添加RF與嵌入式非揮發(fā)性記憶體(NVM)技術(shù);該公司將更 聚焦于先進(jìn)制程技術(shù)，而非出貨量已經(jīng)下滑的智慧型手機(jī)相關(guān)技術(shù)。Low表示：“重要的是有很多新應(yīng)用出現(xiàn)，都是非常令人興奮的東西;”他指出，如汽車應(yīng)用 市場(chǎng)對(duì)該公司就是不少可期待的商機(jī)。

　　為了克服先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的挑戰(zhàn)，Low表示三星正積極與客戶進(jìn)行更深一層、更早期的合作;該公司也會(huì)對(duì)客戶開放其設(shè)計(jì)流程以及設(shè)計(jì)方法，以加速產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)程。