【基礎(chǔ)知識(shí)】高效率浪涌保護(hù)

　　本文中我們集中探討美國(guó)國(guó)防部接口標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-1275，該標(biāo)準(zhǔn)與 28V DC 軍用車輛電源有關(guān)，還有其他一些類似的國(guó)家級(jí)規(guī)范，例如英國(guó)的 DEFSTAN 61-5 Part 6。飛機(jī)有自己的標(biāo)準(zhǔn)，例如，DO-160 面向民用飛機(jī)，MIL-STD-704 面向軍用飛機(jī)。雖然特定的脈沖特性發(fā)生了變化，但它們?cè)诟拍钌隙际欠浅Ｏ嗨频?，因此適用于同樣的原理。

　　針對(duì)電壓浪涌、尖峰和紋波提供保護(hù)

　　電壓尖峰的特點(diǎn)是持續(xù)數(shù)十微妙及高達(dá)幾百伏的電壓，由雷擊或負(fù)載階躍的感應(yīng)耦合產(chǎn)生。目前應(yīng)用的解決方案是有效的，這種解決方案通常采用瞬態(tài)電壓抑制器，輔以所需的 EMI 濾波電路和電源電纜電感。

　　電壓浪涌一般高達(dá) 100V，持續(xù)數(shù)十或數(shù)百毫秒，由拋載引起。當(dāng)負(fù)載電路或電池?cái)嘟訉?dǎo)致交流發(fā)電機(jī)兩端的電壓在短時(shí)間內(nèi)快速上升，并因此導(dǎo)致使用同一電源的其他負(fù)載遇到同一電壓浪涌。正如我們稍后會(huì)看到的那樣，這可能是一個(gè)富挑戰(zhàn)性及難以解決的問題。

　　疊加在輸入電源之穩(wěn)態(tài)電壓軌上的電壓紋波會(huì)造成進(jìn)一步的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。適度振幅的紋波可由輸入電容器濾波至保護(hù)電路，但是在較大紋波和較大電流情況下，通過保護(hù)電路將紋波傳送到下游穩(wěn)壓級(jí)的做法會(huì)更實(shí)用且效率更高。

　　過壓保護(hù)電路

　　傳統(tǒng)的無源過壓保護(hù)電路 (圖 1) 需要相對(duì)較大和笨重的組件，這樣的組件引入插入損耗，可能因功率需求增加而成為一個(gè)問題。將很大的能量分流到地這種做法不能確保向下游供電，且可能由于重復(fù)操作而導(dǎo)致無源組件損壞。

　　圖1：無源過壓保護(hù)電路

　　一種較好的解決方案是采用線性浪涌抑制器 IC，這可提供更佳性能、過流保護(hù)和更多功能，同時(shí)減少了所需電路板面積。一個(gè)例子是 LT4363 高壓浪涌抑制器 (圖 2)。我們之所以稱這款 IC 是一種線性浪涌抑制器，是因?yàn)槠洳僮髋c線性穩(wěn)壓器類似。

　　圖2：具電流限制的LT4363浪涌抑制器

　　在正常操作情況下，一個(gè)外部 N 溝道 MOSFET 被驅(qū)動(dòng)至全通，并充當(dāng)一個(gè)具非常小電壓降的傳輸器件。如果輸出電壓上升至高于由 FB 引腳上的電阻分壓器設(shè)定的穩(wěn)壓值，MOSFET 就調(diào)節(jié) OUT 引腳上的電壓，從而使負(fù)載電路能夠在瞬態(tài)事件發(fā)生期間繼續(xù)運(yùn)行。

　　SNS 和 OUT 引腳之間的可選電阻器用來控制過流事件，電流限制環(huán)路控制 MOSFET 上的柵極電壓，以將電阻器兩端的檢測(cè)電壓限制到 50mV。

　　無論過壓還是過流事件都會(huì)啟動(dòng)一個(gè)電流源給連至 TMR 引腳的電容器充電。充電電流與輸入至輸出電壓差有關(guān)，以使定時(shí)器周期隨著日益嚴(yán)重的故障而縮短，從而確保 MOSFET 保持在其安全工作區(qū)之內(nèi)。

　　開關(guān)浪涌抑制器

　　線性浪涌抑制器為需要高達(dá)約 4A 電流的系統(tǒng)提供了一種非常出色的解決方案，當(dāng)超出這個(gè)電流范圍時(shí)，該電路有效穿越長(zhǎng)時(shí)間浪涌的能力會(huì)受到 MOSFET 安全工作區(qū)的限制。對(duì)于較大的電流，通過采用專用的開關(guān)穩(wěn)壓器技術(shù)如今可提供一種更有效的解決方案，在該技術(shù)中，限制主要變成了系統(tǒng)熱質(zhì)量和相關(guān)的最大結(jié)溫考慮因素之一。

　　圖3：LTC7860高效率開關(guān)浪涌抑制器

　　LTC7860 專為用作一款高效率開關(guān)浪涌抑制器和 / 或輸入浪涌電流限制器而設(shè)計(jì)。在正常操作期間，LTC7860 處于壓差或 SWITCH-ON 模式，并持續(xù)驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET，從而將輸入電壓傳遞至輸出。

　　LTC7860 在啟動(dòng)或響應(yīng)輸入過壓或輸出短路事件時(shí)切換進(jìn)入 PROTECTIVE PWM (保護(hù)性PWM) 模式，輸出電壓調(diào)節(jié)至安全值，從而使負(fù)載能夠在發(fā)生輸入過壓事件時(shí)繼續(xù)正常運(yùn)作。外部比較器限制電流檢測(cè)電阻器兩端的電壓，調(diào)節(jié)最大輸出電流，以針對(duì)過流故障提供保護(hù)。

　　可調(diào)定時(shí)器限制 LTC7860 可用于過壓或過流調(diào)節(jié)的時(shí)間。當(dāng)定時(shí)器到期時(shí)，外部 MOSFET 斷開，直到 LTC7860 經(jīng)過冷卻期后重啟為止。通過在功率損耗很高時(shí)嚴(yán)格限制處于 PROTECTIVE PWM 模式的時(shí)間，可以針對(duì)正常工作情況優(yōu)化組件和熱量設(shè)計(jì)，使組件和設(shè)計(jì)方案能夠在發(fā)生高壓輸入浪涌和 / 或過流故障時(shí)安全地工作。還可以增加一個(gè) PMOS 以提供電池反向保護(hù)。

　　通過給 LTC7860 的電源偏置增加一個(gè)簡(jiǎn)單的并聯(lián)穩(wěn)壓器，就可以將 60V 最大 VIN至 SGND范圍擴(kuò)大到超過 200V。

　　效率比較

　　就上述 LT4363 這類線性浪涌抑制器和 LTC7860 開關(guān)浪涌抑制器而言，一旦開始調(diào)節(jié)，功率損耗就會(huì)顯著上升。在線性浪涌抑制器中，功率損耗是起調(diào)節(jié)作用的 MOSFET 之功耗。而在高效率浪涌抑制器或開關(guān)浪涌抑制器中，內(nèi)部功率損耗由轉(zhuǎn)換效率決定。

　　線性浪涌抑制器功率損耗 = VOUT* IOUT* (VIN/VOUT-1)

　　開關(guān)浪涌抑制器功率損耗 = VOUT* IOUT* (1/ 效率 - 1)

　　瞬時(shí)功率損耗例子：

　　線性 = 30V * 4A * (40V / 30V -1) = 40.0W

　　開關(guān) = 30V * 4A * (1/92% -1) = 10.4W

　　由于功率損耗降低，因此與同級(jí)別的線性解決方案相比，開關(guān)浪涌抑制器將允許更高的輸出電流和功率級(jí)別。在開關(guān)浪涌抑制器中，內(nèi)部浪涌功率損耗會(huì)比正常功率損耗增加 10 倍之多。如果停留在 PWM 模式調(diào)節(jié)中的時(shí)間受限，則運(yùn)行功率會(huì)超越穩(wěn)態(tài)操作中所能實(shí)現(xiàn)的水平。

　　浪涌抑制器保護(hù)的結(jié)果是，下游組件可具有較低的額定電壓，但在高 VIN降壓型穩(wěn)壓器可用時(shí)，那為什么不使用其中一款而免除保護(hù)電路呢? 雖然這或許很吸引人，但是此類降壓型穩(wěn)壓器電路將需要針對(duì)最壞情況而確定的組件，并將必需采取顯著增多的散熱措施。另外，這也許還會(huì)把上游電源置于容易遭受輸出短路故障損壞的境地。

　　MIL-STD-1275要求和性能

　　在軍用車輛應(yīng)用中，LTC7860 保護(hù)采用 28V 車輛電源總線工作的設(shè)備，并用評(píng)估電路板進(jìn)行了測(cè)試。

　　MIL-STD-1275 版本 E 定義了各種電源變化情況，從穩(wěn)態(tài)工作到啟動(dòng)干擾、尖峰、浪涌和紋波，并針對(duì)每一種情況規(guī)定了要求，表 1 概述了這些情況。

　　表1：MIL-STD-1275E要求和LTC7860性能

        結(jié)論

        凌力爾特之前開發(fā)的演示電路DC2150A-C也提供線性浪涌抑制器解決方案，該解決方案滿足之前的MIL-STD-1275修訂版D規(guī)范的要求。  

　　專用浪涌抑制器 IC 為無源保護(hù)電路提供了卓越的性能，有助于滿足未來系統(tǒng)減小尺寸、重量和功率的要求。

　　線性模式浪涌抑制器提供了具備低插入損耗的出色解決方案，適合輸出電流高達(dá) 4A 左右的系統(tǒng)。開關(guān)浪涌抑制器將輸出電流能力擴(kuò)展到 4A 以上，同時(shí)解決方案尺寸很小，效率很高。