<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 手機與無線通信 > 設計應用 > 基于HMC833LP6GE的寬帶本振源設計

          基于HMC833LP6GE的寬帶本振源設計

          作者:陶長亞 時間:2016-05-26 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
          編者按:為了實現(xiàn)寬帶本振信號輸出,本方案利用鎖相環(huán)芯片HMC833LP6GE、數(shù)控衰減器HMC624LP4和濾波器組相結合,設計出一款高性能寬帶本振源。經(jīng)過實際測試,所有指標都達到了設計要求。

          摘要:為了實現(xiàn)寬帶本振信號輸出,本方案利用鎖相環(huán)芯片、數(shù)控衰減器HMC624LP4和相結合,設計出一款高性能寬帶。經(jīng)過實際測試,所有指標都達到了設計要求。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201605/291761.htm

          引言

            寬帶是通信、雷達、儀器、空間電子設備等電子系統(tǒng)中的關鍵模塊,其指標高低直接影響電子系統(tǒng)的性能。對于寬帶的設計,很多人做了深入的研究[1-2]。本文利用鎖相環(huán)芯片、數(shù)控衰減器HMC624LP4和相結合,設計出一款寬帶寬(400 MHz~6000 MHz)、低相噪(-100 dBc/Hz@10KHz)和高性能本振源。

          1 方案設計

          1.1 設計指標

            頻率范圍:400 MHz~6000 MHz;

            頻率分辨率:3 Hz;

            相位噪聲:≤-90 dBc@1kHz,≤-100 dBc@10kHz;

            輸出功率范圍:-2 dBm~2 dBm;

            諧波抑制:≤-40 dBc;

            雜散抑制:≤-60 dBc。

          1.2 設計方案

            本設計方案原理框圖如圖1所示。利用Hittite公司(編者注:2014年被ADI收購)的一款寬帶鎖相環(huán)芯片產(chǎn)生400 MHz~6000 MHz輸出頻率。HMC833LP6GE芯片內部集成了VCO,其基本頻率是1500 MHz~3000 MHz,利用內部集成的分頻器和倍頻器可將輸出頻率擴展到25 MHz~6000 MHz[3],滿足本方案的頻率范圍要求。利用Hittite公司的數(shù)控衰減器HMC624LP4和FIRSAR公司功率放大器FGB1509A對輸出信號進行功率控制,使其滿足 -2 dBm~2 dBm的輸出功率要求。利用對其諧波和雜散進行抑制,使本振源的輸出信號滿足諧波和雜散的要求。


          2 關鍵電路設計

          2.1 HMC833LP6GE電路設計

            HMC833LP6GE芯片內部集成了鑒相器、電荷泵、VCO、調制器(包括19位的整數(shù)分頻器和24位的小數(shù)分頻器)、倍頻器和分頻器,如圖2所示。

            HMC833LP6GE的datasheet中給出它的歸一化相位噪聲是-227 dBc/Hz。在鎖相環(huán)中,環(huán)路帶寬以內的相位噪聲由參考晶振和鑒相器噪聲共同決定;環(huán)路帶寬以外的相位噪聲由VCO相位噪聲決定。根據(jù)PLL相位噪聲理論,環(huán)路帶寬內的相位噪聲與輸出頻率、鑒相頻率以及噪聲基底有關,具體噪聲可以由公式(1)[4]表示:

          (1)

            其中PDnoisefloor表示鑒相器歸一化噪底,fPD表示鑒相頻率,fo表示鎖相環(huán)輸出頻率。

            如果HMC833LP6GE的底噪對相位噪聲的影響起主導作用,環(huán)路帶寬內的相噪為:

            如果參考信號的底噪對相位噪聲的影響起主導作用,環(huán)路帶寬內的相噪可以由公式(2)進行估算:

          (2)

            其中PNfr表示參考信號的相噪。

            PN=-150+20log(6000/50)=-108.5dBc/Hz

            根據(jù)估算,當選用HMC833LP6GE這種具有低噪底的鎖相環(huán)芯片和頻率為50 MHz、相噪為-150 dBc/Hz@10kHz的參考晶振時,估算的相位噪聲完全能夠滿足設計指標。當參考頻率為50 MHz,又因為調制器的小數(shù)分頻器是24位,所以頻率分辨率達2.98 Hz,滿足頻率分辨率是3Hz的要求。

            對于HMC833LP6GE的電路設計主要是設計環(huán)路濾波器,環(huán)路濾波器具有低通特性,可以起到低通濾波器的作用,更重要的是它對環(huán)路參數(shù)調整起著決定性的作用[5]。它決定了鎖相環(huán)的雜散抑制、相位噪聲、環(huán)路穩(wěn)定性、鎖定時間以及捷變時間等重要的環(huán)路參數(shù)。所以在所有頻率合成器的設計中,環(huán)路濾波器的設計都是至關重要的,環(huán)路濾波器能夠濾除鑒相器輸出信號的高頻分量和噪聲。同時在含有電荷泵的鎖相環(huán)中,環(huán)路濾波器還具有把電荷泵的電流轉換成壓控振蕩器控制電壓的作用。本設計利用ADS2009仿真軟件設計了四階無源環(huán)路濾波器,如圖3所示。經(jīng)過實際調試,相噪滿足設計要求。

          2.2 預電路設計

            HMC833LP6GE輸出功率測試值如表1所示。由實際測試結果可知,在400 MHz~6000 MHz頻率范圍內,HMC833LP6GE的最大功率是5.1dBm,最小功率是-10dBm,頻率響應為15.1dB。而本方案的設計指標要求輸出功率范圍是 -2dBm~2dBm。為了滿足方案要求,設計出一個預電路與HMC833LP6GE的輸出端相連。預電路選用Hittite公司的電子數(shù)控衰減器HMC624LP4和FIRSAR公司的功率放大器FGB1509A組成。HMC624LP4有6位數(shù)字端控制,可通過FPGA送數(shù),控制其衰減量,精度達0.5dB,衰減量為0 dB~31.5 dB[6]。FIRSAR公司的功率放大器FGB1509A使用頻率范圍是DC~9 GHz,在2 GHz時增益為15 dB。通過改變HMC624LP4的6位數(shù)字端控制的數(shù)據(jù),并用頻譜儀測試本振源輸出端的功率,使其滿足本方案輸出功率范圍-2 dBm~2 dBm的設計指標要求。HMC624LP4的頻率、控制數(shù)據(jù)與衰減量的關系如表2所示。本振源輸出功率測試結果如表3所示。通過預穩(wěn)幅電路的設計,使本振源輸出功滿足方案要求。

          2.3 濾波器組電路設計

            由于HMC833LP6GE的基本頻率是1500 MHz~3000 MHz,利用內部集成的分頻器和倍頻器將輸出頻率擴展到400 MHz~6000 MHz。所以其輸出的諧波和分諧波很多,必須采用濾波器組對其分段濾波,如圖4所示。當輸出頻率為3000 MHz~6000 MHz時,使用高通濾波器BF1濾除3000 MHz以下的頻率;當輸出頻率是1500MHz~3000MHz時,使用帶通濾波器BF2濾除1500 MHz~3000 MHz以外的頻率;當輸出頻率是750 MHz~1500 MHz時,使用帶通濾波器BF3濾除750 MHz~1500 MHz以外的頻率;當輸出頻率是400 MHz~750 MHz時,使用帶通濾波器BF4濾除400 MHz~750 MHz以外的頻率。使輸出諧波和雜散滿足本振源方案要求。

          3 測試結果

            根據(jù)本方案設計的寬帶本振源經(jīng)調試后所有指標都滿足設計要求。圖5是用頻譜分析儀測試寬帶本振源在載波6 GHz帶寬,10 kHz和50 kHz的相噪測試圖,相位噪聲分別是-100 dBc/Hz、-104 dBc/Hz。圖6分別是4 GHz載波的諧波測試圖和2 GHz載波的雜散測試圖,由圖6可知其測試值分別是-48 dBc、-68 dBc,滿足本方案的設計指標。

          4 結束語

            本方案利用鎖相環(huán)芯片HMC833LP6GE、數(shù)控衰減器HMC624LP4和濾波器組相結合,設計出一款高性能寬帶本振源。實現(xiàn)了400 MHz~6000 MHz的頻率輸出和-2 dBm~2 dBm的功率輸出,相位噪聲在-104 dBc/Hz@10kHz, 諧波、雜散抑制分別達到-48 dBc和-68 dBc。所有指標都達到了設計要求。具有較好的應用價值。

          參考文獻:

            [1]王華,陸必應,周智敏.超寬帶高速步進頻率信號源的設計[J].現(xiàn)代雷達:2010,32(2):83-86.

            [2]劉永智,徐盛旺,高樹廷.超寬帶頻率合成器的設計與實現(xiàn)[J].電訊技術:2009,49(12):88-90.

            [3]Hittite Microwave Corporation.HMC833LP6GE Datasheet.v01.1012.

            [4]Dean Banerjee.PLL Performance,Simulation and Design[M].Santa Clara City:National Semiconductor,2003.

            [5]張厥盛,鄭繼禹,萬心平.鎖相技術[M].西安:西安電子科技大學出版社,2010,1.

            [6]Hittite Microwave Corporation. HMC624LP4 Datasheet.v09.0210.

          本文來源于中國科技期刊《電子產(chǎn)品世界》2016年第5期第31頁,歡迎您寫論文時引用,并注明出處。



          評論


          相關推薦

          技術專區(qū)

          關閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();