三菱電機攜八款功率器件在PCIM Asia 2016隆重登場

　　三菱電機今年繼續(xù)以“創(chuàng)新 功率器件構建可持續(xù)未來”為主題， 攜帶八款新型功率器件，于6月28至30日在上海世博展覽館舉行的 PCIMAsia2016(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)中登場，向公眾展示其在功率 半導體市場上的非凡實力(三菱電機展位號：B15)。

　　今年展出的功率器件應用范圍跨越四大領域，包括：變頻家電、軌道牽引及電力傳輸、電動 汽車、工業(yè)和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。

　　變頻家電市場

　　在變頻家電應用方面，三菱電機這次在去年推介的SLIMDIP模塊的基礎上，開展出SLIMDIP-L和SLIMDIP-S兩款產(chǎn)品，SLIMDIP-L用于變頻洗衣機和變頻空調，而SLIMDIP-S用于變頻冰箱和變頻風機控制。兩款SLIMDIP均采用RC-IGBT芯片，實現(xiàn)更高的集成度; 封裝面積比超小型DIPIPMTM縮小達30%;內置自舉二極管和限流電阻;最大運行殼溫提升至115℃;并集成 短路保護和欠壓保護，同時提供溫度模擬量輸出版本和過溫保護版本供選擇。

　　SLIMDIP模塊

　　軌道牽引及電動汽車驅動市場

　　在PCIM 亞洲展2016上，三菱電機為軌道牽引和電力傳輸，以及電動汽車領域，帶來三款功率模塊，分別為X系列的單管及雙管HVIGBT模塊，適合牽引變流器及直流輸電應用;而J1系列汽車用IGBT模塊則適用于電動汽車驅動器，及高可靠性 逆變器。

　　首次亮相展會的X系列雙管HVIGBT模塊，采用CSTBTTM 結構的第7代IGBT和RFC二極管，降低功率損耗;運用可降低內部電感的封裝技術，優(yōu)化產(chǎn)品性能;使用兩種封裝(LV100/HV100)，實現(xiàn)兩種絕緣耐壓(6kV/10kV)，但兩者具有相同的外形尺寸。LV100封裝包括900A/1.7kV和450A/3.3kV;HV100封裝包括450A/3.3kV、330A/4.5kV和225A/6.5kV;可提高系統(tǒng)結構設計的靈活性，方便實現(xiàn)逆變器擴容。

　　至于X系列單管HVIGBT模塊，采用第7代IGBT和RFC Diode硅片技術，實現(xiàn)更低飽和壓降和開關損耗;使用LNFLR技術實現(xiàn)低熱阻; 允許最高運行結溫150℃;安全工作區(qū)(SOA)裕度大，續(xù)流恢復能力強; 封裝兼容傳統(tǒng)的H系列HVIGBT;標準產(chǎn)品包括1800A/3.3kV、1350A/4.5kV和900A/6.5kV;此外，還有業(yè)界規(guī)格最大，針對電力傳輸應用而開發(fā)的6500V/1000A單管HVIGBT。

　　X系列單管HVIGBT模塊

　　J1系列汽車用IGBT模塊是專為電動汽車驅動器，及高可靠性逆變器設計，采用Pin-fin底板的六合一汽車用IGBT模塊。它使用第7代IGBT硅片技術，損耗更低;高可靠性的DLB(直接主端子綁定)技術;及基于硅片的溫度和電流檢測技術。J1系列提供A、B兩種封裝。A型封裝(小封裝)有300A/650V、600A/650V、400A/900V和300A/1200V;B型封裝(大封裝)有1000A/650V和600A/1200V，這兩種封裝可以滿足從小型電動汽車到大型電動公交車的應用要求。

　　針對J1系列新型汽車模塊，三菱電機將提供包括驅動電路、冷卻水套及薄膜電容的整體解決方案技術支持，以方便客戶快速應用該模塊實現(xiàn)汽車用逆變器的設計。

　　工業(yè)市場

　　針對工業(yè)應用市場，三菱電機將展出第7代IGBT模塊、整流逆變制動一體化智能功率模塊DIPIPM+,G1系列智能功率模塊(IPM)。第7代IGBT模塊，可以應用在通用變頻器、伺服驅動器及不間斷 電源。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片，降低損耗;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;涵蓋模塊電流75A至2500A;兼容現(xiàn)有市場主流產(chǎn)品封裝;提高產(chǎn)品熱循環(huán)壽命和功率循環(huán)壽命;采用預涂熱界面材料(PC-TIM)，與傳統(tǒng)硅脂相比，模塊與散熱器的接觸熱阻降低50%;NX封裝具有焊接方式和壓接方式兩種控制端子可供選擇。

　　整流逆變制動一體化模塊DIPIPM+，適合通用變頻器、伺服驅動器和商用空調壓縮機驅動。它完整地集成整流橋、逆變橋、制動單元以及相應的驅動保護電路， 采用第7代CSTBTTM硅片;內置短路保護、欠壓保護功能以及溫度模擬量輸出功能;另內置自舉二極管及自舉限流電阻; 提供額定電流覆蓋50A/600V和5~35A/1200V。采用該款模塊設計通用變頻器，可以最大程度地簡化PCB布線設計，縮小基板面積，是小功率變頻器低成本化的最佳解決方案。

　　整流逆變制動一體化模塊DIPIPM+

　　G1系列IPM，針對高端變頻器、伺服 電機驅動器的應用而設計。它采用了第7代 IGBT和FWDi芯片，實現(xiàn)更低損耗;使用更適合伺服驅動器的窄長形封裝;控制端子與現(xiàn)行L1 系列兼容，適用同樣的接口電路;針對不同的保護動作，輸出不同的故障識別信號;額定電流覆蓋25A~200A/1200V。

　　新能源發(fā)電市場

　　為滿足新能源發(fā)電特別是光伏發(fā)電的市場需求，三菱電機向客戶大力推介第7代IGBT模塊及大功率三電平逆變器用單管IGBT模塊。針對大功率光伏逆變器及大功率不間斷電源，三菱電機推出大功率三電平逆變器用單管IGBT模塊。它采用第6代和第7代IGBT硅片，實現(xiàn)低損耗;可以根據(jù)不同需要組建I型或者T型3電平拓撲;具備低雜散電感(1單元模塊8nH，兩單元模塊12nH);高絕緣耐壓達4000Vrms/1分鐘;最大結溫可達175℃;最大電流等級達到1400A/1200V和1000A/1700V。

　　大功率三電平逆變器用單管IGBT模塊

　　三菱電機大中國區(qū)半導體總經(jīng)理四個所大亮先生稱：“三菱電機既如過往，一直秉持可持續(xù)發(fā)展信念，不斷研發(fā)高性能、高可靠性及低損耗的前沿功率器件，來滿足電力電子市場持續(xù)不斷的需要。”