傳武漢新芯合體紫光，加速中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展

　　外媒傳武漢新芯將與紫光集團攜手合作，不只獲得飛索半導體(Spansion)在3D NAND Flash的技術授權，更有望獲得美光(Micron)的支持。中國存儲器芯片有望復制面板產(chǎn)業(yè)的成功，在技術更新交替的階段，彎道超車趕上國際一線廠商。

　　3月28日，武漢新芯在武漢市東湖高新區(qū)啟動了總投資240億美元的“光谷”存儲器基地，該基地預計2018年將實現(xiàn)3D NAND存儲器的首次量產(chǎn)，并于2020年形成月產(chǎn)能30萬片的生產(chǎn)規(guī)模，其中20萬片3D NAND Flash和10萬片DRAM，2030年預計達到每月產(chǎn)能100萬片。

　　此前武漢新芯執(zhí)行副總裁、商務長陳少民接受集微網(wǎng)采訪時表示，選擇3D NAND是中國半導體產(chǎn)業(yè)彎道超車的機遇。半導體產(chǎn)業(yè)中市場份額最大的是存儲，目前全球存儲器市場超過800億美元，而且最大的存儲市場就在中國。在存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)生劇烈變化的今天，技術迭代，共同起點的同時，選擇3D NAND正是這樣的考量。

　　陳少民指出，對武漢新芯來說，雖然在工藝開發(fā)，芯片設計，模組的設計與生產(chǎn)，以及渠道、產(chǎn)業(yè)鏈的布局等方面沒有優(yōu)勢，但是發(fā)展中國的大存儲產(chǎn)業(yè)，一定要把整個產(chǎn)業(yè)鏈乃至生態(tài)體系建立好，建立完善。在全球最大的存儲器市場，中國有實力、有機會也有能力把這件事情做好。

　　2015年11月5日，我國A股市場迎來有史以來第二大定向增發(fā)。紫光集團旗下的同方國芯發(fā)布公告稱，擬向實際控制人清華控股下屬公司等對象非公開發(fā)行股份，募資800億元，投入集成電路業(yè)務。趙偉國公開表示，芯片工廠目前正在規(guī)劃中，相關細節(jié)目前需要保密。但他特別強調(diào)：“這個工廠意味著紫光集團正在進入主流存儲芯片領域。”

　　半導體行業(yè)專家老杳認為，武漢新芯在存儲器領域的快速啟動，更多源于政府意志。與武漢新芯大張旗鼓推進存儲器產(chǎn)業(yè)不同，紫光雖然很早就引入華亞科前董事長高啟全，對外宣布入股存儲器封測廠力成，通過同方國芯增發(fā)800億人民幣為存儲器準備資金，兩家合體有助于大陸存儲器產(chǎn)業(yè)的快速崛起。

　　2016中國大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)峰會上，紫光集團董事長趙偉國表示，從今年開始，紫光集團要投資300億美元，主攻存儲器芯片制造，這將會是中國大陸最大的儲存項目。他指出，大數(shù)據(jù)的發(fā)展，需要海量儲存，中國大陸在相關領域是空白的，最后讓市場來決定誰會成功。

　　趙偉國形容，若大數(shù)據(jù)比擬是一座金礦，那么紫光就是提供挖金礦的工具、并對挖出來的金礦提供提煉加工的公司，讓從事大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)的伙伴可以成功發(fā)財。

　　以武漢新芯的技術和生產(chǎn)，若搭上紫光的資本投資和市場布局，再加上第三方的技術支持，中國有機會在存儲器市場大干一場，在技術交替更新的階段，彎道超車趕上國際一線廠商。