使用ADSP-CM408F ADC控制器的電機(jī)控制反饋采樣時序

　　簡介

　　本應(yīng)用筆記介紹ADSP-CM408F模數(shù)轉(zhuǎn)換器控制器(ADCC)模塊的主要特性，重點討論該產(chǎn)品在高性能電機(jī)控制應(yīng)用的電流反饋系統(tǒng)中的相關(guān)性與可用性。

　　本應(yīng)用筆記的目的是為了強(qiáng)調(diào)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(DAC)模塊的關(guān)鍵功能，并提供針對電機(jī)控制應(yīng)用的配置指南。本文提供演示ADI ADCC驅(qū)動器的代碼示例。

　　有關(guān)此ADCC的所有功能、配置寄存器和應(yīng)用程序接口(API)的更多詳細(xì)信息，請參閱ADSP-CM402F/ADSP-CM403F/ADSP-CM407F/ADSP-CM408F產(chǎn)品頁面和采用ARM Cortex-M4和16位ADC開發(fā)產(chǎn)品的ADSP-CM40x混合信號控制處理器的產(chǎn)品頁面上提供的《采用ARM Cortex-M4的ADSP-CM40x混合信號控制處理器硬件參考指南》。

　　雖然本應(yīng)用筆記重點討論電流反饋，類似的配置和應(yīng)用原理同樣適用于其他信號的反饋與測量。

　　同樣，雖然本應(yīng)用筆記重點討論ADSP-CM408F，但原理在本質(zhì)上同樣適用于ADSP-CM402F/ ADSP-CM403F/ADSP-CM407F/ADSP-CM408F系列的其他產(chǎn)品。

　　電流反饋系統(tǒng)概述

　　電機(jī)控制應(yīng)用中的電流反饋示例如圖1所示。該配置常用于高性能電機(jī)驅(qū)動，并針對電機(jī)相位繞組電流采樣，而非對逆變器低端相位引腳采樣。中高電平時，電流傳感器或變壓器(CT0和CT1)必須用于電流測量路徑，因為阻性分流器尺寸過大而低效。

　　在圖1的配置中，處理器位于安全的隔離柵低壓側(cè)，而信號隔離通常為CT0和CT1所固有，且微處理器的脈沖寬度調(diào)制PWM輸出和柵極驅(qū)動器之間還存在數(shù)字隔離。

　　通常需要在電流傳感器輸出和ADC輸入之間進(jìn)行一些信號調(diào)理，以便實現(xiàn)范圍匹配和高頻噪聲濾波。隨后將調(diào)理的電流測量信號施加于ADC輸入，用來采樣和轉(zhuǎn)換。對每個ADC輸入進(jìn)行一次繞組電流測量將使能電流測量的同步采樣以獲得更高的控制環(huán)路精度，從而增強(qiáng)性能。另外，還可在硬件內(nèi)直接配置采樣時間與PWM sync脈沖的同步。

　　圖1. 電機(jī)控制中ADSP-CM408F ADC的電流反饋

　　這些特性可使能PWM周期中相位電流測量點的精密時序。將這些測量時刻與零矢量的中間點或PWM周期的中間點對齊，確保電流采樣電平等效于忽略開關(guān)紋波的瞬時平均電流。

　　圖2中顯示了零矢量中點和PWM周期中點處的同步U相位和V相位采樣。

　　圖2. 平均電流采樣圖解

　　完成數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換后，便可將其通過直接存儲器訪問(DMA)傳輸至控制器靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)，完成傳輸后會生成一個中斷。在內(nèi)核模式下，通過存儲器映射寄存器，還可實現(xiàn)直接ADC狀態(tài)和數(shù)據(jù)讀取，但這種方法需消耗更多的處理器開銷。

　　通常還會采樣其他模擬信號，例如直流總線電壓、隔離式柵極雙極性晶體管(IGBT)溫度和電機(jī)位置正弦與余弦輸出。雖然本應(yīng)用筆記重點討論電流反饋，但很多信息也與系統(tǒng)中的其他測量參數(shù)有關(guān)。

　　ADC模塊概述

　　該ADC采用雙通道、16位、高速、低功耗、逐次逼近型寄存器(SAR)設(shè)計，精度高達(dá)14位。

　　輸入多路復(fù)用器最多支持連接兩個獨立受控ADC的26個模擬輸入源組合(每個ADC的12路模擬輸入加上1路DAC回送輸入)，任意時刻都對兩個通道同步采樣。 ADC轉(zhuǎn)換時間快達(dá)380 ns。單端模擬輸入所需的電壓輸入范圍為0 V至2.5 V。

　　多路復(fù)用器和ADC之間提供片內(nèi)緩沖器，無需使用額外的外部信號調(diào)理ADSP-CM408F。此外，每個ADC都有一個片內(nèi)2.5 V基準(zhǔn)電壓源，當(dāng)優(yōu)先選擇外部基準(zhǔn)電壓源時可將其過驅(qū)(通過ADCC_CFG寄存器選擇該選項)。

　　ADSP-CM408F中的總模擬子系統(tǒng)的圖形概述如圖3所示。ADSP-CM408F采用多芯片系統(tǒng)級封裝(SiP)，而ADC硅片制造工藝與處理器硅片工藝有所不同，如圖3所示。

　　ADCC負(fù)責(zé)ADC中與處理器的時序同步，并管理DMA，將采樣數(shù)據(jù)傳輸?shù)絊RAM。

　　圖3. ADSP-CM408F模擬子系統(tǒng)

　　電流反饋調(diào)整

　　若要最大限度地正確利用ADC的能力，正確調(diào)整反饋信號非常重要。信號通過反饋路徑處理，如圖5所示。雙極性相位繞組電流IW通過電流傳感器(或變壓器)和信號調(diào)理電路的組合功能轉(zhuǎn)換為ADC輸入端的單極性電壓。

　　電流傳感器的傳遞函數(shù)由下式表示：

　　VIW = KCTIW + V0CT

　　其中：

　　VIW為輸出電壓。

　　KCT是傳感器的線性增益系數(shù)。

　　V0CT是傳感器的零電流失調(diào)電壓。

　　KCT在不同傳感器類型的某些電流水平下表現(xiàn)出非線性，且為了獲得更佳的精度，應(yīng)當(dāng)與IW成函數(shù)關(guān)系，即KCT (IW)。之后，ADC輸入電壓可表示為：

　　VIW_ADC= KSIGVIW = KSIG[KCT(IW)IW + V0CT]

　　其中，KSIG是信號調(diào)理電路的低頻增益。

　　該單極性電壓轉(zhuǎn)換為16位無符號整數(shù)，并由DMA傳輸至處理器存儲器，然后發(fā)出中斷，提醒控制程序新數(shù)據(jù)樣本可用。ADC理想化的傳遞函數(shù)如下所示：

　　其中：

　　NIW是ADC數(shù)字輸出字。

　　KADC表示ADC的線性增益，等于

　　根據(jù)輸入電壓范圍劃分的ADC分辨率，如上所示。

　　ADC輸出會產(chǎn)生一些失調(diào);而在軟件內(nèi)進(jìn)行一些失調(diào)補(bǔ)償(NADC_OFFSET)通常是一個好辦法，可將ADC自身的所有失調(diào)以及傳感器和信號調(diào)理電路產(chǎn)生的所有殘余失調(diào)從ADC輸出中去除。該值可在零電流周期(如系統(tǒng)啟動或禁用驅(qū)動輸出)中動態(tài)更新。

　　最后，電流傳感器零電流失調(diào)電壓NCT_OFFSET的數(shù)字表示從ADC輸出信號中去除，使帶符號值IW(與實際相位繞組電流有關(guān))的表達(dá)式為：

　　IW = KADC(KSIG[KCT(IW)IW + V0CT]) – NADC_OFFSET – NCT_OFFSET

　　其中：

　　這個帶符號的16位值可轉(zhuǎn)換為浮點值，或直接使用，具體取決于控制器實現(xiàn)方案。若要最大限度地利用ADC的全范圍，則系統(tǒng)中的正峰值受控電流必須與ADC輸入電壓2.5 V相對應(yīng)，而負(fù)峰值受控電流與ADC輸入0 V相對應(yīng)。