半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán) EUV光刻最新進(jìn)展如何

　　ASML宣稱(chēng)它的Q2收到4臺(tái)EUV訂單，預(yù)期明年EUV發(fā)貨達(dá)10臺(tái)以上。

　　EUV光刻設(shè)備一再延遲，而最新消息可能在2020年時(shí)能進(jìn)入量產(chǎn)，而非常可能應(yīng)用在5nm節(jié)點(diǎn)。

　　業(yè)界預(yù)測(cè)未來(lái)在1znm的存儲(chǔ)器生產(chǎn)中可能會(huì)有2層或者以上層會(huì)采用它，及在最先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)(7 or 5nm)的邏輯器件生產(chǎn)中可能會(huì)有6-9層會(huì)使用它。

　　ASML計(jì)劃2018年時(shí)它的EUV設(shè)備的產(chǎn)能再擴(kuò)大一倍達(dá)到年產(chǎn)24臺(tái)，每臺(tái)售價(jià)約1億美元，目前芯片制造商己經(jīng)安裝了8臺(tái)，正在作各種測(cè)試。

　　半導(dǎo)體顧問(wèn)公司的分析師Robert Maire認(rèn)為EUV真能應(yīng)用于量產(chǎn)應(yīng)該是大約在2020年，在5nm時(shí)。近期TSMC公布它的計(jì)劃也是在5nm節(jié)點(diǎn)。

　　Maire說(shuō)英特爾可能會(huì)有不同的觀點(diǎn)，它采用EUV設(shè)備在7nm，因?yàn)榻衲晗掳肽晁锌赡苓M(jìn)入10nm。

　　因?yàn)楝F(xiàn)在16/14nm節(jié)點(diǎn)時(shí)通常采用兩次圖形曝光技術(shù)，如果EUV成功量產(chǎn)，可以避免在10nm及以下時(shí)要采用三次或者四次圖形曝光技術(shù)，成本上可大幅的節(jié)省。

　　從20nm節(jié)點(diǎn)開(kāi)始要采用兩次圖形曝光技術(shù)，芯片制造商人為的把工藝節(jié)點(diǎn)分成兩類(lèi)，如20nm及10nm都是過(guò)渡節(jié)點(diǎn)，相對(duì)工藝壽命短，而28nm，16/14nm及7nm可能是長(zhǎng)壽命節(jié)點(diǎn)。

　　ASML的市場(chǎng)部總監(jiān)Micheal Lercel說(shuō)EUV系統(tǒng)量產(chǎn)需要安裝250瓦光源，保證每小時(shí)125片，而現(xiàn)在的光源是125瓦，只能每小時(shí)85片，ASML正在實(shí)驗(yàn)室中研發(fā)210瓦光源。

　　目前大于200瓦的EUV光源有兩家供應(yīng)商，分別是ASML的Cymer及Gigaphoton。兩家供應(yīng)商都認(rèn)為未來(lái)500瓦光源有可能性。

　　目前用于EUV掩膜保護(hù)的Pellicle只能承受125瓦的熱負(fù)荷，離開(kāi)250瓦的目標(biāo)尚有一段距離。

　　由于EUV光刻膠它的工作模式是采用反射的兩次電子，不同通常的193nm光刻膠，因此尚需要突破。

　　目前EUV光刻的成本非常接近于三次圖形曝光技術(shù)。

　　ASML希望它的EUV系統(tǒng)能有大於90%的uptime，但是目前在4周工作周期中它的uptine大於80%。

　　設(shè)備從研發(fā)到量產(chǎn)有很大的差別。光源系統(tǒng)的可靠性要求十分高，即便系統(tǒng)工作在真空環(huán)境下要求每秒能擊中50，000次融化的錫珠。因此新的光源體積很大，相比之前的準(zhǔn)分子激光源更為復(fù)雜，它的尺寸如同電冰箱一樣大，工作在潔凈廠房中。

　　截止目前為止，全球EUV光刻機(jī)的訂單，英特爾有5臺(tái)，帶4臺(tái)訂單，臺(tái)積電有5臺(tái)，帶2臺(tái)訂單，三星有3臺(tái)，帶3臺(tái)訂單，GF有1臺(tái)，帶1臺(tái)訂單，IMEC有2臺(tái)，東芝與海力士各有1臺(tái)及美光有1臺(tái)訂單。