武漢新芯將并入紫光集團(tuán)旗下，掌權(quán)之爭(zhēng)由趙偉國(guó)出線

　　先前科技新報(bào)獨(dú)家揭露，統(tǒng)籌中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的武漢新芯將與紫光集團(tuán)攜手合作，并有望獲得美光在 NAND Flash 的協(xié)助，現(xiàn)在事情再有新進(jìn)展，根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 說(shuō)法，紫光將于武漢成立新企業(yè)，未來(lái)武漢新芯將并入旗下，據(jù)科技新報(bào)取得的消息，最終由紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)將出線掌舵新事業(yè)。

　　朝 NAND Flash 發(fā)展前進(jìn)

　　調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 今 27 日發(fā)布消息指出，紫光集團(tuán)預(yù)計(jì)于武漢成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技，未來(lái)將并入武漢新芯并統(tǒng)籌集團(tuán)下一切存儲(chǔ)器發(fā)展項(xiàng)目，目前整體規(guī)劃朝向 NAND Flash 產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　DRAMeXchange 認(rèn)為，紫光集團(tuán)與武漢新芯目前將著力于 NAND Flash 發(fā)展，除了因 NAND Flash 后市可期， 武漢新芯原為 NOR Flash 大廠，在生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)、廠房與產(chǎn)能建置等基礎(chǔ)建設(shè)本就有所擅長(zhǎng)。DRAMeXchange 協(xié)理?xiàng)钗牡眠M(jìn)一步分析，紫光集團(tuán)則在資金募集及策略并購(gòu)等均有過(guò)人之處，透過(guò)兩強(qiáng)攜手整合資源，能使中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)投資的整體資源配置更加集中，并在整合上產(chǎn)生更多綜效，對(duì)內(nèi)得以于未來(lái)中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中瞄準(zhǔn)較佳的地位，對(duì)外則能提升產(chǎn)業(yè)上談判的籌碼，有助于中國(guó)建立產(chǎn)業(yè)自主性。

　　根據(jù)科技新報(bào)先前取得的消息，紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)、大基金總經(jīng)理丁文武可能在這之中扮演重要角色，新芯董事長(zhǎng)楊士寧等則可能有異動(dòng)，而目前最新消息，趙偉國(guó)確將擔(dān)任董事長(zhǎng)執(zhí)掌合體之后的新事業(yè)。

　　飛索半導(dǎo)體之后再攜美光?

　　武漢新芯在 3 月底于武漢東湖高新區(qū)所擘劃的存儲(chǔ)器基地才舉行動(dòng)土典禮，規(guī)劃用于生產(chǎn) 3D-NAND Flash，預(yù)計(jì) 2018 年建設(shè)完成，官方預(yù)估，屆時(shí)與飛索半導(dǎo)體合作開(kāi)發(fā)的 3D-NAND Flash 將能達(dá)到 32 層堆疊，初期月產(chǎn)能約 20 萬(wàn)片，武漢新芯目標(biāo)到 2020 年基地總產(chǎn)能達(dá) 30 萬(wàn)片/月、2030 年來(lái)到 100 萬(wàn)片/月。

　　楊文得表示，3D-NAND Flash 的廠房新建等投資遠(yuǎn)高于 2D-NAND Flash 數(shù)倍，紫光/武漢新芯方若能循華亞科模式取得美光技術(shù)授權(quán)，則能以較低的財(cái)務(wù)負(fù)擔(dān)來(lái)獲取長(zhǎng)期新產(chǎn)能的布建，更有機(jī)會(huì)在市占率拉近與三星和東芝/威騰(WD)陣營(yíng)的距離。

　　3D-NAND Flash 現(xiàn)擴(kuò)產(chǎn)潮

　　目前各家大廠在 3D-NAND Flash 產(chǎn)能的布建，三星在西安廠的投資外，韓國(guó)平澤廠區(qū)也規(guī)劃加大 3D-NAND Flash 產(chǎn)能，東芝與威騰(WD)旗下 SanDisk 日本 Fab2 廠在日前開(kāi)幕，新廠也可望自 2018 下半年投產(chǎn)，海力士則除現(xiàn)階段 M11 與 M12 廠外，M14 廠第二階段 3D-NAND 的生產(chǎn)也將從明年第一季后開(kāi)始進(jìn)行。英特爾美光陣營(yíng)在今年 3 月擴(kuò)建新加坡 Fab10X 外，英特爾大連廠轉(zhuǎn)型生產(chǎn) 3D-NAND Flash 晶片也在這個(gè)月 25 日正式投產(chǎn)。

　　DRAMeXchange 預(yù)估，2011~2016 年 NAND Flash 位元需求量的年復(fù)合成長(zhǎng)率高達(dá) 47%，在 SSD 需求高度成長(zhǎng)的帶動(dòng)下，NAND Flash 未來(lái) 10 年可望皆維持強(qiáng)勁成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。