英特爾為何要幫昔日對手ARM 代工芯片？

　　在日前舉行的英特爾IDF2016上，英特爾宣布與ARM 達(dá)成了新的授權(quán)協(xié)議，英特爾工廠未來將生產(chǎn)ARM 芯片。此舉一出，立即在業(yè)內(nèi)引發(fā)了強(qiáng)烈回響。那么為何英特爾要選擇為對手代工芯片?英特爾進(jìn)入ARM 陣營的代工市場勝算有多少?

　　英特爾為何要為昔日對手代工芯片?

　　提及芯片代工，根據(jù)近日半導(dǎo)體市場研究公司IC Insights 公布的2016 年上半年全球前二十大半導(dǎo)體公司(包括集成電路、光電器件、感應(yīng)器和分立器件)銷售額排名，臺積電僅憑移動芯片的代工業(yè)務(wù)今年上半年就獲得了130 億美元的營收，排名第三(排名第一、第二的英特爾和三星還有自己的芯片銷售業(yè)務(wù))，第二季與上期相比成長11% 。

　　而正是借助于芯片代工業(yè)務(wù)，臺積電的市值一路高漲。例如截止到2016 年5 月13 日，臺積電股價已經(jīng)為145 元新臺幣，市值已經(jīng)超越3.73 萬億元新臺幣，與英特爾目前4.59 萬億元新臺幣的差距大幅縮小。甚至在今年3 月底時，臺積電市值一度增長到4.18 萬億元臺幣。由此可見芯片代工(主要移動芯片)市場的龐大。

　　相比之下，英特爾一直渴望進(jìn)入以智慧手機(jī)和平板電腦為代表的移動市場，無奈的是，由于天生架構(gòu)上(ARM 與x86)的差異、合作伙伴的慣性選擇及ARM 獨特的商業(yè)模式等因素，其在移動市場始終難有斬獲，并為此付出了百億美元的代價。

　　據(jù)統(tǒng)計目前英特爾芯片在移動市場的整體份額僅在1% 左右，這也導(dǎo)致了今年英特爾停止了某些移動芯片的升級和更新(例如Sofia 系列)，而此舉被外界解讀為英特爾將退出移動芯片市場的爭奪。雖然說以自己的x86 架構(gòu)進(jìn)軍移動市場失利，面對移動市場，尤其是上述移動芯片代工市場的空間，英特爾依然可以憑借自己芯片制造上的優(yōu)勢“曲線”進(jìn)入或者留在移動市場。

　　更為重要的是，由于在移動芯片市場進(jìn)展不利和傳統(tǒng)PC 市場的持續(xù)低迷，從經(jīng)濟(jì)性考慮，英特爾已經(jīng)刻意減緩了其在芯片產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新速度。例如英特爾最新新10-K 文件顯示，其將放棄之前在芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新兩步走的“鐘擺模式”(Tick-Tock)，改為制程(Process)、架構(gòu)(Architecture)、優(yōu)化(Optimization)三步，這意味著代表芯片創(chuàng)新重要指標(biāo)的制程更新周期從兩年變?yōu)槿辍?/p>

　　而創(chuàng)新周期的延長對于英特爾來說將是致命的。畢竟ARM 陣營(包括ARM 及以臺積電、三星為代表的代工企業(yè))由于市場需求的旺盛，其創(chuàng)新速度明顯加快，而此時英特爾再刻意減緩創(chuàng)新的速度，這“一快一減”的疊加，有可能在未來真的讓英特爾失去引領(lǐng)芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的地位。

　　至此，英特爾為ARM 代工芯片的價值已然清晰，除了“曲線”進(jìn)入或者留在移動市場，最關(guān)鍵的是，削弱因為經(jīng)濟(jì)性考量而導(dǎo)致的創(chuàng)新速度延緩的負(fù)面影響。那么接下來的問題是，英特爾此時進(jìn)入ARM 陣營的代工業(yè)務(wù)有多大的勝算，或者說與一直在此領(lǐng)域最大的芯片代工企業(yè)臺積電、三星等巨頭相比是否具備優(yōu)勢?

　　英特爾進(jìn)入ARM 陣營的代工市場勝算有多少?

　　業(yè)內(nèi)知道，制程是衡量芯片和芯片代工企業(yè)競爭力的核心指標(biāo)之一，為此，ARM 陣營兩大芯片代工企業(yè)臺積電和三星打得不亦樂乎。最典型的表現(xiàn)就是針對iPhone6 采用A9 芯片代工的臺積電16 納米與三星14 納米之爭。

　　隨著英特爾的進(jìn)入，未來芯片代工市場將主要是臺積電、三星與英特爾的對決。而眾所周知的事實是英特爾目前的主流制程是14 納米。看來英特爾與臺積電和三星應(yīng)該是旗鼓相當(dāng)，但事實似乎遠(yuǎn)沒有表面數(shù)字看起來那么簡單。

　　據(jù)業(yè)內(nèi)透露，自芯片產(chǎn)業(yè)2、3 年前導(dǎo)入全新的鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)時，擅長行銷的三星就開始玩起了“制程數(shù)字”的游戲。例如臺積電目前主流采用FinFET 的16 納米制程，原本稱為20 納米FinFET。因為該制程的電晶體最小線寬(half-pitch)與量產(chǎn)的前一代20 納米傳統(tǒng)電晶體制程差不多，只是換上全新的FinFET 電晶體而已。但同樣的制程，三星已搶先命名為14 納米。如果臺積電依然稱為20 納米，從行銷的角度肯定對自己不利。所以臺積電不久后便名為16 納米。

　　對此，業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為，三星的制程稱為17 納米，臺積電則為19 納米才符合技術(shù)上制程的定義，也更符合芯片的實際表現(xiàn)。也就是說從目前看，三星的14 納米、臺積電的16 納米與英特爾的14 納米相比，實際上要落后英特爾約一到半個制程節(jié)點。

　　而基于上述的“制程數(shù)字”游戲，未來所謂臺積電領(lǐng)先于英特爾的10 納米制程的7 納米制程，充其量也就是與英特爾打個平手。所以，此時英特爾進(jìn)入ARM 陣營的芯片代工市場，在技術(shù)上實際上是具備領(lǐng)先優(yōu)勢的，這一點要澄清外界因為“制程數(shù)字”游戲而導(dǎo)致認(rèn)為英特爾落后，也是為何臺積電和三星應(yīng)該感到緊張(借此搶奪蘋果、高通等的訂單) 的根本原因。