英特爾工藝制程信息披露：推“14+”技術(shù) 10納米工藝分三波

　　在上周英特爾召開的年度開發(fā)者信息技術(shù)峰會(huì)IDF 2016上，芯片巨頭英特爾披露了不少關(guān)于當(dāng)前和未來工藝制程技術(shù)的信息，這些東西此前英特爾一直很少提及，或者盡可能少得透露。那么，本次大會(huì)究竟英特爾提到了那些細(xì)節(jié)呢?

　　第二代14納米工藝

　　英特爾最多談?wù)摰脑掝}是基于目前制造技術(shù)的“衍生科技(Derivative Technologies)”。所謂衍生技術(shù)，按照英特爾的解釋就是“性能得以提高，以及功能擴(kuò)展變得越來越普遍”的技術(shù)。為此，英特爾發(fā)布了第一個(gè)基于衍生技術(shù)而來的技術(shù)：“14 +”，還可以稱之為“14nm+”或第二代14納米技術(shù)。

　　英特爾表示，該“衍生”技術(shù)在晶體管和金屬疊層增強(qiáng)的情況下，可以讓處理器起碼得到12%左右的性能提升。

　　很顯然，更完善的第二代14nm工藝將率先運(yùn)用到英特爾即將推出的Kaby Lake微架構(gòu)第七代酷睿處理器上。如果不出意外的話，2017年發(fā)布的14納米服務(wù)器處理器，也將基于“14nm+”工藝打造。

　　10納米工藝同樣分三波產(chǎn)品

　　英特爾稱，未來發(fā)布的10納米工藝制程，也將根據(jù)衍生科技分迭代更新三次，分別為：“10”、“10+”和“10++”，支持多種最為領(lǐng)先的產(chǎn)品。

　　這就意味著，2017年下半年發(fā)布的10納米技術(shù)產(chǎn)品只是第一代，隨后還有延續(xù)兩代，主要伴隨著芯片底層架構(gòu)的改進(jìn)以及相關(guān)制程工藝的改進(jìn)，而迎來適當(dāng)?shù)男阅茉鰪?qiáng)。

　　英特爾聲稱注重密度優(yōu)勢(shì)而非趕工

　　英特爾談到了很多有關(guān)想制造技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)秀，特別是芯片單位密集的晶體管密度。在英特爾看來，在一個(gè)固定的芯片面積上，能夠塞進(jìn)更多的晶體管，則意味著擁有更多的特性和功能，而不是一味的追求新一代工藝制程。

　　有意思的是，英特爾還諷刺了半導(dǎo)體行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電和三星，指出晶體管柵極與柵極之間的間距指標(biāo)不如自家，特別是即將推出的10納米制造技術(shù)上密度差距很大，相反英特爾則遙遙領(lǐng)先，晶體管鱗片間距做得最為緊密，而且鱗片更高、更薄，更易于提高晶體管的驅(qū)動(dòng)電流和性能。

　　需要注意的是，英特爾的10納米要等到2017年年底，而競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手則在今年年底和明年年初。也就是說，英特爾的新工藝比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手晚了超過至少半年左右的時(shí)間。雖然沒有人否認(rèn)晶體管密度指標(biāo)越出色越好，但英特爾不得不面對(duì)的事實(shí)在于，2018年上半年臺(tái)積電就能過渡到7納米工藝制程。我們不清楚，更晚是否意味著某種競(jìng)爭(zhēng)的劣勢(shì)。

　　當(dāng)然，盡管臺(tái)積電聲稱，其7納米技術(shù)將會(huì)在性能和芯片面積方面優(yōu)于10納米，但未提到指定面積下的晶體管數(shù)量，所以是否縮小了與英特爾10納米技術(shù)的差距目前還不清楚。目前可以確定的是，英特爾的“10”、“10+”和“10++”絕對(duì)不會(huì)晶體管性能上妥協(xié)。

　　無論如何，英特爾還是那個(gè)英特爾，有實(shí)力讓任何質(zhì)疑英特爾在晶體管性能優(yōu)勢(shì)競(jìng)爭(zhēng)中落后的人都閉嘴，當(dāng)臺(tái)積電和三星的工藝制程仍只能用于打造移動(dòng)芯片的時(shí)候，英特爾的就已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了多樣化發(fā)展，可以在各個(gè)市場(chǎng)叱咤風(fēng)云，無論是熟悉的服務(wù)器市場(chǎng)，還是傳統(tǒng)PC行業(yè)，乃至未來的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，英特爾似乎做了最充分的準(zhǔn)備。