電源測(cè)量小貼士(連載五): 測(cè)試功率階段開(kāi)關(guān)特點(diǎn)

　　在這篇博文中，我們將介紹在無(wú)負(fù)載、標(biāo)稱負(fù)載和全負(fù)載條件下測(cè)試開(kāi)關(guān)特點(diǎn)的各個(gè)步驟。

　　在開(kāi)始前，應(yīng)確保所有開(kāi)關(guān)的啟動(dòng)、關(guān)閉、占空比和死區(qū)時(shí)間都符合預(yù)期，如MOSFETs和IGBTs。泰克示波器包括一種高分辨率模式，從根本上提高了垂直分辨率，因此可以使用最高精度計(jì)算啟動(dòng)和關(guān)閉時(shí)間。

　　盡管電源的幾乎所有組件都會(huì)發(fā)生能量損耗，但絕大部分損耗發(fā)生在開(kāi)關(guān)晶體管從關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)換到打開(kāi)狀態(tài)(或反之)的時(shí)候。使用所有開(kāi)關(guān)周期的啟動(dòng)損耗和關(guān)閉損耗的軌道圖(在DPOPWR軟件中提供)，可以更加全面地了解開(kāi)關(guān)損耗，如下圖所示

　　開(kāi)關(guān)/關(guān)閉軌道圖

　　這時(shí)，要檢查所有VGS信號(hào)的噪聲和碰撞。這是一個(gè)重要步驟，因?yàn)檫@個(gè)端子上任何非預(yù)計(jì)的毛刺都可能會(huì)導(dǎo)致不想要的啟動(dòng)和擊穿。為保證不可能出現(xiàn)擊穿，應(yīng)檢查同步整流器或H橋接器的死區(qū)時(shí)間。

　　然后，檢驗(yàn)門(mén)驅(qū)動(dòng)器和相關(guān)儀器之間的定時(shí)關(guān)系，確保其與設(shè)計(jì)的計(jì)算結(jié)果相符。

　　為安全地測(cè)量非參考地電平的信號(hào)，我們建議使用相應(yīng)額定電壓的差分探頭。一定不要浮動(dòng)示波器，因?yàn)槠鋾?huì)導(dǎo)致不好的結(jié)果。您可以考慮TDP1000、TDP0500或P6251高壓差分探頭，具體視應(yīng)用而定。每種探頭都實(shí)現(xiàn)了高速寬帶采集和測(cè)量功能，提供了杰出的電氣性能、通用被測(cè)器件連接，而且都使用方便。

　　毫無(wú)疑問(wèn)，很難測(cè)量浮動(dòng)門(mén)信號(hào)。我們建議在門(mén)驅(qū)動(dòng)器輸入上探測(cè)信號(hào)，這樣您可以檢驗(yàn)頂部FET與底部FET之間的死區(qū)時(shí)間。

　　在最低電壓轉(zhuǎn)換速率上測(cè)量電流也可以幫助您最大限度地減少串?dāng)_，改善精度。

　　如需了解開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗測(cè)試要點(diǎn)，請(qǐng)參閱本系列博文中的第6篇博文。