三星/IBM/格羅方德的物聯(lián)網(wǎng)“法寶”

　　物聯(lián)網(wǎng)風潮漸起，連臺積電董事長張忠謀都喊出物聯(lián)網(wǎng)是 “The next big thing”，不只消費電子大廠、網(wǎng)通設備廠商紛紛朝此布局，晶圓代工市場也可能為此發(fā)生質(zhì)變?

　　物聯(lián)網(wǎng)改變的不只是消費者的生活，對產(chǎn)業(yè)而言，更是一場典范轉(zhuǎn)移。物聯(lián)網(wǎng)之下，以往制造業(yè)大量生產(chǎn)創(chuàng)造規(guī)模經(jīng)濟的模式不再，取而代之的是多元化應用與少量多樣的產(chǎn)品特性，日本在今年 4 月推出迷你晶圓廠(Minimal Fab)強調(diào)造價低廉、小批量生產(chǎn)，就是瞄準物聯(lián)網(wǎng)感測器少量多樣的需求。

　　現(xiàn)在連三星也出現(xiàn)晶圓代工策略的大改變，不只是為物聯(lián)網(wǎng)，更是為降低對高通與蘋果等大客戶的依賴。據(jù)韓國媒體 ET News 報導，三星正在改變原本量產(chǎn)的晶圓代工策略，轉(zhuǎn)向小量多樣化接單，并開始接美國、韓國、中國中小型規(guī)模廠商訂單，三星稱此計畫為“開放式晶圓廠(open foundry)”。報導中指出包含如 HanaTech、AlphaChips、KoreaChips 等韓廠，以及臺灣世芯(AllChip)、中國芯原(VeriSilicon)、美國加州 e-Silicon 等其他海外 IC 設計廠都是三星此次策略合作的對象。

　　不只接單，制程技術或也可能出現(xiàn)變化，F(xiàn)inFET 技術被視為 20 奈米以下半導體制程微縮的重要技術，不少半導體大廠將資源傾注在 FinFET，但在物聯(lián)網(wǎng)浪潮來臨，F(xiàn)D-SOI(全耗盡型絕緣層覆矽)技術也日漸受到重視。與 FinFET 相比，F(xiàn)D-SOI 基板雖然較貴，但在掩模數(shù)量與制造工序比 FinFET 來得少，減少部分光罩成本也縮減了制造時間，在技術上比 FinFET 更適合類比/混合訊號、RF，F(xiàn)D-SOI 還具備了低功耗的優(yōu)勢，因此，不少人認為 FD-SOI 將是物聯(lián)網(wǎng)較佳選擇，或能與 FinFET 互補。

　　FD-SOI 由意法半導體借力與三星、IBM、格羅方德所組的 ISDA(國際半導體開發(fā)聯(lián)盟)所開發(fā)，除了掌握技術的意法半導體本身，三星以 FinFET 致力在 14 奈米、10 奈米等先進制程競逐外，也在生命周期較長的 28 奈米制程布建 FD-SOI 產(chǎn)能，傳出 FD-SOI 已達到黃金良率，并估計于第三季開始量產(chǎn)。

　　而格羅方德押寶 FinFET 的同時，在去年即基于 22 奈米 FD-SOI 推出“22FDX”平臺，聲稱晶粒尺寸縮減 20%，光罩數(shù)目減少 10%;相較 foundry FinFET，減少近 50% 的浸潤式微影層，并強調(diào)對比 28 奈米 HKMG 功耗的大幅縮減。

　　物聯(lián)網(wǎng)掀起的變革，從晶圓代工也可見端倪。