富士通將推碳納米管內(nèi)存：55nm工藝 比閃存快一千倍

　　在納米技術(shù)研究領(lǐng)域，碳納米管(也叫富勒烯，簡稱CNT)是一種很獨特的材料，直徑只有人類頭發(fā)的5萬分之一，能導(dǎo)熱導(dǎo)電，硬度是鋼鐵的50倍，話說小編學(xué)生時代就經(jīng)常聽到以碳納米管為基礎(chǔ)的各種高科技，包括各種神器的電池。在存儲領(lǐng)域，碳納米管通過硅基沉底也能實現(xiàn)0、1變化，因此也可以存儲芯片，而且是非易失性的，斷電也不會清除數(shù)據(jù)。

　　NRAM存儲的優(yōu)勢

　　相比普通閃存，NRAM存儲芯片的優(yōu)勢太多了，讀寫速度是普通閃存的1000倍(Nanteo官網(wǎng)上說是1000倍，圖表上是100倍)，同時功耗更低，可靠性、耐用性更強，成本更低。

　　Nantero這次與富士通合作，后者將把NRAM內(nèi)存整合到自家芯片中，預(yù)計2018年底推出，制程工藝為55nm。

　　不過話說回來，NRAM還是新技術(shù)，Nantero公司從2006年就說生產(chǎn)碳納米管內(nèi)存了，但是一直沒什么進展。即便是跟富士通達成合作了，量產(chǎn)的NRAM芯片還是256Gb(32MB)大小的，容量還是太小了，只適合一些嵌入式領(lǐng)域。