存儲(chǔ)器需求動(dòng)能強(qiáng)勁，第四季DRAM合約價(jià)有望再漲逾一成

　　受到第三季進(jìn)入旺季需求帶動(dòng)，存儲(chǔ)器、面板等關(guān)鍵零組件皆終止長(zhǎng)期價(jià)格頹勢(shì)。TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，存儲(chǔ)器在筆電需求回溫、智能手機(jī)延續(xù)強(qiáng)勁成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)與服務(wù)器需求增溫帶動(dòng)下，DRAM與NAND Flash第四季價(jià)格預(yù)計(jì)將同步上揚(yáng)，特別是DRAM合約價(jià)第四季估將再漲逾一成。

　　供應(yīng)持續(xù)吃緊，DRAM市場(chǎng)至2017年維持健康供需狀態(tài)

　　由于今年中國品牌智能手機(jī)表現(xiàn)超乎預(yù)期，服務(wù)器出貨也受惠于中國大陸數(shù)據(jù)中心需求增溫，下半年臺(tái)系服務(wù)器代工廠訂單較上半年平均成長(zhǎng)近兩成，促使DRAM原廠自第二季開始大幅調(diào)升行動(dòng)式內(nèi)存與服務(wù)器內(nèi)存的產(chǎn)出并調(diào)降標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存出貨。DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，今年第四季行動(dòng)式內(nèi)存出貨比重將逼近45%，服務(wù)器內(nèi)存出貨比重突破25%，標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存僅剩不到20%。

　　然而，從筆電市況來看，第三季北美地區(qū)筆電需求增溫，如惠普與戴爾出貨季增長(zhǎng)皆超過8%，造成標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存供應(yīng)緊俏，DDR3與DDR4的4GB模組合約價(jià)格終于止跌回穩(wěn)并站上13.5美元。在原廠仍維持轉(zhuǎn)進(jìn)毛利高的行動(dòng)式內(nèi)存的策略下，DRAMeXchange預(yù)估，第四季標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格將持續(xù)上漲，DDR3與DDR4的4GB模組將上看15美元，季漲幅(季均價(jià)對(duì)季均價(jià))將達(dá)15%，整體獲利結(jié)構(gòu)逐步攀升，DRAM市場(chǎng)未來一年都將維持健康的供需狀態(tài)。

　　行動(dòng)式內(nèi)存則持續(xù)受惠于中國智能手機(jī)的拉貨需求及新一代iPhone備貨將在第四季達(dá)高峰，目前已有部分中國大陸大廠與主要DRAM供貨商訂定的第四季合約漲價(jià)超過一成，預(yù)期第四季行動(dòng)式內(nèi)存漲幅也將相當(dāng)可觀。

　　大廠積極搶料，第四季NAND Flash價(jià)格維持上漲

　　在NAND Flash方面，第三季蘋果與中國智能手機(jī)大廠華為、vivo、OPPO等拉貨動(dòng)能優(yōu)于預(yù)期，對(duì)整體2D NAND Flash產(chǎn)能消耗十分龐大，尤在NAND Flash原廠轉(zhuǎn)進(jìn)3D - NAND Flash速度不如預(yù)期情況下，供給更為緊俏。此外，企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤需求、筆電固態(tài)硬盤搭載率快速提升，同步造成第三季NAND產(chǎn)能缺口。

　　受到上述OEM端強(qiáng)大需求，及制程轉(zhuǎn)進(jìn)不順的影響，讓三星、東芝、閃迪、美光等供貨商，對(duì)模組商的供貨水位驟降，模組廠在原廠供貨短缺下只能被迫接受漲價(jià)。DRAMeXchange調(diào)查顯示，截至8月下旬，主流128Gb TLC wafer合約均價(jià)已較6月底漲10%以上。

　　第四季OEM端客戶在不看好非三星陣營3D - NAND Flash的轉(zhuǎn)進(jìn)進(jìn)度，擔(dān)心導(dǎo)致供應(yīng)吃緊的預(yù)期心理下，已經(jīng)出現(xiàn)Overbooking與Double Booking的搶料動(dòng)作。DRAMeXchange預(yù)估，在智能型手機(jī)客戶拉貨力道持續(xù)不墜下，供貨短缺情況料將延續(xù)，第四季NAND Flash價(jià)格仍維持上漲，而模組廠是否愿大量備貨成為價(jià)格漲幅多寡的關(guān)鍵。