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          LSI推出新型處理器內(nèi)核和DRAM內(nèi)存模塊

          作者: 時間:2016-09-12 來源:網(wǎng)絡 收藏

          LSI 公司日前宣布推出具有多核功能的 微處理器內(nèi)核和高速嵌入式 DRAM 內(nèi)存模塊,進一步豐富了其業(yè)界領先的定制芯片 IP 產(chǎn)品系列。該新型處理器內(nèi)核和內(nèi)存模塊旨在加速用于諸如企業(yè)級交換機、路由器、RAID 存儲器、服務器以及基站等高性能應用中的高級網(wǎng)絡和存儲SoC 的開發(fā)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201609/303944.htm

          定制多核集成電路 (IC) 使 OEM 廠商能夠針對計算密集型應用開發(fā)出高度差異化的高性能解決方案。LSI 推出的這款新型 FP 器件采用 TSMC 40G 工藝制造而成,能以超過1.4 GHz 的時鐘頻率運行, 從而可提供2.5 DMIPS/MHz 的處理性能。 而新型嵌入式 DRAM 內(nèi)存模塊運行速度高達500 MHz,這對實時視頻處理和高帶寬網(wǎng)絡應用至關重要。

          LSI 定制芯片產(chǎn)品部的高級副總裁兼總經(jīng)理 Sudhakar Sabada 指出:“新一代網(wǎng)絡和存儲基礎架構(gòu)需要高度集成的 SoC 才能滿足不斷增長的市場需求。借助豐富的已經(jīng)芯片驗證的 IP 產(chǎn)品系列以及可靠的設計流程,LSI 可幫助客戶前瞻性地構(gòu)建針對應用優(yōu)化的SoC,從而使他們能夠在競爭激烈的市場中脫穎而出。”

          LSI 為 OEM 廠商提供了諸如通用/專用處理器、協(xié)議內(nèi)核、千兆以太網(wǎng)物理層、高速串并轉(zhuǎn)換器 (SerDes) 以及嵌入式存儲模塊等豐富的已經(jīng)現(xiàn)場驗證的 IP 產(chǎn)品系列,最大限度地降低了定制 IC 的開發(fā)成本與風險。

          LSI 所有嵌入式處理器均獲得包括開發(fā)工具和操作系統(tǒng)等軟件產(chǎn)業(yè)環(huán)境的支持。獲得TSMC 授權(quán)的 500 MHz 嵌入式 DRAM 內(nèi)核是 的第三代 eDRAM IP 產(chǎn)品。它的加入進一步擴大了 針對定制 IC 開發(fā)應用的嵌入式 DRAM IP 塊產(chǎn)品陣容。



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