英特爾Broadwell-E據(jù)稱推遲到2016年 Skylake-S已經(jīng)
英特爾喜歡為每一個新的CPU架構(gòu)推出數(shù)款發(fā)燒級產(chǎn)品。例如最近我們看到英特爾推出的Haswell-E產(chǎn)品線,這是普通Haswell產(chǎn)品發(fā)布一年之后的發(fā)燒級產(chǎn)品。英特爾正在準(zhǔn)備年底推出Broadwell產(chǎn)品,所以很自然地看到許多泄露的路線圖顯示英特爾準(zhǔn)備在2015年年底推出Broadwell-E發(fā)燒級產(chǎn)品。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201609/303977.htm不過根據(jù)VR-ZONE網(wǎng)站報道,英特爾已經(jīng)推遲了Broadwell-E發(fā)燒級產(chǎn)品發(fā)布時間,最新時間表顯示,這些產(chǎn)品要到2016年才能發(fā)布,而采樣時間定在2015年第二季度。
據(jù)其透露,Broadwell-E封裝類似于Haswell-E。這意味著我們將得到多達(dá)八個物理核心,40個PCIe通道,高達(dá)20 MB的高速緩存,并支持四通道DDR4-2400。一個主要的區(qū)別是Broadwell-E切換到14nm制造工藝,但是Broadwell-E的TDP 功耗據(jù)稱將保持不變?yōu)?40W。
英特爾還聲稱即將到來Skylake-S即將進(jìn)入采樣階段。據(jù)預(yù)計,這些處理器將在2015年下半年批量生產(chǎn),為年底銷售旺季做好準(zhǔn)備。
Skylake-S系列產(chǎn)品的TDP功耗最高90W,將支持DDR4和DDR3內(nèi)存,目前采樣樣品最高工作頻率達(dá)到2.9 GHz,它們需要一個新的CPU插座 - LGA1151,這意味著它不會與現(xiàn)有的Haswell主板兼容。
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