富士通半導(dǎo)體推出基于2.7V-5.5V的寬電壓FRAM產(chǎn)品

上海，2012年10月16日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布，推出其V系列的又一款新產(chǎn)品MB85RC256V。至今為止，富士通V系列FRAM產(chǎn)品已經(jīng)涵蓋了4Kbit，16Kbit，64Kbit，256Kbit等容量。MB85RC256V是富士通首款可在2.7V-5.5V電壓范圍內(nèi)工作的FRAM產(chǎn)品，為當(dāng)今對(duì)元器件電壓范圍要求高的領(lǐng)域提供了設(shè)計(jì)的方便。作為全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM供應(yīng)商，富士通后續(xù)還將根據(jù)市場需求推出更大容量的產(chǎn)品。

FRAM產(chǎn)品結(jié)合了ROM的非易性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能和RAM的優(yōu)勢，具有幾乎無限次的讀寫次數(shù)、高速讀寫周期和低功耗特點(diǎn)。富士通FRAM產(chǎn)品線具有多種接口和容量，包括工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行和并行接口;富士通FRAM產(chǎn)品具備了高速讀寫，高耐久性，低功耗三大特點(diǎn),使其不同于其他非易失性存儲(chǔ)器。FRAM產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用于儀器儀表，工業(yè)控制，汽車電子，金融POS等各種先進(jìn)領(lǐng)域，對(duì)于這些領(lǐng)域來說FRAM的高速讀寫，高耐久性，低功耗等特性非常重要。

憑借公司內(nèi)部一體化的開發(fā)和制造流程，富士通半導(dǎo)體可以更加優(yōu)化設(shè)計(jì)和工廠間的密切合作，這為富士通向客戶穩(wěn)定的提供高質(zhì)量產(chǎn)品打下了基礎(chǔ)。

富士通FRAM現(xiàn)有產(chǎn)品列表

MB85RC256V重要參數(shù)

•256Kb 存儲(chǔ)容量，采用32kx 8位結(jié)構(gòu)

•1012次的讀寫次數(shù)

•數(shù)據(jù)保存10年(+85°C)

•2.7V-5.5V工作電壓范圍

串行外設(shè)接口-I2C

•4.5V-5.5V,工作頻率達(dá)1MHz

•2.7V-4.5V,工作頻率達(dá)400KHz

溫度及封裝配置

•-40°C至 +85°C的工業(yè)溫度范圍

•支持3.9mmx5.05mm和5.30mmx5.24mm兩種尺寸的SOP-8封裝

供貨時(shí)間

從2012年8月中旬起提供樣品,2012年10月中旬起可以接受批量訂貨。