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          讓CMOS集成高壓功能，ESD是關(guān)口
          
						
          
				作者：
				時間：2016-09-12
				來源：網(wǎng)絡(luò)
				
				
				
				
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          讓CMOS集成高壓功能，ESD是關(guān)口
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201609/304843.htm
          一個由英飛凌(Infineon Technologies)和印度孟買理工學(xué)院(Indian Institute of Technology,  Bombay)組成的聯(lián)合研究小組，近日宣稱可將高電壓功能集成在先進(jìn)的CMOS技術(shù)中。
          該聯(lián)合項(xiàng)目成立于2007年，主要致力于對I/O設(shè)備設(shè)計(jì)領(lǐng)域以及多門MOSFET的45納米CMOS技術(shù)的研究。該聯(lián)合小組研究人員表示，弱ESD魯棒性和高ESD應(yīng)力性，是利用先進(jìn)CMOS技術(shù)制造高壓接口(10V或以上)的主要障礙。
          該團(tuán)隊(duì)的研究結(jié)果表明，設(shè)備的高壓功能、從USB接口到高壓線驅(qū)動器，都可以集成在采用45納米甚至以下的CMOS片上系統(tǒng)。
          英飛凌的ESD研究高級首席工程師Harald  Gossner表示，“這次合作對我們在理解一些現(xiàn)有設(shè)備的可靠性問題是十分有益的，所提出的解決方案也大大提升了我們的產(chǎn)品性能。”
                                               
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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