<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 模擬技術 > 業(yè)界動態(tài) > 中國半導體存儲行業(yè)未來50年發(fā)展路線圖

          中國半導體存儲行業(yè)未來50年發(fā)展路線圖

          作者: 時間:2016-09-21 來源:華金證券 收藏
          編者按:存儲器是集成電路產業(yè)的基礎產品之一,產品的成熟度和產業(yè)的規(guī)模效應均較為顯著,而目前中國大陸的企業(yè)在相關領域內的份額依然較低,在國家的“芯片國產化”產業(yè)政策的推動下,中央政府和地方政府在產業(yè)內的投資助推國內存儲器產業(yè)崛起,市場環(huán)境及競爭狀況注定了中國企業(yè)的未來崛起之路任重道遠。

            3、市場供求關系有利國內企業(yè)加入競爭格局

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201609/310048.htm

            從市場供求關系的角度看,在經過了行業(yè)過去兩年的下行周期后,DRAM和NANDFlash的市場格局均逐步由供過于求的局面轉向了供給略顯不足的趨勢。

            從供給端看,根據Digitimes的數據顯示,DRAM行業(yè)的主要廠商韓國三星和海力士均在2016年不同程度的降低了資本開支計劃,主要的資本投入將會涉及制程節(jié)點的提升而不是產能的直接擴張,美光科技盡管仍然保持了資本開支計劃規(guī)模,但是他們的主要投資方向也是提升技術實力以應對產業(yè)競爭。NANDFlash,包括三星、海力士、美光/英特爾仍然保持了部分的資本開支以期在3DNAND Flash方面保持產能擴張的趨勢。根據WSTS的預測,2016~2017年,全球DRAM市場的供給增長速度維持在25%左右,而NANDFlash的供給增長則約為45%。

            從需求端看,我們之前的分析中可以看到,DRAM市場需求的主要驅動因素來自于移動智能終端的需求增長,PC端的下滑速度放緩,而隨著IDC等數據中心建設的推動,來自服務器端的內存需求也將保持穩(wěn)健的成長。

            NAND Flash的需求增長主要來自于移動終端以及固態(tài)硬盤(SSD)對于傳統硬盤的取代趨勢。在蘋果公司的最近產品發(fā)布會上,新款的iPhone7/7Plus最高配置的存儲容量已經提升到了256GB,而其他手機廠商的新款手機產品也紛紛提供了更多的存儲空間。


          中國半導體存儲行業(yè)未來50年發(fā)展線路圖


            SSD市場來看,根據iSuppli預測數據顯示,2017年全球市場SSD出貨量將會達到2.27億塊,較2012年的3,100萬塊大幅提升732%,年復合增長率接近50%。

            因此,我們預計在未來2年,DRAM需求端市場的出貨量增長速度接近30%,而NANDFlash市場的需求量增速則有望達到50%以上,因此供求關系的角度看,行業(yè)市場正在逐步向賣方市場轉移,而國內的產能投資有望獲得有效的市場支持。


          上一頁 1 2 3 4 5 下一頁

          關鍵詞: 半導體 存儲器

          評論


          相關推薦

          技術專區(qū)

          關閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();