我國(guó)擬打造第三代半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化創(chuàng)新平臺(tái)

　　近日，彩虹藍(lán)光-北京大學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心簽約儀式在安徽合肥舉行。雙方將攜手打造我國(guó)第三代半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的重要?jiǎng)?chuàng)新平臺(tái)。

　　半導(dǎo)體作為在常溫下介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，廣泛應(yīng)用于測(cè)溫等領(lǐng)域。隨著社會(huì)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體不論是在科技或是經(jīng)濟(jì)方面，都具有巨大的作用。為謀求半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，世界各國(guó)紛紛加快研究步伐。其中，以GaN(氮化鎵)為代表的第三代半導(dǎo)體材料及器件的開發(fā)是新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ)，其研究開發(fā)呈現(xiàn)出日新月異的發(fā)展勢(shì)態(tài)。

　　此次安徽合肥攜手中國(guó)電子，著手打造彩虹藍(lán)光—北京大學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心，也是積極部署第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新高地，落實(shí)科技強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略，助力我國(guó)創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)發(fā)展的表現(xiàn)。

　　據(jù)悉，此次彩虹藍(lán)光-北京大學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心的建設(shè)將分為兩期，先期將重點(diǎn)放在人才引進(jìn)以及實(shí)驗(yàn)室硬件條件打造上，同時(shí)以電子材料和器件技術(shù)研發(fā)為重點(diǎn)，逐步打造我國(guó)第三代半導(dǎo)體研發(fā)平臺(tái)。