嵌入式開發(fā)技術(shù)PCB Layout指南

3.7 旁路電容到相應(yīng)IC的走線線寬>25mil，并盡量避免使用過孔。

3.8 通過不同區(qū)域的信號(hào)線(如典型的低速控制/狀態(tài)信號(hào))應(yīng)在一點(diǎn)(首選)或兩點(diǎn)通過隔離地線。如果走線只位於一面， 隔離地線可走到PCB的另一面以跳過信號(hào)走線而保持連續(xù)。

3.9 高頻信號(hào)走線避免使用90度角彎轉(zhuǎn)，應(yīng)使用平滑圓弧或45度角。

3.10 高頻信號(hào)走線應(yīng)減少使用過孔連接。

3.11 所有信號(hào)走線遠(yuǎn)離晶振電路。

3.12 對(duì)高頻信號(hào)走線應(yīng)采用單一連續(xù)走線，避免出現(xiàn)從一點(diǎn)延伸出幾段走線的情況。

3.13 DAA電路中，穿孔周圍(所有層面)留出至少60mil的空間。

3.14 清除地線環(huán)路，以防意外電流回饋影響電源。

4. 電源4.1 確定電源連接關(guān)系。

4.2 數(shù)字信號(hào)布線區(qū)域中，用10uF電解電容或鉭電容與0.1uF瓷片電容并聯(lián)後接在電源/地之間。在PCB板電源入口端和最遠(yuǎn)端各放置一處，以防電源尖峰脈沖引發(fā)的噪聲干擾。

4.3 對(duì)雙面板，在用電電路相同層面中，用兩邊線寬為 200mil的電源走線環(huán)繞該電路。(另一面須用數(shù)字地做相同處理)

4.4 一般地，先布電源走線，再布信號(hào)走線。

5. 地5.1雙面板中，數(shù)字和模擬元器件(除DAA)周圍及下方未使用之區(qū)域用數(shù)字地或模擬地區(qū)域填充，各層面同類地區(qū)域連接在一起，不同層面同類地區(qū)域通過多個(gè)過孔相連：Modem DGND引腳接至數(shù)字地區(qū)域，AGND引腳接至模擬地區(qū)域;數(shù)字地區(qū)域和模擬地區(qū)域用一條直的空隙隔開。

5.2 四層板中，使用數(shù)字和模擬地區(qū)域覆蓋數(shù)字和模擬元器件(除DAA);Modem DGND引腳接至數(shù)字地區(qū)域，AGND引腳接至模擬地區(qū)域;數(shù)字地區(qū)域和模擬地區(qū)域用一條直的空隙隔開。

5.3 如設(shè)計(jì)中須EMI過濾器，應(yīng)在接口插座端預(yù)留一定空間，絕大多數(shù)EMI器件(Bead/電容)均可放置在該區(qū)域;未使用之區(qū)域用地區(qū)域填充，如有屏蔽外殼也須與之相連。

5.4 每個(gè)功能模塊電源應(yīng)分開。功能模塊可分為：并行總線接口、顯示、數(shù)字電路(SRAM、EPROM、Modem)和DAA等，每個(gè)功能模塊的電源/地只能在電源/地的源點(diǎn)相連。

5.5 對(duì)串行DTE模塊，使用去耦電容減少電源耦合，對(duì)電話線也可做相同處理。

5.6 地線通過一點(diǎn)相連，如可能，使用Bead;如抑制EMI需要，允許地線在其它地方相連。

5.7 所有地線走線盡量寬，25-50mil. 5.8 所有IC電源/地間的電容走線盡量短，并不要使用過孔。