<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 消費電子 > 設計應用 > 高精度低功耗Sigma-Delta調制器的設計

          高精度低功耗Sigma-Delta調制器的設計

          作者: 時間:2016-10-15 來源:網絡 收藏

          摘要 設計了一種應用于和傳感領域的高精度低功耗的Sigma-Delta調制器。該調制器采用四階單環(huán)一位的CRFF結構,通過開關電容型全差分電路的使用,減小了偶次諧波、襯底以及電源噪聲,以及斬波技術的使用,降低了直流失調和低頻噪聲,達到了提高精度和降低功耗的目的。本設計采用Global foundries 0.18μm CMOS工藝,電源電壓為1.8 V,率為128,采樣時鐘頻率為5.12 MHz。仿真結果表明,該調制器信噪比達100.2 dB,整個調制器的功耗僅為380 μW。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201610/306874.htm

          隨著半導體集成電路制造工藝的不斷發(fā)展,片上系統(tǒng)(SOC)已成為設計技術發(fā)展的主流,并在手持設備和等領域得到了廣泛的應用。眾所周知,SOC設計是基于大量可重用的知識產權模塊(IP)基礎上。在這些IP中,模數轉換器(ADC)因處于連接模擬和數字信號的橋梁位置而受到關注。由于手持設備中的電池容量有限,又對音質等有較高要求,所以ADC的設計重點在于低功耗和高轉換精度。在各種類型的ADC中,Sigma—Delta ADC是實現中低速、高精度ADC的首選,尤其在和語音處理等領域得到了廣泛的應用。

          本文設計了一個應用于領域的四階單環(huán)一位前饋型的Sigma—Delta調制器(Sigma—DeltaADC的核心部分),通過開關電容型全差分電路的使用,有效減小了偶次諧波、襯底以及電源噪聲;通過斬波技術的使用,降低了直流失調和低頻噪聲(主要是1/f噪聲),達到了提高信噪比的目的。該調制器采用Global Foundries 0.18μm CMOS工藝實現,電源電壓為1.8 V,率128,時鐘頻率5.12 MHz。仿真結果表明調制器的信噪比達100.2 dB,整個調制器功耗為380μW,滿足低功耗和高精度的設計要求。

          1 Sigma-Delta調制器系統(tǒng)設計

          1.1 系統(tǒng)結構和參數的設計

          Sigma—Delta調制器有3個重要的系統(tǒng)參數,分別位為量化器位數M,系統(tǒng)階數L,以及率OSR。這些參數的不同組合,構成略有差異的量化噪聲整形效果。帶內殘留噪聲總能量,與OSR的2L+1冪次成反比關系。從而增加OSR,或增加L均能明顯降低殘留噪聲。增加量化器位數 M,將減少量化階梯。但若量化器的位數超過1位,反饋器件間存在不匹配性,將降低系統(tǒng)轉換精度。要使用動態(tài)器件隨機算法(DER)才能消除不匹配性,這會設計增加難度,從而本設計選用1位量化器。

          Sigma—Delta調制器傳遞函數主要包括反饋結構(CRFB)和前饋結構(CRFF)。這兩種結構均可實現積分器的輸出信號中僅處理噪聲分量,但實現條件不同。在CRFF中,需滿足的條件是bi=0(2≤i≤L),相反在CRFB中需滿足的條件是ai=bi(i≤L)。對比之下,CRFF結構需要更少的信號支路,從而需要更少的開關和電路,降低了支路上的噪聲和積分器輸出信號的幅值,從而減小整個Sigma-Delta調制器的功耗。因此,從低功耗的角度,本設計采用CRFF結構,如圖1所示。

          a.jpg

          綜上分析,為實現設計目標,即轉換精度在98 dB以上,以及留出一定的余量,最終選擇的能夠實現設計目標的解決方案是:OSR=128(OSR通常為2的N冪次),L=4,M=1,CRFF結構。選取系統(tǒng)傳遞函數NTF的帶外增益Hinf=1.45(經驗值|Hinf|1.5),通過Matlab DStoolbox對NTF傳遞函數進行綜合,得到整個系統(tǒng)系數。

          1.2 系統(tǒng)電路的設計

          根據Matlab模型,結合系統(tǒng)工作時序,音頻Sigma—Delta調制器電路系統(tǒng)框圖,如圖2所示。根據音頻Sigma—Delta 調制器中系統(tǒng)框圖,共需10個時鐘控制信號,分別為:S1,S2,S1d,S2d,Sch1,Sch2,Sch1d,Sch2d,CLK,CMP。前面4 個時鐘保證系統(tǒng)采樣積分能正常工作;中間4個時鐘完成chopper的功能,后面2個時鐘為比較器時鐘。時鐘S1,S2為非重疊兩相位時鐘。 S1d,S2d分別為S1,S2的上跳變相同,下跳變延遲時鐘,后面幾組時鐘類似。

          b.jpg

          在系統(tǒng)中,4個OTA組成4個級聯的積分器。積分器的增益由積分電容與采樣電容比值決定。每一個積分器的輸出,有一條前饋回路至量化器。參考信號 VREF+,VREF-反饋到第一個OTA的輸入。量化器在S1相位即將結束時比較輸入端信號幅值的相對大小,實現了對模擬輸入信號的數字轉換。在S2相位,依據當前輸出數字信號,反饋VREF+或VREF-到第一級OTA的輸入,形成負反饋。第一級OTA的4個斬波開關用來實現斬波技術,將低頻噪聲和直流失調被調制到高頻段,最終被Sigma—Delta ADC的濾波器濾除掉,從而提高Sigma—Delta調制器的信噪比,也使其能應用于超低頻傳感領域。

          2 Sigma-Delta調制器電路模塊設計

          2.1 第一級采樣電容

          采樣電容取值,取決于系統(tǒng)設計目標。過大的采樣電容,將給運算放大器等具體電路設計增加難度。相反,由于電容熱噪聲,過小的采樣電容,將增加電容熱噪聲密度。在兩相位差分系統(tǒng)中,經過推導得到的采樣電容取值表達式可寫為

          c.jpg

          其中,Vin,peak為輸入滿幅信號幅值,于是得到采樣電容的最小取值Cs=1.63 pF。

          2.2 其它電容

          其他級熱噪聲均有被系統(tǒng)整形,帶內殘留的噪聲很小,采樣電容取值在1 pF以下即可。為取值簡單起見,文中將二、三、四級的積分電容都定為1 pF,然后根據積分系數便可確定各級采樣電容的大小。前饋支路熱噪聲同樣有被系統(tǒng)整形,電容取值也在1 pF以下。

          2.3 運算放大器

          本文選擇有較大輸出電壓擺幅的全差分型折疊式共源共柵的OTA進行設計。本文設計的四階調制器中,OTA的增益通常應高于60 dB,對于折疊共源共柵式結構的運放來說基本都能夠達到要求。OTA的增益帶寬積GBW通常取時鐘頻率的3~5倍,為節(jié)省功耗,增益帶寬積應該盡量取小,但過小會降低積分器的積分精度、產生諧波失真等問題。因此,要在功耗和增益帶寬積中進行折中處理。共模反饋電路一般分為開關電容型(SC)和連續(xù)時間型 (CT)。采用開關電容型共模反饋能夠有效節(jié)省功耗,并且不會限制主運放的輸出擺幅。

          d.jpg

          e.jpg

          2.4 比較器

          一位量化器通常由比較器構成。比較器一般分為靜態(tài)鎖存比較器、甲乙類鎖存比較器和動態(tài)鎖存比較器。相對于靜態(tài)鎖存比較器、甲乙類鎖存比較器,動態(tài)鎖存比較器由于動態(tài)特性使其具有更低的功耗,有利于降低芯片的整體功耗。因此,本文采用動態(tài)鎖存比較器,其結構如圖4所示,主要由預放大運放和鎖存器構成。比較器由兩個反相非交疊時鐘控制,其中CLK為比較器工作時鐘,CMP為比較時鐘,時序如圖4所示。

          f.jpg

          2.5 開關

          在開關電容電路中,由于開關的非理想因素,存在導通電阻,影響電路的性能。為提高電路的線性度,一般采用傳輸門結構的CMOS開關,其結構如圖5所示。這種結構的開關可提供軌到軌的反相輸出,比單個MOS管開關具有更好的線性度。因此,本文調制器中的開關均選用CMOS開關。在設計時,通過設置合理的參數,使得NMOS管和PMOS管的導通電阻相等,這樣并聯后可得到最小的CMOS開關導通電阻。

          g.jpg

          3 結果及分析

          本設計電路基于Global foundries 0.18μm CMOS工藝,電源電壓為1.8 V,過采樣率為128,時鐘頻率為5.12 MHz。Sigma-Delta調制器頻域特性曲線如圖6所示。仿真結果表明,通過斬波技術的使用,把輸入信號和開關型方波信號耦合再經同步解調后,信號的頻譜不變,而低頻噪聲和直流失調被調制到高頻段,最終被Sigma—Delta ADC的濾波器濾除掉,從而有效降低了直流失調和低頻噪聲,一方面保證調制器的精度,另一方面也使設計能夠應用于低頻傳感器領域;通過開關電容型全差分電路的使用,有效減小了偶次諧波、襯底以及電源噪聲,從而保證了整個調制器的精度;通過采用CRFF結構減少了信號支路,從而減少了開關和電路的數量,減低了支路上的噪聲和積分器輸出信號的幅值,從而使整個Sigma—Delta調制器的功耗顯著降低,整個調制器的功耗僅為380μW,信噪比達100.2 dB,達到了高精度和低功耗的設計目的。

          h.jpg

          4 結束語

          本文設計了一個應用于音頻和傳感器領域的四階單環(huán)一位前饋型的Sigma—Delta調制器。該調制器采用Global foundries 0.18μm CMOS工藝實現,電源電壓為1.8 V,過采樣率128,時鐘頻率5.12 MHz。仿真結果表明,調制器的信噪比達100.2 dB,整個調制器功耗僅為380μW。通過斬波技術的使用,降低了直流失調和低頻噪聲,達到了提高信噪比的目的。通過開關電容型全差分電路的使用,有效減小了偶次諧波、襯底以及電源噪聲,達到了提高精度和降低功耗的目的,滿足高性能和低功耗的要求。



          評論


          相關推薦

          技術專區(qū)

          關閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();