高速單片機硬件關鍵參數(shù)設計概述

摘要：隨著目前新技術、新工藝的不斷出現(xiàn)，高速單片機的應用越來越廣，對硬件的可靠性問題便提出更高的要求。本文將從硬件的可靠性角度描述高速單片機設計的關鍵點。 關鍵詞：高速單片機 可靠性 特性阻抗 SI PI EMC 熱設計 引 言 隨著單片機的頻率和集成度、單位面積的功率及數(shù)字信號速度的不斷提高，而信號的幅度卻不斷降低，原先設計好的、使用很穩(wěn)定的單片機系統(tǒng)，

現(xiàn)在可能出現(xiàn)莫名其妙的錯誤，分析原因，又找不出問題所在。另外，由于市場的需求，產品需要采用高速單片機來實現(xiàn)，設計人員如何快速掌握高速設計呢? 硬件設計包括邏輯設計和可靠性的設計。邏輯設計實現(xiàn)功能。硬件設計工程師可以直接通過驗證功能是否實現(xiàn)，來判定是否滿足需求。這方面的資料相當多，這里就不敘述了。硬件可靠性設計，主要表現(xiàn)在電氣、熱等關鍵參數(shù)上。我將這些歸納為特性阻抗、SI、PI、EMC、熱設計等5個部分。 1 特性阻抗 　　近年來，在數(shù)字信號速度日漸增快的情況下，在印制板的布線時，還應考慮電磁波和有關方波傳播的問題。這樣，原來簡單的導線，逐漸轉變成高頻與高速類的復雜傳輸線了。 　　在高頻情況下，印制板(PCB)上傳輸信號的銅導線可被視為由一連串等效電阻及一并聯(lián)電感所組合而成的傳導線路，如圖1所示。只考慮雜散分布的串聯(lián)電感和并聯(lián)電容的效應，會得到以下公式： 　　

　　　　　　 　　式中Z0即特性阻抗，單位為Ω。 　　PCB的特性阻抗Z0與PCB設計中布局和走線方式密切相關。影響PCB走線特性阻抗的因素主要有：銅線的寬度和厚度、介質的介電常數(shù)和厚度、焊盤的厚度、地線的路徑、周邊的走線等。 　　在PCB的特性阻抗設計中，微帶線結構是最受歡迎的，因而得到最廣泛的推廣與應用。最常使用的微帶線結構有4種：表面微帶線(surface microstrip)、嵌入式微帶線(embedded microstrip)、帶狀線(stripline)、雙帶線(dual-stripline)。下面只說明表面微帶線結構，其它幾種可參考相關資料。表面微帶線模型結構如圖2所示。 Z0的計算公式如下： 　　

對于差分信號，其特性阻抗Zdiff修正公式如下：

公式中： ——PCB基材的介電常數(shù);

b——PCB傳輸導線線寬; d1——PCB傳輸導線線厚; d2——PCB介質層厚度; D——差分線對線邊沿之間的線距。 　　從公式中可以看出，特性阻抗主要由、b、d1、d2決定。通過控制以上4個參數(shù)，可以得到相應的特性阻抗。 2 信號完整性(SI) 　　SI是指信號在電路中以正確的時序和電壓作出響應的能力。如果電路中的信號能夠以要求的時序、持續(xù)時間和電壓幅度到達IC，則該電路具有較好的信號完整性。反之，當信號不能正常響應時，就出現(xiàn)了信號完整性問題。從廣義上講，信號完整性問題主要表現(xiàn)為5個方面：延遲、反射、串擾、同步切換噪聲和電磁兼容性。 　　延遲是指信號在PCB板的導線上以有限的速度傳輸，信號從發(fā)送端發(fā)出到達接收端，其間存在一個傳輸延遲。信號的延遲會對系統(tǒng)的時序產生影響。在高速數(shù)字系統(tǒng)中，傳輸延遲主要取決于導線的長度和導線周圍介質的介電常數(shù)。 　　當PCB板上導線(高速數(shù)字系統(tǒng)中稱為傳輸線)的特征阻抗與負載阻抗不匹配時，信號到達接收端后有一部分能量將沿著傳輸線反射回去，使信號波形發(fā)生畸變，甚至出現(xiàn)信號的過沖和下沖。如果信號在傳輸線上來回反射，就會產生振鈴和環(huán)繞振蕩。

　　由于PCB板上的任何兩個器件或導線之間都存在互容和互感，因此，當一個器件或一根導線上的信號發(fā)生變化時，其變化會通過互容和互感影響其它器件或導線，即串擾。串擾的強度取決于器件及導線的幾何尺寸和相互距離。 　　信號質量表現(xiàn)為幾個方面。對于大家熟知的頻率、周期、占空比、過沖、振鈴、上升時間、下降時間等，在此就不作詳細介紹了。下面主要介紹幾個重要概念。 　　①高電平時間(high time)，指在一個正脈沖中高于Vih_min部分的時間。 　?、诘碗娖綍r間(low time)，指在一個負脈沖中低于Vil_max部分的時間，如圖3所示。 　　③建立時間(setup time)，指一個輸入信號(input signal)在參考信號(reference signal)到達指定的轉換前必須保持穩(wěn)定的最短時間。 　　④保持時間(hold time)，是數(shù)據(jù)在參考引腳經(jīng)過指定的轉換后，必須穩(wěn)定的最短時間，如圖4所示。 　?、萁r間裕量(setup argin)，指所設計系統(tǒng)的建立時間與接收端芯片所要求的最小建立時間的差值。 　　⑥保持時間裕量(hold argin)，指所設計系統(tǒng)的保持時間與接收端芯片所要求的最小保持時間之間的差值。 　?、邥r鐘偏移(clock skew)，指不同的接收設備接收到同一時鐘驅動輸出之間的時間差。 　?、郥co(time clock to output，時鐘延遲)，是一個定義包括一切設備延遲的參數(shù)，即Tco=內部邏輯延遲 (internal logic delay) + 緩沖器延遲(buffer delay)。 　　⑨最大經(jīng)歷時間(Tflightmax)，即final switch delay，指在上升沿，到達高閾值電壓的時間，并保持高電平之上，減去驅動所需的緩沖延遲。 　?、庾钚〗?jīng)歷時間(Tflightmin)，即first settle delay，指在上升沿，到達低閾值電壓的時間，減去驅動所需的緩沖延遲。 　　時鐘抖動(clock jitter)，是由每個時鐘周期之間不穩(wěn)定性抖動而引起的。一般由于PLL在時鐘驅動時的不穩(wěn)定性引起，同時，時鐘抖動引起了有效時鐘周期的減小。 　　串擾(crosstalk)。鄰近的兩根信號線，當其中的一根信號線上的電流變化時(稱為aggressor，攻擊者)，由于感應電流的影響，另外一根信號線上的電流也將引起變化(稱為victim，受害者)。 　　SI是個系統(tǒng)問題，必須用系統(tǒng)觀點來看。以下是將問題的分解。 ◆ 傳輸線效應分析：阻抗、損耗、回流…… ◆ 反射分析：過沖、振鈴…… ◆ 時序分析：延時、抖動、SKEW…… ◆ 串擾分析 ◆ 噪聲分析：SSN、地彈、電源下陷…… ◆ PI設計：確定如何選擇電容、電容如何放置、PCB合適疊層方式…… ◆ PCB、器件的寄生參數(shù)影響分析 ◆ 端接技術等

3 電源完整性PI 　　PI的提出，源于當不考慮電源的影響下基于布線和器件模型而進行SI分析時所帶來的巨大誤差，相關概念如下。 ◆ 電子噪聲，指電子線路中某些元器件產生的隨機起伏的電信號。 ◆ 地彈噪聲。當PCB板上的眾多數(shù)字信號同步進行切換時(如CPU的數(shù)據(jù)總線、地址總線等)，由于電源線和地線上存在阻抗，會產生同步切換噪聲，在地線上還會出現(xiàn)地平面反彈噪聲(簡稱地彈)。SSN和地彈的強度也取決于集成電路的I/O特性、PCB板電源層和地平面層的阻抗以及高速器件在PCB板上的布局和布線方式。負載電容的增大、負載電阻的減小、地電感的增大、同時開關器件數(shù)目的增加均會導致地彈的增大。 ◆ 回流噪聲。只有構成回路才有電流的流動，整個電路才能工作。這樣，每條信號線上的電流勢必要找一個路徑，以從末端回到源端。一般會選擇與之相近的平面。由于地電平面(包括電源和地)分割，例如地層被分割為數(shù)字地、模擬地、屏蔽地等，當數(shù)字信號走到模擬地線區(qū)域時，就會產生地平面回流噪聲。 ◆ 斷點，是信號線上阻抗突然改變的點。如用過孔(via)將信號輸送到板子的另一側，板間的垂直金屬部分是不可控阻抗，這樣的部分越多，線上不可控阻抗的總量就越大。這會增大反射。還有，從水平方向變?yōu)榇怪狈较虻?0%26;#176;的拐點是一個斷點，會產生反射。如果這樣的過孔不能避免，那么盡量減少它的出現(xiàn)。 　　在一定程度上，我們只能減弱因電源不完整帶來的系列不良結果，一般會從降低信號線的串繞、加去耦電容、盡量提供完整的接地層等措施著手。 4 EMC 　　EMC包括電磁干擾和電磁抗干擾兩個部分。 　　一般數(shù)字電路EMS能力較強，但是EMI較大。電磁兼容技術的控制干擾，在策略上采用了主動預防、整體規(guī)劃和“對抗”與“疏導”相結合的方針。 　　主要的EMC設計規(guī)則有： ① 20H規(guī)則。PowerPlane(電源平面)板邊緣小于其與GroundPlane(地平面)間距的20倍。 ② 接地面處理。接地平面具有電磁學上映象平面(ImagePlane) 的作用。若信號線平行相鄰于接地面，可產生映像電流抵消信號電流所造成的輻射場。PCB上的信號線會與相鄰的接地平面形成微波工程中常見的Micro- strip Line(微帶線)或Strip Line(帶狀線)結構，電磁場會集中在PCB的介質層中，減低電磁輻射。 因為，Strip Line的EMI性能要比Micro-strip Line的性能好。所以，一些輻射較大的走線，如時鐘線等，最好走成Strip Line結構。 ③ 混合信號PCB的分區(qū)設計。第一個原則是盡可能減小電流環(huán)路的面積;第二個原則是系統(tǒng)只采用一個參考面。相反，如果系統(tǒng)存在兩個參考面，就可能形成一個偶極天線;而如果信號不能通過盡可能小的環(huán)路返回，就可能形成一個大的環(huán)狀天線。對于實在必須跨區(qū)的情況，需要通過，在兩區(qū)之間加連接高頻電容等技術。 ④ 通過PCB分層堆疊設計控制EMI輻射。PCB分層堆疊在控制EMI輻射中的作用和設計技巧，通過合適的疊層也可以降低EMI。 從信號走線來看，好的分層策略應該是把所有的信號走線放在一層或若干層，這些層緊挨著電源層或接地層。對于電源，好的分層策略應該是電源層與接地層相鄰，且電源層與接地層的距離盡可能小，這就是我們所講的“分層策略。 ⑤ 降低EMI的機箱設計。實際的機箱屏蔽體由于制造、裝配、維修、散熱及觀察要求，其上一般都開有形狀各異、尺寸不同的孔縫，必須采取措施來抑制孔縫的電磁泄漏。一般來說，孔縫泄漏量的大小主要取決于孔的面積、孔截面上的最大線性尺寸、頻率及孔的深度。 ⑥ 其它技術。在IC的電源引腳附近合理地安置適當容量的電容，可使IC輸出電壓的跳變來得更快。然而，問題并非到此為止。由于電容呈有限頻率響應的特性，這使得電容無法在全頻帶上生成干凈地驅動IC輸出所需要的諧波功率。除此之外，電源匯流排上形成的瞬態(tài)電壓在去耦路徑的電感兩端會形成電壓降，這些瞬態(tài)電壓就是主要的共模EMI干擾源。為了控制共模EMI，電源層要有助於去耦和具有足夠低的電感，這個電源層必須是一個設計相當好的電源層的配對。問題的答案取決于電源的分層、層間的材料以及工作頻率(即IC上升時間的函數(shù))。通常，電源分層的間距是0.5mm(6mil)，夾層是FR4材料，則每平方英寸電源層的等效電容約為75pF。顯然，層間距越小電容越大。

5 熱設計 　　電子元件密度比以前高了很多，同時功率密度也相應有了增加。由于電子元器件的性能會隨溫度發(fā)生變化，溫度越高其電氣性能會越低。 (1)數(shù)字電路散熱原理 　　半導體器件產生的熱量來源于芯片的功耗，熱量的累積必定導致半導體結點溫度的升高。隨著結點溫度的提高，半導體器件性能將會下降，因此芯片廠家都規(guī)定了半導體器件的結點溫度。在高速電路中，芯片的功耗較大，在正常條件下的散熱不能保證芯片的結點溫度不超過允許工作溫度，因此需要考慮芯片的散熱問題。 　　在通常條件下，熱量的傳遞通過傳導、對流、輻射3種方式進行。 　　散熱時需要考慮3種傳熱方式。例如使用導熱率好的材料，如銅、鋁及其合金做導熱材料，通過增加風扇來加強對流，通過材料處理來增強輻射能力等。 　　簡單熱量傳遞模型： 熱量分析中引入一個熱阻參數(shù)，類似于電路中的電阻。如果電路中的電阻計算公式為R=ΔE/I，則對應的熱阻對應公式為R=Δt/P(P表示功耗，單位 W;Δt表示溫差，單位℃)。熱阻的單位為℃/W，表示功率增加1W時所引起的溫升?？紤]集成芯片的熱量傳遞，可以使用圖5描述的溫度計算模型。 　　由上所述，可推導出 Tc=Tj-P%26;#215; RJC 　　也就是說，當Tc實測值小于根據(jù)數(shù)據(jù)手冊所提供數(shù)據(jù)計算出的最大值時，芯片可正常工作。 (2)散熱處理 　　為了保證芯片能夠正常工作，必須使Tj不超過芯片廠家提供的允許溫度。根據(jù)Tj=Ta+P%26;#215;R可知，如果環(huán)境溫度降低，或者功耗減少、熱阻降低等都能夠使Tj降低。實際使用中，對環(huán)境溫度的要求可能比較苛刻，功耗降低只能依靠芯片廠家技術，所以為了保證芯片的正常工作，設計人員只能在降低熱阻方面考慮。 　　如圖5所示，可變的熱阻由芯片外殼與散熱器間的熱阻(接觸熱阻)、散熱器到環(huán)境的熱阻組成。這就要求設計人員減少接觸熱阻，比如選用接觸熱阻小的導熱膠，考慮大的接觸面積等。散熱器方面還要選擇熱傳導率高的散熱器材，考慮使用風冷、水冷等對流散熱措施，增強輻射能力，擴展散熱面積等措施?！? 結 語 　　以上提到的高速單片機設計思想和方法，目前已經(jīng)在國外的公司得到實踐和發(fā)展，但是國內這方面的研究和實踐還很少。該設計思想在我們公司實踐、摸索，提高了產品可靠性。在這里推薦給各位同行，期望共同探討。