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          CMOS放大器的新時代來了

          作者: 時間:2016-10-16 來源:網(wǎng)絡 收藏

          十多年前,半導體設計與應用工程師在有了可行 CMOS 硅芯片時高興得相互擊掌慶祝,因為它可在 80% 的良率下實現(xiàn) 100uV 以下的放大器輸入失調(diào)電壓。當時,Allen Bradley、John Deere、Rockwell Automation 以及 Siemens 等工業(yè)領域巨頭都考慮將 CMOS 放大器作為較低成本的平臺,但它們很少將其用于實現(xiàn)高性能。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201610/307947.htm

          盡管雙極性技術依然盛行,但新型 CMOS 放大器正在以先進的設計技巧、高級的微調(diào)方法以及提高的良率逐漸打破工藝局限性。

          以往,雙極性器件在需要高精度的應用領域一直處于工程師的“首選”項。這些器件可實現(xiàn)低于 1uV/ºC 的失調(diào)漂移,而 CMOS 的輸入級則提供高達 5uV/ºC 的失調(diào)漂移。

          在 CMOS 輸入運算放大器中實現(xiàn)極低失調(diào)的挑戰(zhàn)在于閥值電壓之間的差異(輸入差分對)以及柵-源電壓與閥值電壓之間的差異 (VGS-VTH)。與雙極性器件不同,無論在弱反相情況下還是在強反相情況下,失調(diào)和失調(diào)漂移在 CMOS 器件中都沒有關聯(lián)性。

          CMOS 放大器

          CMOS 放大器設計中的其它挑戰(zhàn)還包括較高的電壓噪聲閃爍與白噪聲以及一個通常低很多的開環(huán)增益(這是比雙極性輸入低的跨導值)。

          應對以上挑戰(zhàn)的一個途徑就是使用自動歸零、限幅或二者相結(jié)合的方法,其可顯著減少失調(diào)和漂移(在 CMOS 中),但會增加電路復雜性。限幅自穩(wěn)放大器可在更大溫度范圍內(nèi)提供最低漂移,但其內(nèi)部結(jié)構可對其使用帶來一定限制。

          另一種方法是選擇一款經(jīng)過精確微調(diào)的器件。如欲進一步了解這種良好微調(diào)運算放大器的效果,敬請查看最新發(fā)布的 OPA192。該器件是 CMOS 放大器設計中名副其實的里程碑成果,能夠與現(xiàn)已提供的最佳雙極性及 JFET 技術相媲美。

          因此,下次您在購買真正高精度運算放大器時,如果您的系統(tǒng)需要低電壓工作,可以考慮選擇 OPA376 或支持較高電壓的 OPA192。



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