OLED顯示器的DC生產(chǎn)測試中顯示器的測試結(jié)果
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為了說明實現(xiàn)這一測試方案所達到的結(jié)果，我們用四個源表的測試系統(tǒng)對一個48×64的OLED顯示器進行了正向電流、電阻和反向偏置的測量。測量速度被設(shè)定為1個NPLC(即，積分時間 = 16.7毫秒)，并有1秒的信號源延遲。該延遲可以保證在測試開始前信號達到穩(wěn)定狀態(tài)。圖1給出了對一個認為有缺陷的顯示器的像素電阻的測試結(jié)果。測試數(shù)據(jù)表明幾乎所有的像素都有相對很高的“導(dǎo)通”電阻，即 > 100kΩ。其中的兩個像素有非常低的電阻，一個位于第3行第60列，測得的電阻約為1kΩ;另一個位于第4行第37列，測得的電阻在1kΩ與100kΩ之間。實際的動態(tài)電阻可以計算為：
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201610/308875.htmRd = Vpixel / Ipixel
式中的Vpixel和Ipixel分別是像素的電壓和電流。在2V偏壓下，典型的像素電流大約為20nA，這相當(dāng)于一個108Ω的動態(tài)電阻。因此，這兩個動態(tài)電阻位于1kΩ與100kΩ之間的像素看來是有缺陷的。
圖1. 電阻與像素的關(guān)系圖，所加的偏壓為Vbias = 2V
圖2示出了另一個顯示器的正向電流損耗與像素之間的關(guān)系，其中的Vbias = 6V。幾乎所有的像素都表現(xiàn)出大約11-13μA的正向電流損耗。對2400型源表設(shè)定了1mA的正向電流限值(compliance)或保護電流值，以防止對顯示器流過太大的電流而造成損壞。
圖2. 電流消耗與像素的關(guān)系圖，所加的偏壓為Vbias = 6V
為了對測試系統(tǒng)中每一個信號通路的漏電流的殘余測量誤差進行測量，就需要把一塊尺寸與OLED顯示器完全一樣的玻璃片插入測試夾具內(nèi)。然后在施加Vbias = -6V的偏壓后作一次掃描。圖3給出了這個掃描的結(jié)果。在任何一個像素位置上的電纜、繼電器和測試夾具的漏電流總和均小于80pA。在這些測試中，還考慮到了每個2400的“零點誤差”;所謂“零點誤差”是指在0V偏壓下的電流偏離值。
圖3. 測試系統(tǒng)的殘余漏電流與像素的關(guān)系圖，所加的偏壓為Vbias = -6V
圖4給出了在Vreverse = 6V下的反偏測量的結(jié)果。對于這個測試，我們把積分時間設(shè)置為10 NPLC，把信號源延遲時間設(shè)置為15秒。
圖4. 一個48×64顯示器的反偏電流與像素的關(guān)系圖，其中Vreverse = 6V
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