OLED顯示器的DC生產(chǎn)測(cè)試中顯示器的測(cè)試結(jié)果

為了說(shuō)明實(shí)現(xiàn)這一測(cè)試方案所達(dá)到的結(jié)果，我們用四個(gè)源表的測(cè)試系統(tǒng)對(duì)一個(gè)48×64的OLED顯示器進(jìn)行了正向電流、電阻和反向偏置的測(cè)量。測(cè)量速度被設(shè)定為1個(gè)NPLC(即，積分時(shí)間 = 16.7毫秒)，并有1秒的信號(hào)源延遲。該延遲可以保證在測(cè)試開(kāi)始前信號(hào)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。圖1給出了對(duì)一個(gè)認(rèn)為有缺陷的顯示器的像素電阻的測(cè)試結(jié)果。測(cè)試數(shù)據(jù)表明幾乎所有的像素都有相對(duì)很高的“導(dǎo)通”電阻，即 > 100kΩ。其中的兩個(gè)像素有非常低的電阻，一個(gè)位于第3行第60列，測(cè)得的電阻約為1kΩ;另一個(gè)位于第4行第37列，測(cè)得的電阻在1kΩ與100kΩ之間。實(shí)際的動(dòng)態(tài)電阻可以計(jì)算為：

Rd = Vpixel / Ipixel

式中的Vpixel和Ipixel分別是像素的電壓和電流。在2V偏壓下，典型的像素電流大約為20nA，這相當(dāng)于一個(gè)108Ω的動(dòng)態(tài)電阻。因此，這兩個(gè)動(dòng)態(tài)電阻位于1kΩ與100kΩ之間的像素看來(lái)是有缺陷的。

圖1. 電阻與像素的關(guān)系圖，所加的偏壓為Vbias = 2V

圖2示出了另一個(gè)顯示器的正向電流損耗與像素之間的關(guān)系，其中的Vbias = 6V。幾乎所有的像素都表現(xiàn)出大約11-13μA的正向電流損耗。對(duì)2400型源表設(shè)定了1mA的正向電流限值(compliance)或保護(hù)電流值，以防止對(duì)顯示器流過(guò)太大的電流而造成損壞。

圖2. 電流消耗與像素的關(guān)系圖，所加的偏壓為Vbias = 6V

為了對(duì)測(cè)試系統(tǒng)中每一個(gè)信號(hào)通路的漏電流的殘余測(cè)量誤差進(jìn)行測(cè)量，就需要把一塊尺寸與OLED顯示器完全一樣的玻璃片插入測(cè)試夾具內(nèi)。然后在施加Vbias = -6V的偏壓后作一次掃描。圖3給出了這個(gè)掃描的結(jié)果。在任何一個(gè)像素位置上的電纜、繼電器和測(cè)試夾具的漏電流總和均小于80pA。在這些測(cè)試中，還考慮到了每個(gè)2400的“零點(diǎn)誤差”;所謂“零點(diǎn)誤差”是指在0V偏壓下的電流偏離值。

圖3. 測(cè)試系統(tǒng)的殘余漏電流與像素的關(guān)系圖，所加的偏壓為Vbias = -6V

圖4給出了在Vreverse = 6V下的反偏測(cè)量的結(jié)果。對(duì)于這個(gè)測(cè)試，我們把積分時(shí)間設(shè)置為10 NPLC，把信號(hào)源延遲時(shí)間設(shè)置為15秒。

圖4. 一個(gè)48×64顯示器的反偏電流與像素的關(guān)系圖，其中Vreverse = 6V