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          大陸半導體高階制程布局在28納米暫歇?

          作者: 時間:2016-10-01 來源:Digitimes 收藏

            經(jīng)歷2008年國際金融危機,德國和日本陸續(xù)提出“工業(yè)4.0”、“制造業(yè)白皮書”等制造業(yè)轉(zhuǎn)型 計劃,中國國務院日前也提出《中國制造2025》,期望利用未來10年的時間,從“制造業(yè)大國”轉(zhuǎn)型為“制造業(yè)強國”,并提出2020年大陸IC內(nèi)需市場 的自制率達40%、2025年70%的目標,在此政策下,也促使臺積電、聯(lián)電、英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、GlobalFoundries等紛紛到大陸設立晶圓代工、NAND Flash等12吋晶圓廠。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201610/310703.htm

            大陸無論是自有廠的生產(chǎn)制造能力,或是市場需求的熱度,其實在55納米和40納米制程都非常成熟且強勁,為了全盤戰(zhàn)略布局的考量,下一步仍是把視為一個必須攻掠的關卡。

            因 此,中芯與高通(Qualcomm)合作制程,Poly-Sion制程已經(jīng)量產(chǎn),繼續(xù)力拚HKMG制程;第二家量產(chǎn)制程的大陸本地 廠是華力微電子,與聯(lián)發(fā)科合作,既定的量產(chǎn)時程是2016年底前,雖不確定是否會如期,因為對照聯(lián)電、中芯過去的進度也是遞延多年,但華力微進入28納米 是遲早的,且即將動土興建的第二座12吋晶圓廠也預計在2018年量產(chǎn),從28納米切入。

            從中芯/?高通、華力微/?聯(lián)發(fā)科這樣的搭配和組合,一人綁一家IC設計大廠,來拉拔28納米制程,就可看出背后有一定的政治意涵。

            然 而,過了28納米制程這個關卡后,要再往下走,恐沒有這么的容易了!臺積電在28納米之后雖有為蘋果(Apple)量身打造的20納米制程,但算是過渡制 程,真正具全面競爭力的是16納米,也是臺積電的第一個FinFET制程技術。目前不但量產(chǎn),也推出更具成本競爭力的16FFC制程,年底進入10納米, 蘋果、海思、聯(lián)發(fā)科、賽靈思等大客戶全面到齊。

            除了臺積電28納米進入第五年還維持70%以上的市占率外,其他的廠光是攻克該制程,就吃足不少苦頭,聯(lián)電2013年就進入28納米生產(chǎn),每年也不缺客戶支持,但也到了2016年28納米HKMG制程才開始大放量。

            同 樣地,中芯的28納米雖然得到高通大力支持,但也是比預計量產(chǎn)的時間點晚了許久,現(xiàn)在才進入poly-Sion制程,還在等待高階的HKMG制程真正大量 起來,足見要追趕臺積電的腳步是不容易的,何況現(xiàn)在臺積電直接去大陸南京設立最先進的16納米生產(chǎn)線,就可以喂飽當?shù)氐男酒袌觥?/p>

            到 了28納米制程以下,大陸半導體廠會怎么走?目前中芯已經(jīng)揭露要和華為、高通、比利時微電子(imec)等公司共同投資成立“中芯國際集成電路新技術研發(fā) (上海)有限公司”,開發(fā)下一代 CMOS 邏輯制程,以研發(fā)14納米制程世代作為開端,該公司的主導權由中芯國際掌握,預計2020年量產(chǎn)14納米制程。

            然這個看似美麗的藍圖,以及陣容堅強的合資公司,是否會讓中芯如期在2020年量產(chǎn)誕生第一顆大陸本地半導體自研自制的14納米制程芯片?外界仍是有疑慮。

            多數(shù)業(yè)者認為,F(xiàn)inFET制程技術的難度太高,28納米就延宕多年,14納米制程即使如期2020年量產(chǎn),臺積電早已開始5納米制程,屆時的14納米已不再是所謂的先進制程了。

            另 外,有能力做出14納米制程芯片,與可否大量出貨給客戶,這是不同的層面的問題,前者是宣示意義,后者具有實質(zhì)的營收和獲利,一個是面子,另一個是面子加 里子。同樣的,在28納米制程上,有28納米制程技術,與28納米占公司營收達20%以上的水準,是兩個層面問題,且兩者之間恐要再花上數(shù)年之久。

            另一個可觀察的趨勢是,這幾年半導體廠在大陸開始推FD-SOI技術,包括三星、GlobalFoundries、意法半導體等,但是,意味著半導體制程走回頭路了。

            在28納米制程以下,臺積電、英特爾等大廠都已經(jīng)選擇FinFET制程,因為FD-SOI技術與FinFET技術相較,相同面積的電晶體密度較低,且效能也比不上,但進入門檻卻是較低,傳出臺積電內(nèi)部也做過FD-SOI,但最后仍選擇技術領先的FinFET技術。

            不過,近期FD-SOI技術在大陸半導體流行,其實也可視為FinFET技術以外的另一個選擇。不然,投入FinFET技術一磨至少要3~5年,且能否有成效和回本還是問題,又不是每一家半導體廠都有資源可以像中芯國際一樣,找來華為等一線大咖組成這種夢幻團隊。

            換 個角度看,未來3~5年大陸的內(nèi)需芯片需求,其實用28納米制程已經(jīng)很夠用了,無論是物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、智慧家庭、智慧城市、智慧制造等,從55納米、40 納米再到28納米制程,足以滿足各種的相關芯片需求,甚至吃遍整個內(nèi)需市場,并完成2020年大陸IC內(nèi)需市場的自制率達40%,大陸半導體需不需要這么 快速進入FinFET技術,其實短期內(nèi)已不具實質(zhì)意義。



          關鍵詞: 半導體 28納米

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