解析韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)三大發(fā)展源動(dòng)力

　　發(fā)展源動(dòng)力

　　1. 政府推動(dòng)

　　1975年，成立韓國高級科學(xué)技術(shù)研究院

　　1976年，成立韓國電子技術(shù)研究所，重要工作是進(jìn)行超大規(guī)模集成電路的研究，負(fù)責(zé)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國家級科研項(xiàng)目的開發(fā)

　　1986年~1993年，政府實(shí)施“超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同開發(fā)計(jì)劃”

　　1997年，政府通過“新一代半導(dǎo)體基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目”

　　下圖為韓國政府促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的計(jì)劃和立法。

　　2. 產(chǎn)學(xué)研合作

　　在“超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同開發(fā)計(jì)劃”的推動(dòng)下，以國家電子研究所為主，三星、現(xiàn)代、LG等大企業(yè)參加組成半導(dǎo)體研究開發(fā)組織。集中人才、資金，進(jìn)行從1M到64M的DRAM核心基礎(chǔ)技術(shù)(又稱：源泉技術(shù))的開發(fā)。

　　3. 企業(yè)從引進(jìn)到自主研發(fā)

　　為縮短與先進(jìn)國的技術(shù)差距，企業(yè)積極導(dǎo)入國外技術(shù)，比如三星從Micro Technology與Aytrex、現(xiàn)代從德州儀器與Vitelic、LG從Micro Technology與AT&T進(jìn)行技術(shù)的引進(jìn)。

　　受益于源泉技術(shù)，16M以后的DRAM轉(zhuǎn)為以企業(yè)開發(fā)為主。1992年11月，成功開發(fā)出64M DRAM;1997年末，成功開發(fā)出256M DRAM的基礎(chǔ)技術(shù)和1G DRAM的先進(jìn)基礎(chǔ)技術(shù);2014年4月，開發(fā)出業(yè)內(nèi)最早4G DRAM。

　　韓國半導(dǎo)體的快速發(fā)展堅(jiān)持的是循序漸進(jìn)的方式，引進(jìn)、合作、自主融合。內(nèi)部技術(shù)與外部技術(shù)的整合，是三星能迅速崛起的一個(gè)捷徑選擇。