解析韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)三大發(fā)展源動力

　　發(fā)展源動力

　　1. 政府推動

　　1975年，成立韓國高級科學(xué)技術(shù)研究院

　　1976年，成立韓國電子技術(shù)研究所，重要工作是進行超大規(guī)模集成電路的研究，負責(zé)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國家級科研項目的開發(fā)

　　1986年~1993年，政府實施“超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同開發(fā)計劃”

　　1997年，政府通過“新一代半導(dǎo)體基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)項目”

　　下圖為韓國政府促進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的計劃和立法。

　　2. 產(chǎn)學(xué)研合作

　　在“超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同開發(fā)計劃”的推動下，以國家電子研究所為主，三星、現(xiàn)代、LG等大企業(yè)參加組成半導(dǎo)體研究開發(fā)組織。集中人才、資金，進行從1M到64M的DRAM核心基礎(chǔ)技術(shù)(又稱：源泉技術(shù))的開發(fā)。

　　3. 企業(yè)從引進到自主研發(fā)

　　為縮短與先進國的技術(shù)差距，企業(yè)積極導(dǎo)入國外技術(shù)，比如三星從Micro Technology與Aytrex、現(xiàn)代從德州儀器與Vitelic、LG從Micro Technology與AT&T進行技術(shù)的引進。

　　受益于源泉技術(shù)，16M以后的DRAM轉(zhuǎn)為以企業(yè)開發(fā)為主。1992年11月，成功開發(fā)出64M DRAM;1997年末，成功開發(fā)出256M DRAM的基礎(chǔ)技術(shù)和1G DRAM的先進基礎(chǔ)技術(shù);2014年4月，開發(fā)出業(yè)內(nèi)最早4G DRAM。

　　韓國半導(dǎo)體的快速發(fā)展堅持的是循序漸進的方式，引進、合作、自主融合。內(nèi)部技術(shù)與外部技術(shù)的整合，是三星能迅速崛起的一個捷徑選擇。