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          大陸IC產業(yè) 國家意志崛起

          作者: 時間:2016-10-02 來源:工商時報 收藏

            回顧2011~2015年資料,中國產業(yè)年產值增幅保持在10%以上,近2年增長幅度更是維持在20%左右,而制造端從2012年起增速逐步上升,至2015年產值年增率更是來到25%,充分體現中國在制造產業(yè)發(fā)展方面強烈的國家意志。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201610/310753.htm

            一、中國產業(yè)產值

            與IC制造業(yè)產值

            積 體電路產業(yè)在國家經濟發(fā)展和國家安全中占有至關重要的地位,2000年以來,中國政府發(fā)表了一系列IC產業(yè)重點扶持和發(fā)展政策從未間斷,其中“國家積體電 路發(fā)展推進綱要”提出目標:中國積體電路產業(yè)2030年前躋身全球領先陣營,在IC制造領域也提出在2020年實現16/14奈米規(guī)?;慨a目標。

            中 國電子資訊產業(yè)發(fā)展帶動IC晶片需求快速增長,2015年中國IC產品進口額高達2,310億美元,貿易逆差超1,600億美元,進口替代需求極其迫切。 2013年6月“棱鏡門”事件爆發(fā),資訊安全已上升至國家安全戰(zhàn)略高度,中國政府一方面開始去“IOE”化(IOE具體說法是以IBM為代表的主機,以為 代表的關聯式資料庫,與以EMC為代表的高階儲存設備),另一方面積極扶持中國積體電路產業(yè)發(fā)展。

            從2014年6月24日國務院發(fā)表“國 家積體電路產業(yè)發(fā)展推進綱要”至今,中國積體電路產業(yè)已取得重大成果,2015年中國積體電路產業(yè)營收已達3,610億元人民幣。自2012年起,中國積 體電路制造業(yè)發(fā)展速度已超過積體電路產業(yè)整體增長速度,2012~2015年復合增長率接近20%,2015年中國IC制造業(yè)銷售額達902億元人民幣。

            如前所述,雖然中國半導體市場已躍居全球第1大市場,但整體而言,半導體相關產品的自給率依然偏低,僅為27%左右,未來仍有很大替代空間。

            二、IC制造領域重大事件

            (一)中國IC制造產業(yè)并購案與新廠計畫

            為 應對IC晶片產品嚴重依賴進口問題,提升中國IC晶片產品自給率,中國代工廠近幾年加快投資擴產步伐,“中國制造2025”明確提出2020年自給率達 40%,2025年自給率達70%,由此吸引臺積電、聯電與GlobalFoundries等全球同業(yè)在中國打造12寸廠。

            伴隨各大12寸廠陸續(xù)進駐中國,各地方政府也表現出急切發(fā)展熱情,這也同時給政府帶來難題-如何合理分配優(yōu)勢資源。

            預計長江存儲投資啟動3年左右將是最關鍵和最困難時刻,屆時長江存儲產品能否與對手正面競爭、各方能否在巨額持續(xù)投資的重壓下保持戰(zhàn)略定力,這是擺在中國IC產業(yè)發(fā)展路途上必須邁過的一道門檻。

            (二)臺積電2016年底量產10奈米制程

            目 前臺積電在先進制程上正一步步趕上英特爾,預計2016年第4季量產10奈米,7奈米則在2018年初進入量產階段,英特爾10奈米將延至2017年第2 季,盡管英特爾10奈米在Device和Gate Density都優(yōu)于臺積電的10奈米,但兩者在先進制程的差距正逐漸縮小。

            此外,臺 積電因成功掌握蘋果和聯發(fā)科等大客戶,在與三星和英特爾的激烈交鋒中已獲得絕對霸主姿態(tài),預計2017年問世的新款蘋果智慧型手機中,最關鍵的A11處理 晶片將全數搭載臺積電10奈米制程,并搭配臺積電的整合型扇形封裝技術(InFO),屆時10奈米市占率將獨步全球,預計高達70%。

            中國方面,中芯國際在過去幾年已顯著縮小與聯電差距,但先進制程發(fā)展仍落后臺積電和聯電。

            三、中國IC制造產業(yè)格局

            和代表廠商現況

            (一) 中國IC制造產業(yè)格局

            全 球12寸廠產能向中國轉移已成定局,中國現有12寸晶圓廠產能共計42萬片/月,其中包括英特爾(大連)、三星(西安)、SK Hynix(無錫)、中芯國際(北京與上海)與華力微電子。2016~2018年中國新增晶圓廠總產能將高達63.5萬片/月,占全球12寸晶圓廠總產能 的比重也會由2016年10%、攀升至2018年22%。中國新增12寸晶圓廠包括聯芯(廈門)、武漢新芯、晉華(晉江)、臺積電(南京)、德科瑪(淮 安)、晶合(合肥)、兆基科技(合肥)與GlobalFoundries(重慶)等。

            事實上,從分布圖中可看到由北向南,中國12寸晶圓廠主要分布在環(huán)渤海、中西部、長三角與珠三角四大區(qū)域,已呈現遍地開花態(tài)勢。

            (二)中國IC制造代表廠商現況

            2015年全球前10大代工廠中,前4大廠臺積電、聯電、三星與GlobalFoundries市占率總和已高達79.6%,其中臺積電一騎絕塵,市占率達53%,中國中芯國際和華虹宏力分別以4.5%和1.3%排名第5位和第9位。

            作 為中國晶圓代工龍頭,中芯國際2016年第1季銷售額達6.34億美元,同比增長24.5%,2015年銷售額創(chuàng)新高達22.36億美元,年增長率為 13.5%,已大幅超過聯電,聯電2015年營收增長率為-2.1%,目前中芯國際12寸月產能達6.25萬片,8寸月產能達16.2萬片,折合8寸晶圓 產能每月31.5萬片。

            中芯國際是中國第1家提供28奈米先進制程的純晶圓代工廠商,采用業(yè)界主流技術,包含傳統(tǒng)的多晶矽 (PolySiON)和后閘極的高介電常數金屬閘極(HKMG)制程。目前已成功在28奈米制程制程為聯芯的SOC晶片和高通驍龍?zhí)幚砥骶瓿赏镀?,?在2016年6月中芯北京廠成功量產驍龍425,進而鞏固在中國晶圓代工龍頭廠商的地位。

            此外,2016年6月中芯國際出資4,900萬 歐元收購義大利晶圓代工廠LFoundry 70%股份,憑藉此收購,中芯國際進軍了全球汽車電子市場。然而,中芯國際產能主要集中分布在65奈米以上,其中0.13微米以上低階制程占據中芯國際年 營收比較過半,盡管45奈米制程在2015年營收占比較2014年提高5%達16%,但28奈米制程在2015年總營收占比還不足1%,繼續(xù)擴充45奈米 制程產能,盡快突破28奈米制程實現規(guī)模量產和開發(fā)16/14奈米技術,是中芯國際目前的重大課題。

            上海華虹NEC電子有限公司和上海巨 宏半導體制造有限公司新設合并而成,目前在上海張江和金橋共有3條200mm積體電路生產線,產能2016年第2季15.1萬片/月,主要制程節(jié)點覆蓋 90奈米~1微米,主要打造嵌入式非易失性記憶體、功率器件、邏輯、電源管理、射頻、類比與混合信號等制程平臺,其中以智慧卡和MCU應用為主之嵌入式非 易失性記憶體制程平臺的銷售額比重達該公司年營收的40%。

            華虹宏力0.15微米以上制程占總營收60%左右,公司季報顯示:0.13微 米以下等先進制程的比率在過去一年一路下滑,由2015年第2季38.4%下降到2016年第2季33.3%。2015年華虹宏力年銷售額為6.5億美 元,全球市占僅為1%,隨著12寸廠興起,8寸廠必須走一條差異化競爭的道路,一方面攻占高成長和高附加值產品市場,另一方面要持續(xù)投入創(chuàng)新。

            四、存儲芯片產業(yè)新布局

            目 前全球存儲芯片制造主要由三星、SK海力士、美光、東芝與英特爾等國際大廠壟斷,在2D-NAND制程制程基本達到極限的情況下,各大廠紛紛開始探索 3D-NAND技術,目前三星32層和48層3D V-NAND產品,與美光和英特爾32層3D-NAND產品,于2015年底已正式投放市場,東芝、SanDisk與SK海力士前期在邁入3D-NAND 主流廠商的道路上稍顯遲鈍,不過2016年7月東芝和SanDisk同時宣布,已研發(fā)出64層3D-NAND flash制程技術,并計畫采用該技術256Gb(32GB)產品在2017上半年進行量產,隨后三星也立即宣布于2016年底量產4GV- NAND(64層)產品。在新興技術領域,各廠商都正處于起跑階段,距離還未完全大幅拉開,這對中國存儲芯片產業(yè)發(fā)展是有利因素。

            中國存儲芯片幾乎完全依賴進口,進口額約占IC芯片總進口額4分之1,盡管中國已有三星、英特爾與SK海力士3大廠設立存儲器芯片制造廠,但都是外資控股,這些廠商對制程技術都嚴格保密,中國工程師很難走到核心技術崗位,這對中國存儲晶片制造業(yè)的影響非常有限。

            此外,紫光透過購買西數股份曲線收購SanDisk受到美國外國投資委員會(CFIUS)阻撓,最終告吹,這也提醒中國真正核心技術未必能用錢買得到,因此中國存儲晶片發(fā)展重點還需放在自主創(chuàng)新和技術引進相結合的方向。

            在 新建的晶圓廠中,武漢新芯和晉華都集中關注在存儲晶片上,其中武漢新芯和Spansion合作進軍NAND領域,計畫推出3D-NAND產品,拉近與韓國 和美國廠商的差距;晉華則攜手聯電,避開競爭激烈的標準型記憶體市場,以利基型記憶體為切入點,打造中國DRAM產業(yè)。此外,為進一步整合資源,集中力量 發(fā)展存儲晶片產業(yè),紫光又聯手武漢新芯并成立長江存儲科技有限公司,趙偉國任董事長,國家積體電路發(fā)展基金總經理丁文武任副董事長,至此,中國存儲晶片制 造業(yè)的大船才剛剛下水。

            五、結語

            2011年起,中國IC制造業(yè)就維持在25%左右高增長率,充分體現中國在IC制造產業(yè) 發(fā)展方面強烈的國家意志,特別是近期各國際知名晶圓廠商紛紛登陸中國,以與當地晶圓廠的技術引進和資源整合動作,中國龐大的市場空間已給各廠商帶來無限遐 想,未來能否完成國產替代化的轉變,是中國IC制造業(yè)必須面對的難題和重點。

            中國12寸晶圓廠數量增多,分散的資源配置將無法實現規(guī)模效 應,同時這些不具規(guī)模優(yōu)勢的廠商在未來必將引發(fā)惡性競爭,最終可能將IC產業(yè)發(fā)展置于惡劣的營運環(huán)境中。未來中國IC制造產業(yè)差異化競爭是規(guī)避小規(guī)模廠商 惡性競爭的重要手段;此外,合理進行資源整合形成規(guī)模效應也是未來中國IC制造業(yè)發(fā)展趨勢。



          關鍵詞: 晶圓 IC

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