智原發(fā)表PowerSlash(TM)硅智財于聯(lián)電55奈米超低功耗製程支援物聯(lián)網(wǎng)應用開發(fā)

　　聯(lián)華電子今(12日)與ASIC設計服務暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技(Faraday Technology Corporation，TWSE：3035)共同發(fā)表智原科技于聯(lián)電55奈米超低功耗製程(55ULP)的PowerSlash™基礎(chǔ)IP方案。智原PowerSlash™與聯(lián)電製程技術(shù)相互結(jié)合設計，為超低功耗的無線應用需求技術(shù)進行優(yōu)化，滿足無線物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的電池長期壽命需求。

　　智原科技行銷暨投資副總于德旬表示：「物聯(lián)網(wǎng)應用建構(gòu)過程中，效能往往受制于低功耗技術(shù)。而今透過聯(lián)電55奈米超低功耗技術(shù)以及智原PowerSlash™ IP的加速模式(Turbo Mode)功能，為物聯(lián)網(wǎng)應用環(huán)境帶來至關(guān)重要的解決方案，除了省電更提供絕佳的效能。再次，聯(lián)電和智原共同締造了成功的晶片服務技術(shù)?！?/p>

　　智原PowerSlash™ IP包含多重臨界電壓元件庫、記憶體編譯器和電源管理元件，能夠充分利用聯(lián)電55ULP的優(yōu)勢在0.81V至1.32V廣域電壓下運作。此外，新的加速模式功能可以有效調(diào)升性能曲線，幫助MCU核心于達到2倍效能，在相同額定時脈下減少約40%的動態(tài)功耗。

　　聯(lián)電硅智財研發(fā)暨設計支援處的莫亞楠資深處長也表示：「物聯(lián)網(wǎng)晶片設計師對于有效的節(jié)能解決方案有高度的需求。聯(lián)電擁有晶圓代工業(yè)界中最健全的物聯(lián)網(wǎng)專屬55奈米技術(shù)平臺，結(jié)合完整的硅智財方案，可以支援物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的不間斷低功耗要求。藉由智原在我們的55ULP平臺上發(fā)表的PowerSlash™ IP，能夠讓客戶使用完善的製程平臺，協(xié)助提供物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的獨特需求?！?/p>

　　PowerSlash™ IP結(jié)合智原的低功耗設計系統(tǒng)、系統(tǒng)單晶片超低功耗控制元件與FIE3200 FPGA平臺，可以使用在低功耗積體電路的前端設計或后端開發(fā)階段。聯(lián)電的55ULP技術(shù)能夠支援較低的操作電壓及sub-pA裝置漏電，為含有鈕扣電池的產(chǎn)品提供理想的的晶圓製程。智原與聯(lián)電合力的超低功耗解決方案，為超低功耗積體電路設計平臺帶來新的基準。