半導(dǎo)體大佬撐腰之下 GaN功率半導(dǎo)體能取代MOSFET？

　　一種常見類型的電源雙拓?fù)涫褂秒p升壓連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)PFC電路。在某些情況下，這種電路由超級結(jié)功率MOSFET供電?！俺壗Y(jié)可以完成這項工作，”Persson提到?！澳憧梢缘玫?9%的效率，但它的代價是操作頻率不高?！?/p>本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201610/311963.htm

　　一種替代方案是使用基于600伏GaN器件的圖騰柱CCM-PFC器件。 這個解決方案更貴，但有一些好處。 “圖騰柱是一個更簡單的拓?fù)洌彼f。“我可以在GaN上應(yīng)用相同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，同時實現(xiàn)更高的操作頻率。您可以在廣泛的功率范圍內(nèi)在PFC上獲得高于99%的效率。這種方案可以節(jié)約資金和運營成本。”

　　GaN同時還有一些其他的新興應(yīng)用。比如，Diag半導(dǎo)體公司最近也殺入GaN市場，計劃在快速充電應(yīng)用中實施這項技術(shù)。

　　當(dāng)智能手機或者其它移動設(shè)備電池電量較低或者不足時，必須使用墻上適配器或者充電器重新充電。在美國，電網(wǎng)的標(biāo)準(zhǔn)電壓為120V。

　　“當(dāng)您將USB適配器插入您的手機時，通常會得到5V左右的充電電壓，”Diag的業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)Tomas Moreno說?！斑@時會發(fā)生的一件事情是，手機從適配器得到的功率是受限的。想想吧，功率等于電壓乘以電流，USB充電線纜能夠通過的電流只有1.25安培，這是由線纜決定的，所以您無論從任何地方取電，手機上能夠得到的充電功率始終只有7瓦到8瓦。”

　　總之，使用傳統(tǒng)的墻上適配器對手機充電需要花費太多的時間。為此，業(yè)界開發(fā)了快速充電技術(shù)，它可以提高充電電壓?！坝糜谑謾C充電的功率變得更高了，從而充電速度更快了，”Moreno說?！澳悻F(xiàn)在可以在30分鐘之內(nèi)將手機電量充至滿電的80%?！?/p>

　　對于這種快速充電應(yīng)用，Diag提供用在充電器內(nèi)的三種芯片-調(diào)節(jié)控制器、同步整流控制器和通信IC。

　　很快，Diag將會添加第四個芯片解決方案 - 一個GaN功率半導(dǎo)體器件。該器件為半橋式，內(nèi)部集成了650伏GaN功率開關(guān)和其他電路，可將功率損耗降低高達(dá)50%，將效率提高到94%。“你可以將功率密度增加近40%，”他說?！澳憧梢猿槌龈嗟碾娏?，從而更快地給電池充電?！?/p>

　　針對智能手機和平板電腦應(yīng)用，Dialog將于2017年開始對其GaN基快速充電解決方案進(jìn)行試樣。隨著時間的推移，GaN將用于汽車、衛(wèi)星、醫(yī)療設(shè)備和其他系統(tǒng)中。

　　可以肯定的是，GaN正在大踏步前進(jìn)。但是硅基MOSFET仍會繼續(xù)存在，并不會很快消失。