高速H橋上管驅(qū)動電路
高速H橋上管驅(qū)動電路
上例方案的速度瓶頸為光耦,如果不采用光耦那么控制信號的頻率可以提高很多。通過試驗,我們開發(fā)了如下的高速型H橋上管驅(qū)動電路。方案如圖9所示。
圖中上管控制信號高電平為+l2 V,低電平為0 V。控制信號通過電阻電容和二極管電路加到Q1的基極,Q1的集電極輸出作為
圖9 高速H橋上管驅(qū)動電路
Fig.9 High Speed H-bddge Highside Driving
Q2,Q3組成的差動驅(qū)動電路控制信號,差動電路的輸出作為Ml的驅(qū)動信號。Q2,Q3組成的差動驅(qū)動電路上端Q2接 +l2 V電源,下端Q3接到Ml的s極。當(dāng)上管控制信號為低電平時,Q2導(dǎo)通,Q3截止,Ml的G極約為 D+l2 V,使Ml可順利導(dǎo)通。Ml導(dǎo)通后,其D極和s極之間為通路,幾乎沒有壓降,此時s極也為l,DD,則Ml的G和s之間的壓差為l2 V,滿足MOS管的導(dǎo)通條件,Ml可維持導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)上管控制信號變?yōu)楦唠娖綍r,Q2截止,Q3導(dǎo)通,使Ml的G和s極之間壓差很小,不能滿足MOS管的導(dǎo)通條件,則Ml截止。需要指出的是,當(dāng)Q2導(dǎo)通M1尚未導(dǎo)通的瞬間,Ml的G和s間壓差為l,DD+l2 V,但由于MOS管的開啟時間極短(幾十US),Q2導(dǎo)通時,Ml幾乎同時開啟,使MJ的G和s之問的壓差保證為12V(如圖10)。
高速H橋上管驅(qū)動信號畸變
Fig.10 Signal Transmogrification of High Speed H-bddge
圖9所示的上管驅(qū)動電路有很強的驅(qū)動能力,并具有很高的極限頻率,使用這個驅(qū)動電路來驅(qū)動MOS管,能使MOS管的控制信號在較高的頻率(20 k以上)下不失真。
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