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          70W、80kHz彩色監(jiān)視器用升壓變換器電路

          作者: 時(shí)間:2016-11-15 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          70W、電路

          圖 70W、電路

          圖所示的電路中,升壓電感器L1、升壓二極管D1、輸入及輸出電容C1與C5、功率MOSFET(Q1)和IC1等,是產(chǎn)生損耗的主要元器件。其中,開關(guān)Q1所產(chǎn)生的損耗在總損耗中占居支配地位,而IC1產(chǎn)生的損耗則相對(duì)較小。為降低變換器損耗,提高效率,主要途徑是:
          (1)選用低開關(guān)損耗的MOSFET;
          (2)選用低等效串聯(lián)電阻(ESR)的電容器C1和C5;
          (3)選用低等效電阻的電感線圈L1;
          (4)選用低導(dǎo)通電阻和低通態(tài)電壓的二極管D1。
          關(guān)于L1和輸出電容C5數(shù)值選擇可根據(jù)式(7)和式(9)求出。輸出電流IO=PO/VO=70W/120V≈0.6A,開關(guān)周期Ts=1/fs=1/=12.5μs,Vi=50V,設(shè)最大占空比Dmax=0.73,代入式(7)可得:L=×0.73×12.5×10-6=2.5×10-3H=2.5mH
          紋波電壓Δvo=120V×1%=1.2V,VO=120V,DTs=9.1μs,設(shè)負(fù)載電阻R=200Ω,代入式(9)可得:C5==4.55μF
          考慮在輸出負(fù)載瞬時(shí)變化時(shí)能安全運(yùn)行,可選用500μF/200V低ESR的電容器。
          選用低損耗的MOSFET是提高升壓變換器效率的關(guān)鍵一環(huán)。目前快捷公司推出的新一代MOSFET—QFET系列產(chǎn)品,則具有低損耗特征。



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