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          驅(qū)動半橋自舉電路

          作者: 時間:2016-11-16 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          驅(qū)動半橋自舉電路

          自舉元件設(shè)計(jì)

          自舉二極管(VD1)和電容(C1)是IR2110在PWM應(yīng)用時需要嚴(yán)格挑選和設(shè)計(jì)的元器件,應(yīng)根據(jù)一定的規(guī)則對其進(jìn)行調(diào)整,使電路工作在最佳狀態(tài)。

          在工程應(yīng)用中,取自舉電容C1>2Qg/(VCC-10-1.5)。式中,Qg為IGBT門極提供的電荷。假定自舉電容充電路徑上有1.5V的壓降(包括VD1的正向壓降),則在器件開
          通后,自舉電容兩端電壓比器件充分導(dǎo)通所需要的電壓(10V)要高。

          同時,在選擇自舉電容大小時,應(yīng)綜合考慮懸浮的最寬導(dǎo)通時間ton(max)和最窄導(dǎo)通時間ton(min)。導(dǎo)通時間既不能太大影響窄脈沖的性能,也不能太小而影響寬脈沖的驅(qū)動要求。根據(jù)功率器件的工作頻率、開關(guān)速度、門極特性對導(dǎo)通時間進(jìn)行選擇,估算后經(jīng)調(diào)試而定。

          VD1主要用于阻斷直流干線上的高壓,其承受的電流是柵極電荷與開關(guān)頻率之積。為了減少電荷損失,應(yīng)選擇反向漏電流小的二極管。


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