IGBT基本結(jié)構(gòu)及電路圖 作者: 時(shí)間:2016-11-16 來源:網(wǎng)絡(luò) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對(duì)面交流海量資料庫查詢 收藏 IGBT實(shí)在BDMOS型功率場效應(yīng)管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。在VDMOS結(jié)構(gòu)的漏極側(cè)N+層下,增加一個(gè)P+層發(fā)射極而行程pn,如圖1-31所示,就構(gòu)成IGBT。
評(píng)論