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          基于AT89C2051單片機(jī)的VCN-MIO智能節(jié)點模板電路設(shè)計

          作者: 時間:2016-11-18 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            0.引言

            基于具有三個CPU且固化了LonTalk通信協(xié)議的神經(jīng)元(Neuron)芯片的智能節(jié)點模板,由于Neuron芯片是八位處理器,而且只提供了11個通用I/O口,并采用了基于事件巡檢的軟件調(diào)度機(jī)制,故其控制功能相對較弱,使它無法完成實時性高的多進(jìn)程、多任務(wù)的并行處理,不能滿足采集量和控制量要求較多的多現(xiàn)場設(shè)備管控的高要求,且性價比較低。要滿足這種高要求,就要減少Neuron芯片在外部事件上的開銷,讓其充分發(fā)揮它在通訊組網(wǎng)上的優(yōu)越性,能使現(xiàn)場設(shè)備之間快速地交換信息,滿足系統(tǒng)實時監(jiān)控的要求;而對于提高網(wǎng)絡(luò)節(jié)點的測控能力,必須另擇門路。嵌入控制功能強(qiáng)、物美價廉的單片機(jī),專門完成多節(jié)點的智能測控,構(gòu)成一種基于AT89C2051單片機(jī)VCN-MIO(多I/O)智能節(jié)點模板,不失為一種上乘的較佳選擇,本文介紹它的電路設(shè)計

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201611/315656.htm

            1.VCN-MIO智能節(jié)點模板的總體設(shè)計

            VCN-MIO智能節(jié)點模板,以包含Neuron芯片在內(nèi)的TP/FT-10F閃控模塊和AT89C2051單片機(jī)為核心,采用標(biāo)準(zhǔn)的控制網(wǎng)絡(luò)協(xié)議LonTalk,實現(xiàn)了真正的對等層點到點通信的分布式控制網(wǎng)絡(luò)。其總體設(shè)計如圖1所示。圖中,A為8路AI、6路DO;B為網(wǎng)絡(luò)、直流電壓與交流源接口;C、D、E分別為擴(kuò)充模塊的I/O端口,其功能由擴(kuò)充I/O模塊定義,可以根據(jù)工程實際需求靈活配置。

          圖1 VCN-MIO智能節(jié)點模板總體設(shè)計

            (*中國高等教育學(xué)會“十一五”教育科學(xué)規(guī)劃課題(批準(zhǔn)號:06AIP0090046);江蘇省教育科學(xué)“十一五”規(guī)劃2006年度課題(立項編號:179); 山東省教育科學(xué)“十一五”規(guī)劃2006年度課題(立項編號:115GG41); 黑龍江省教育科學(xué)“十一五”規(guī)劃2006年度課題(批準(zhǔn)編號:HGG027);黑龍江省教育廳2006年科學(xué)技術(shù)研究計劃項目(項目編號:11513037);朱靜(1966-),女,江蘇淮安人,副教授,高工。研究方向:機(jī)電工程控制)

            2.TP/FT-10F 主控核心模塊電路設(shè)計

            主控制模塊提供了一種簡單、有效的方法將LonWorks技術(shù)運(yùn)用到任何控制系統(tǒng)中。本設(shè)計控制模塊存儲器采用 FLASH EPROM,它能夠在掉電的情況下保證數(shù)據(jù)不丟失,同時在上電的情況下還能夠?qū)λM(jìn)行可反復(fù)擦寫1000次的數(shù)據(jù)寫操作,在FLASH EPROM中,ATMEL公司的AT89C512 與MC143150 的時序配合最為合適,存儲空間以64K為首選。收發(fā)器選用 FTT-10A,它在未加電時呈現(xiàn)高阻狀態(tài),不會影響網(wǎng)絡(luò)通信。FTT-10A 與神經(jīng)元芯片3150的接口電路如圖2所示。

            圖2中,Cl 是靜態(tài)放電電容,在需要的情況下,要盡可能耐高壓,電容值偏小,如 1000pF;C2 是供電電源的解耦電容,通常選用0.1uF/5V解藕電容;C3、C4為DC模塊電容,取值為22uF/50V;二極管為電容暫態(tài)限幅,保證收發(fā)器靜態(tài)放電安全可靠,建議使用 IN4148或 BAV99。圖3所示控制模塊的左側(cè)18插腳分別與神經(jīng)元芯片的11個I/O、RESET、SERVICE、電源及接地引腳等直接相連,右側(cè)6個插腳與圖2的Net1、Net2直接相連。

          圖2 FTT-10A 與神經(jīng)元芯片3150的接口電路

          圖3 TP/FT-10F控制模塊結(jié)構(gòu)圖

            3 VCN-MIO底板與擴(kuò)展模塊的電路設(shè)計

            3.1單片機(jī)AT89C2051與神經(jīng)元芯片MC143150的接口電路設(shè)計

            底板的結(jié)構(gòu)設(shè)計用來排列核心模塊和擴(kuò)展模塊,并給各個擴(kuò)展模塊提供電源,同時底板又是一個8路AI/6路DO的基礎(chǔ)板。核心模塊和擴(kuò)展模塊、核心模塊與底座的通信即神經(jīng)元芯片與單片機(jī)AT89C2051芯片通信采用的是SPI方式,如圖4所示,由于神經(jīng)元芯片的IO口不多,故選用串行方式。SPI接口是一種同步全雙工串行外圍接口,突出優(yōu)點是在使用最少的微控制器引腳的前提下,實現(xiàn)相對高速的短程通信。神經(jīng)元芯片提供Neurowire對象實現(xiàn)SPI方式通信,IO8、IO9、IO10分別是同步時鐘、數(shù)據(jù)輸出、輸入;IO0-IO7任意一個可作為片選。

          圖4單片機(jī)AT89C2051與神經(jīng)元芯片MC143150的接口電路

            3.2輸入輸出接口電路設(shè)計

            數(shù)字量輸出模塊采用達(dá)林頓陣列ULN2003集電極開路輸出,最大電壓50V,最大吸收峰值電流500mA,最大壓降1.2V。但ULN2003芯片功耗為:PD=(最大結(jié)溫-工作溫度)/73。

            當(dāng)最大結(jié)溫取150℃,工作溫度取40℃時,PD=1.5W,建議不要超過1W。由于每塊達(dá)林頓陣列ULN2003用了5路,即每路0.2W,當(dāng)平均壓降取1V時,每路額定吸收電流則僅為200mA。輸入可采用干觸點輸入或者電壓輸入。為了簡化電路和電源,采用二極管隔離方式。干觸點接通時要求接觸電阻不大于500Ω,響應(yīng)時間可達(dá)2ms,通過觸點的電流不大于1mA;干觸點斷開時,觸點的電壓不大于5V,要求觸點斷開電阻不小于30KΩ。電壓輸入,高電平+3V~+30V,低電平0~+1V,脈沖響應(yīng)時間可達(dá)2ms。數(shù)字量輸入輸出接口電路如圖5所示。

          圖5 數(shù)字量輸入輸出接口電路

            模擬信號部分電路相對復(fù)雜,針對交流輸入和直流輸入分別設(shè)計了不同的檢測濾波電路。圖6為模擬信號采集電路,適用于直流電壓、電流信號輸入,可通過軟件調(diào)整量程。AD7705是AD公司出品的適用于低頻測量儀器的AD轉(zhuǎn)換器。它能將從傳感器接收到的很弱的輸入信號直接轉(zhuǎn)換成串行數(shù)字信號輸出,而無需外部儀表放大器。采用Σ-Δ的ADC,實現(xiàn)16位無誤碼的良好性能,片內(nèi)可編程放大器可設(shè)置輸入信號增益。

          圖6 模擬信號采集電路

            圖7為模擬量輸出電路,DAC7513是低功耗、單信道、12位緩沖電壓輸出D/A轉(zhuǎn)換器(DAC)。芯片內(nèi)含精密輸出放大器,使(rail-to-rail)軌對軌輸出成為可能。它采用通用三線串行接口,操作時鐘頻率高達(dá)30MHz,與標(biāo)準(zhǔn)接口兼容。DAC7513集成了上電復(fù)位電路,上電時輸出電壓為0V并保留此狀態(tài)直到產(chǎn)生對器件有效的寫,包含掉電特性,在結(jié)束串口訪問后,電流消耗可降為200nA(5V)。DAC7513的功耗為0.5mW(5V),掉電模式均降為1μW。

          圖7 模擬量輸出電路

            4 節(jié)點故障診斷和抗干擾設(shè)計

            4.1 故障診斷策略流程

            在節(jié)點開發(fā)過程中,故障的出現(xiàn)是不可避免的。在出現(xiàn)故障后能迅速的診斷故障所在,并且及時地進(jìn)行修正,是每個開發(fā)人員面臨的共同任務(wù)。而在故障的診斷中,具有一個好的策略流程,能有效的指導(dǎo)開發(fā)人員有順序的有邏輯的進(jìn)行故障定位。圖8便是一個基本完整的策略流程圖。

          圖8 節(jié)點故障診斷流程

            4.2 電磁抗干擾設(shè)計

            對于系統(tǒng)板上的數(shù)字芯片,由于3150 運(yùn)行的工作頻率大概為10MHz,工作頻率高,高速跳變電流會產(chǎn)生較大的阻抗噪聲。為了抑制這種噪聲的影響,需要在芯片的電源引腳和接地引腳之間添加去耦電容,以通過電容的充放電來穩(wěn)定電流量;在信號傳輸頻率高的地方,盡量使用小的解耦電容。在電路板規(guī)劃的時候,采用四層電路板設(shè)計方案,可以減少電磁干擾;在電路板布線時,應(yīng)盡量縮短存儲芯片的數(shù)據(jù)線、地址線及控制線的走線距離,以減少對地電容;要保持多條地址線之間走線距離的一致性,否則各線會因走線距離不同而造成較大的阻抗差異,使到達(dá)終端的地址信號波形相差過大,最終導(dǎo)致控制信息失效。此外,數(shù)字芯片的未用輸入端不應(yīng)處于浮空狀態(tài),而應(yīng)將其接入高電平,以防止電磁干擾竄入開路的輸入端,引起邏輯電路的誤動作。

          4.3 靜態(tài)放電(ESD)影響處理

            ESD是在電子應(yīng)用中經(jīng)常遇到的問題。減少ESD帶來的影響通常有兩種解決的辦法。首先,把敏感設(shè)備用電磁套包裝起來,使ESD不能到達(dá)敏感設(shè)備。接地可以為各電路的工作提供基準(zhǔn)電位,但同時也為不同電路的噪聲信號提供了一條耦合途徑。由于本系統(tǒng)板上既具有模擬通信接口、A/D 轉(zhuǎn)換等模擬電路,也具有存儲系統(tǒng)等數(shù)字電路,因而采取了模擬、數(shù)字電路單元內(nèi)部分別接模擬地和數(shù)字地,最后再將兩條地線接至一點的措施。這樣便在最大程度上降低了兩種電路間地線的公共阻抗,減少了兩種電路間的噪聲信號的互擾。

            5 結(jié)語

            本文設(shè)計了基于AT89C2051單片機(jī)的VCN-MIO智能節(jié)點模板結(jié)電路設(shè)計,單片機(jī)作為主處理器負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)采集處理部分的工作,而Neuron芯片專門負(fù)責(zé)通信功能。這樣處理的最大好處是提高了數(shù)據(jù)處理的能力,提升了節(jié)點的性能?,F(xiàn)場的信號主要是數(shù)字量和模擬量兩種,故針對每種信號的特點分別設(shè)計了輸入輸出電路,值得強(qiáng)調(diào)的是VCN-MIO這種節(jié)點的結(jié)構(gòu)安排,即一個核心控制模塊配帶一些擴(kuò)展模塊,端口的數(shù)量可以靈活配置,端口的形式也可以靈活配置。目前已開發(fā)出具有44路I/O節(jié)點的高性能智能模板,并已將其應(yīng)用于第十屆“挑戰(zhàn)杯”全國大學(xué)生課外學(xué)術(shù)科技競賽作品“現(xiàn)代化立體車庫的遠(yuǎn)程智能網(wǎng)絡(luò)管控系統(tǒng)”制作,效果顯著。實驗表明,該多I/O智能節(jié)點模板的智能節(jié)點數(shù)大大增多;通信、控制調(diào)度、實時性、可靠性大大增強(qiáng);性價比大大提高;能夠滿足目前現(xiàn)代工業(yè)過程控制領(lǐng)域復(fù)雜測控系統(tǒng)的高要求。

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