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          存儲、NAND FLASH控制器實驗(S3C2410)

          作者: 時間:2016-11-11 來源:網(wǎng)絡 收藏
          本實驗介紹如何使用SDRAM,這需要設置13個寄存器。呵呵,別擔心,這些寄存器很多是類似的,并且由于我們只使用了BANK6,大部分的寄存器我們不必理會:
          1.BWSCON:對應BANK0-BANK7,每BANK使用4位。這4位分別表示:
          a.STx:啟動/禁止SDRAM的數(shù)據(jù)掩碼引腳,對于SDRAM,此位為0;對于SRAM,此位為1。
          b.WSx:是否使用存儲器的WAIT信號,通常設為0
          c.DWx:使用兩位來設置存儲器的位寬:00-8位,01-16位,10-32位,11-保留。
          d.比較特殊的是BANK0對應的4位,它們由硬件跳線決定,只讀。
          對于本開發(fā)板,使用兩片容量為32Mbyte、位寬為16的SDRAM組成容量為64Mbyte、位寬為32的存儲器,所以其BWSCON相應位為:0010。對于本開發(fā)板,BWSCON可設為0x22111110:其實我們只需要將BANK6對應的4位設為0010即可,其它的是什么值沒什么影響,這個值是參考手冊上給出的。
          2.BANKCON0-BANKCON5:我們沒用到,使用默認值0x00000700即可
          3.BANKCON6-BANKCON7:設為0x00018005
          在8個BANK中,只有BANK6和BANK7可以使用SRAM或SDRAM,所以BANKCON6-7與BANKCON0-5有點不同:
          a.MT([16:15]):用于設置本BANK外接的是SRAM還是SDRAM:SRAM-0b00,SDRAM-0b11
          b.當MT=0b11時,還需要設置兩個參數(shù):
          Trcd([3:2 R A S to CAS delay,設為推薦值0b01
          SCAN([1:0]):SDRAM的列地址位數(shù), 對于本開發(fā)板使用的SDRAM HY57V561620CT-H,列地址位數(shù)為9,所以SCAN=0b01。如果使用其他型號的SDRAM,您需要查看它的數(shù)據(jù)手冊來決定SCAN的取值:00-8位,01-9位,10-10位
          4.REFRESH(SDRAM refresh control register):設為0x008e0000+ R_CNT其中R_CNT用于控制SDRAM的刷新周期,占用REFRESH寄存器的[10:0]位,它的取值可如下計算(SDRAM時鐘頻率就是HCLK):
          R_CNT = 2^11 + 1 – SDRAM時鐘頻率(MHz) *SDRAM刷新周期(uS)
          在未使用PLL時,SDRAM 時鐘頻率等于晶振頻率12MHz;SDRAM的刷新周期在SDRAM的數(shù)據(jù)手冊上有標明,在本開發(fā)板使用的SDRAM HY57V561620CT-H的數(shù)據(jù)手冊上,可看見這么一行“8192 refresh cycles /64ms”:所以,刷新周期=64ms/8192 = 7.8125 uS。
          對于本實驗,R_CNT = 2^11 + 1 – 12 * 7.8125 =1955,
          REFRESH=0x008e0000 + 1955 = 0x008e07a3
          5.BANKSIZE:0x000000b2
          位[7]=1:Enable burst operation
          位[5]=1:SDRAM power down mode enable
          位[4]=1:SCLK is active only during the access(recommended)
          位[2:1]=010:BANK6、BANK7對應的地址空間與BANK0-5不同。BANK0-5的地址空間都是固定的128M,地址范圍是(x*128M)到(x+1)*128M-1,x表示0到5。但是BANK7的起始地址是可變的,您可以從S3C2410數(shù)據(jù)手冊第5章“Table5-1.Bank6/7 Addresses”中了解到BANK6、7的地址范圍與地址空間的關系。本開發(fā)板僅使用BANK6的64M空間,我們可以令位[2:1]=010(128M/128M)或001(64M/64M):這沒關系,多出來的空間程序會檢測出來,不會發(fā)生使用不存在的內(nèi)存的情況——后面介紹到的bootloader和linux內(nèi)核都會作內(nèi)存檢測。
          位[6]、位[3]沒有使用

          6.MRSRB6、MRSRB7:0x00000030
          能讓我們修改的只有位[6:4](CL),SDRAM HY57V561620CT-H不支持CL=1的情況,所以位[6:4]取值為010(CL=2)或011(CL=3)。
          只要我們設置好了上述13個寄存器,往后SDRAM的使用就很簡單了。本實驗先使用匯編語言設置好SDRAM,然后把程序本身從Steppingstone(還記得嗎?本節(jié)開始的時候提到過,復位之后NAND
          Flash開頭的4k代碼會被自動地復制到這里)復制到SDRAM處,然后跳到SDRAM中執(zhí)行。
          本實驗源代碼在SDRAM目錄中,
          head.s開頭的代碼如下:
          1 bl disable_watch_dog
          2 bl memsetup
          3 bl copy_steppingstone_to_sdram
          4 ldr pc, =set_sp @跳到SDRAM中繼續(xù)執(zhí)行
          5 set_sp:
          6 ldr sp, =0x34000000 @設置堆棧
          7 bl main @跳轉(zhuǎn)到C程序main函數(shù)
          8 halt_loop:
          9 b halt_loop
          為了讓程序結構簡單一點,我都使用函數(shù)調(diào)用的方式。第一條指令是禁止WATCH DOG,往WTCON寄存器(地址0x53000000)寫入0即可禁止WATCH DOG。第二條指令設置本節(jié)開頭所描述的13個寄存器,以便使用SDRAM。往下程序做的事情就是:將Steppingstone中的代碼復制到SDRAM中(起始地址為 0x30000000),然后向pc寄存器直接賦值跳到SDRAM中執(zhí)行下一條指令“ldr sp, =0x34000000”。


          關鍵詞: 存儲NANDFLASHS3C241

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