ARM DDR SDRAM 初始化

2.DDR 控制器初始化以及DDR SDRAM初始化流程

3.ARM編程初始化DRAM Controller 和DDR SDRAM細(xì)節(jié)details

備注： 由于DDR SDRAM時(shí)序比較復(fù)雜，具體時(shí)序細(xì)節(jié)在未來(lái)的另一篇博文用FPGA來(lái)設(shè)計(jì)DDR SDRAM控制器中記錄。 用FPGA來(lái)設(shè)計(jì)DDR SDRAM控制器相對(duì)于直接使用ARM片上的DRAM Controller 要復(fù)雜的多。

1.DDR SDRAM introduction

DDR SDRAM本質(zhì)上就是一個(gè)存儲(chǔ)器件。它是易失性存儲(chǔ)器件。掉電后數(shù)據(jù)就消失。 你可以把它想象成和簡(jiǎn)單的單端口RAM和雙端口RAM功能一樣，可以通過(guò)讀，寫(xiě)命令，以及對(duì)應(yīng)的地址來(lái)訪問(wèn)內(nèi)部數(shù)據(jù)。但是它又不像普通的RAM。

(1)首先>> DDR SDRAM在使用前要做一系列的初始化工作。初始化工作包括使能時(shí)鐘，預(yù)充電，自刷新，等待200clks ,設(shè)置模式寄存器以及擴(kuò)展模式寄存器等。初始化完成后，才能進(jìn)入讀寫(xiě)數(shù)據(jù)狀態(tài) 。 而且在工作工程中要定期進(jìn)行刷新，防止電荷丟失掉。

(2)其次>> DDR SDRAM 芯片本身有很多參數(shù)需要來(lái)設(shè)置。

2.1 比如，在寫(xiě)操作時(shí)，你先要設(shè)定行(row)，然后過(guò)一段時(shí)間再設(shè)定列（column）。這段時(shí)間就叫RCD （Row Column Delay )【行地址到列地址的有效時(shí)間】

2.2 還有，在讀操作時(shí)，讀命令發(fā)出之后數(shù)據(jù)不會(huì)立即被讀出，要經(jīng)過(guò)一定的時(shí)鐘周期。 而這段延時(shí)就叫CAS Latency(Column Address Strobe latency)

2.3 自動(dòng)刷新時(shí)間的設(shè)置：Ddrsdram芯片一般來(lái)說(shuō)是每64ms刷新一次，刷新是整個(gè)bank都要刷新，即有多少行需要來(lái)刷新，如果行地址為A12-A0，即有2.*（13）=8192行，即刷新一行需要64ms/8192時(shí)間。

還有一些參數(shù)，如有時(shí)間，今后更新博客中完善。

（3）再者>> DDR SDRAM的行地址和列地址共用同一地址總線，不過(guò)這個(gè)地址總線何時(shí)被用來(lái)做行地址或列地址，可以翻看DDR 數(shù)據(jù)手冊(cè)，時(shí)序是關(guān)鍵。

（4）數(shù)據(jù)讀寫(xiě)時(shí)，是在時(shí)鐘上升沿和下降沿都會(huì)有數(shù)據(jù)傳輸。這就是DDR SDRAM速度快于SDRAM的原因,這也是名字的由來(lái)（Double Data rate SDRAM）。

2.DDR 控制器初始化以及DDR SDRAM初始化流程

見(jiàn)圖：

3.ARM編程初始化DRAM Controller 和DDR SDRAM細(xì)節(jié)details

按著上圖所示操作流程，依次寫(xiě)下即可，設(shè)置好相關(guān)寄存器的值，參考S3C6410手冊(cè)以及你板子上所用DDR SDRAM芯片手冊(cè)。sdram初始化子函數(shù)如下。