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          FS2410 開發(fā)板上的內(nèi)存搬移實(shí)驗(yàn)

          作者: 時(shí)間:2016-11-10 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          一、目的

          通過將 Nand Flash 前 4K 代碼搬移到 SDRAM 中,了解如何初始化并使用 ARM 的內(nèi)存,

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201611/317240.htm

          為編寫 ARM bootloader 和搬移內(nèi)核到內(nèi)存作準(zhǔn)備。

          二、代碼

          關(guān)于如何建立開發(fā)環(huán)境,在我的前一篇隨筆(FS2401 發(fā)光二極管循環(huán)點(diǎn)亮)里有介紹, 請

          參考。要初始化并使用內(nèi)存需要了解一些很鎖碎的細(xì)節(jié),上來就講這些知識(shí)點(diǎn)未免生澀,不

          如在代碼中穿插講解來的直接。

          @ 文件 head.s

          @ 作用: 關(guān)閉看門狗、設(shè)置內(nèi)存、向 SDRAM 搬移 Nand Flash 的前 4K 代碼、設(shè)置堆棧、

          @ 調(diào)用已經(jīng)搬移到 SDRAM 的 main 函數(shù)

          .text

          .global _start

          _start:

          ldr r0, =0x53000000 @ Close watch-dog

          mov r1, #0x0

          str r1, [r0]

          bl memory_setup@ Initialize memory setting

          bl copy_block_to_sdram @ Move code to SDRAM

          ldr sp, =0x34000000 @ Set stack pointer

          ldr pc, =main @ call main in SDRAM

          halt_loop:

          b halt_loop

          copy_block_to_sdram:

          mov r0, #0x0

          mov r1, #0x30000000

          mov r2, #4096

          copy_loop:

          ldmia r0!, {r3-r10}

          stmia r1!, {r3-r10}

          cmp r0, r2

          blo copy_loop

          注:看門狗(Watch Dog Timer,簡稱為WDT)技術(shù)就是最常見的抗干擾技術(shù),實(shí)際上是一個(gè)

          可清零的定時(shí)計(jì)數(shù)器。

          @ 文件 memory.s

          @ 初始化內(nèi)存控制寄存器

          .global memory_setup@ 導(dǎo)出 memory_setup, 使其對鏈接器可見

          memory_setup:

          mov r1, #0x48000000 @ BWSCON 內(nèi)存控制寄存器地址

          adrl r2, mem_cfg_val

          add r3, r1, #13*4

          1:

          @ write initial values to registers

          ldr r4, [r2], #4

          str r4, [r1], #4

          cmp r1, r3

          bne 1b

          mov pc, lr

          .align 4

          mem_cfg_val:

          .long 0x22111110 @ BWSCON

          .long 0x00000700 @ BANKCON0

          .long 0x00000700 @ BANKCON1

          .long 0x00000700 @ BANKCON2

          .long 0x00000700 @ BANKCON3

          .long 0x00000700 @ BANKCON4

          .long 0x00000700 @ BANKCON5

          .long 0x00018005 @ BANKCON6

          .long 0x00018005 @ BANKCON7 9bit

          .long 0x008e07a3 @ REFRESH

          .long 0x000000b2 @ BANKSIZE

          .long 0x00000030 @ MRSRB6

          .long 0x00000030 @ MRSRB7

          注: 要理解這里的寄存器設(shè)置需要看手冊和資料, 這里簡單介紹一下:

          1.BWSCON:對應(yīng)BANK0-BANK7,每BANK使用4位。這4位分別表示:

          a.STx:啟動(dòng)/禁止SDRAM的數(shù)據(jù)掩碼引腳,對SDRAM,此位為0;對SRAM,此位為1

          b.WSx:是否使用存儲(chǔ)器的WAIT信號(hào),通常設(shè)為0

          c.DWx:使用兩位來設(shè)置存儲(chǔ)器的位寬:00-8位,01-16位,10-32位,11-保留。

          d.比較特殊的是BANK0對應(yīng)的4位,它們由硬件跳線決定,只讀。

          e.對于本開發(fā)板,使用兩片容量為32Mbyte、位寬為16的SDRAM組成容量為64Mbyte、

          位寬為32的存儲(chǔ)器,所以其BWSCON相應(yīng)位為:0010。對于本開發(fā)板,BWSCON可設(shè)為

          0x22111110:其實(shí)我們只需要將BANK6對應(yīng)的4位設(shè)為0010即可,其它的是什么值沒

          什么影響,這個(gè)值是參考手冊上給出的。

          2.BANKCON0-BANKCON5:我們沒用到,使用默認(rèn)值0x00000700即可

          3.BANKCON6-BANKCON7:設(shè)為0x00018005

          在8個(gè)BANK中,只有BANK6和BANK7可以使用SRAM或SDRAM,與BANKCON0-5有點(diǎn)不同:

          a.MT([16:15]):用于設(shè)置本BANK外接的是SRAM還是SDRAM:SRAM-0b00,SDRAM-0b11

          b.當(dāng)MT=0b11時(shí),還需要設(shè)置兩個(gè)參數(shù):

          Trcd([3:2]):RAS to CAS delay,設(shè)為推薦值0b01

          SCAN([1:0]):SDRAM的列地址位數(shù),本開發(fā)板的SDRAM列地址位數(shù)為9,所以SCAN=0b01

          4.REFRESH(SDRAM refresh control register):

          其中R_CNT用于控制SDRAM的刷新周期,占用REFRESH寄存器的[10:0]位,它的取值可

          如下計(jì)算(SDRAM時(shí)鐘頻率就是HCLK):

          R_CNT = 2^11 + 1 – SDRAM時(shí)鐘頻率(MHz) * SDRAM刷新周期(uS)

          在未使用PLL時(shí),SDRAM時(shí)鐘頻率等于晶振頻率12MHz;SDRAM的刷新周期在SDRAM的數(shù)

          據(jù)手冊上有標(biāo)明,在本開發(fā)板使用的SDRAM HY57V561620CT-H的數(shù)據(jù)手冊上,可看見

          這么一行“8192 refresh cycles / 64ms”:所以,刷新周期=64ms/8192 = 7.8125 uS。

          對于本實(shí)驗(yàn),R_CNT = 2^11 + 1 – 12 * 7.8125 = 1955

          REFRESH=0x008e0000 + 1955 = 0x008e07a3

          5.BANKSIZE:0x000000b2

          位[7]=1:Enable burst operation

          位[5]=1:SDRAM power down mode enable

          位[4]=1:SCLK is active only during the access (recommended)

          位[2:1]=010 BANK6、BANK7對應(yīng)的地址空間: 010-128M/128M, 001-64M/64M

          6.MRSRB6、MRSRB7:0x00000030

          能讓我們修改的只有位[6:4](CL),SDRAM HY57V561620CT-H不支持CL=1的情況,所以

          位[6:4]取值為010(CL=2)或011(CL=3)

          /* 文件 sdram.c */

          /* 作用 循環(huán)點(diǎn)亮開發(fā)板上的 D9、D10、D11、D12 四個(gè)發(fā)光二極管 */

          #define GPFCON (*(volatile unsigned long *)0x56000050) /* GPFCON 端口地址為0x56000050 */

          #define GPFDAT (*(volatile unsigned long *)0x56000054) /* GPFDAT 端口地址為0x56000054 */

          int main()

          {

          int i,j;

          while(1) {

          for (i = 0; i <4; ++i) {

          GPFCON = 0x1<<(8+i*2); /* 如何設(shè)置此二寄存器使二極管發(fā)光,前一*/

          GPFDAT = 0x0;/* 篇隨筆(FS2401 發(fā)光二極管循環(huán)點(diǎn)亮) */

          /* 里有介紹*/

          // for delay

          for(j=0;j<50000;++j) ;

          }

          }

          }

          # Makefile

          # 編譯上述三個(gè)代碼文件, 并鏈接生成的目標(biāo)文件,

          # 再將目標(biāo)文件(ELF格式)轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制格式文件

          sdram:head.s memory.s sdram.c

          arm-linux-gcc -c -o head.o head.s

          arm-linux-gcc -c -o memory.o memory.s

          arm-linux-gcc -c -o sdram.o sdram.c

          # -Ttext 0x30000000 會(huì)使目標(biāo)文件里 ldr pc, =main 指令里的 pc 加上

          # 0x30000000 這個(gè)基地址,而 #0x30000000 正是我們要將代碼搬到 SDRAM 的

          # 起始地址, 更多細(xì)節(jié)請參考 arm-linux-ld -Ttext 的用法

          arm-linux-ld -Ttext 0x30000000 head.o memory.o sdram.o -o sdram_tmp.o

          arm-linux-objcopy -O binary -S sdram_tmp.o sdram

          clean:

          rm -f *.o

          rm -f sdram

          三、編譯、燒寫、測試

          Make 一下就會(huì)生成我們要的文件 sdram, 將其通過 JTAG 燒入 Nand Flash 即可,Reset

          一下開發(fā)板, 欣賞您的實(shí)驗(yàn)成果吧



          關(guān)鍵詞: FS2410內(nèi)存搬

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